公开(公告)号：CN100533596C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200510009302.6

申请日：2005-02-18

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 长田健一 ,  竹村理一郎 ,  高浦则克 ,  松崎望 ,  河原尊之

IPC: G11C16/02 ,  G11C13/00 ,  H01L27/10 ,  G06F13/00

CPC classification number: G11C13/0004 ,  G11C13/0033 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C16/3454 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/82

Abstract: 一种半导体器件，具有多个存储单元、中央处理单元、计测RESET时间的定时器电路、计测SET时间的定时器电路，通过使存储单元中使用的NMOS晶体管的阈值电压比外围电路低，容易地进行复位动作。该半导体器件的特征在于：改变在RESET和SET中流过的电流的方向，通过高速驱动位线，防止错误动作。使用最小尺寸的CMOS晶体管，以核心电压(例如1.2V)使相变元件工作时，因为CMOS晶体管的偏移，所以误写入、数据破坏成为问题。根据本发明，能以最小尺寸的单元晶体管实现低电压下的稳定工作。

公开(公告)号：CN101373635A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200810166448.5

申请日：2002-07-22

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 田中利广 ,  梅本由纪子 ,  平木充 ,  品川裕 ,  藤户正道 ,  铃川一文 ,  古川博之 ,  山木贵志 ,  神垣良昭 ,  南真一 ,  片山弘造 ,  松崎望

IPC: G11C16/04

CPC classification number: G11C16/26 ,  G11C5/025 ,  G11C8/08 ,  G11C16/04 ,  G11C16/0425 ,  G11C16/0433 ,  G11C16/08 ,  G11C16/24 ,  G11C16/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7885 ,  H01L29/792

Abstract: 一种半导体器件包括多个非易失存储单元(1)，各个非易失存储单元包含用于信息储存的MOS型第一晶体管区(3)以及对第一晶体管区进行选择的MOS型第二晶体管区(4)。第二晶体管区具有连接到位线的位线电极(16)以及连接到控制栅控制线的控制栅电极(18)。第一晶体管区具有连接到源线的源线电极(10)、连接到存储器栅控制线的存储器栅电极(14)、以及设置在存储器栅电极正下方的电荷储存区(11)。第二晶体管区的栅承受电压低于第一晶体管区的栅承受电压。假设第二晶体管区的栅绝缘膜的厚度被定义为tc，且第一晶体管区的栅绝缘膜的厚度被定义为tm时，则它们具有tc＜tm的关系。

公开(公告)号：CN1977381A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200580021331.2

申请日：2005-07-04

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 松崎望 ,  寺尾元康

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/128 ,  H01L45/1675

Abstract: 在使用电阻变化材料的非易失性存储器件中，当晶态和非晶态混存时，结晶化时间变短，因而缩短了信息保存寿命。由于与电阻变化材料接触的材料的热传导率不高，所以不能快速地进行改写时的热消散，改写需要较长时间。本发明使电阻变化材料与下部电极的接触面积、和与上部电极的接触面积相同，使电流路径均匀。提供在电阻变化材料的侧壁接触配置热传导率高的材料且使其端部也与下部电极接触的结构。

公开(公告)号：CN1658328A

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN200510009302.6

申请日：2005-02-18

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 长田健一 ,  竹村理一郎 ,  高浦则克 ,  松崎望 ,  河原尊之

IPC: G11C16/02 ,  G11C13/00 ,  H01L27/10 ,  G06F13/00

CPC classification number: G11C13/0004 ,  G11C13/0033 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C16/3454 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/82

Abstract: 一种半导体器件，具有多个存储单元、中央处理单元、计测RESET时间的定时器电路、计测SET时间的定时器电路，通过使存储单元中使用的NMOS晶体管的阈值电压比外围电路低，容易地进行复位动作。该半导体器件的特征在于：改变在RESET和SET中流过的电流的方向，通过高速驱动位线，防止错误动作。使用最小尺寸的CMOS晶体管，以核心电压(例如1.2V)使相变元件工作时，因为CMOS晶体管的偏移，所以误写入、数据破坏成为问题。根据本发明，能以最小尺寸的单元晶体管实现低电压下的稳定工作。