公开(公告)号：CN101290800A

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200810091481.6

申请日：2008-04-17

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 石丸哲也 ,  岛本泰洋 ,  安井感

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/14 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/792 ,  G11C16/14 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/66833

Abstract: 本发明提供一种能够减少擦除电流的非易失性半导体存储器件。非易失性半导体存储器件的存储单元具有形成在半导体衬底上的源极区域和漏极区域。然后，在源极区域和漏极区域之间的半导体衬底上隔着栅极绝缘膜形成有选择栅电极。在选择栅电极的侧壁上隔着下部氧化硅膜和作为电荷蓄积膜的氮氧化硅膜形成有存储器栅电极。在这样构成的存储单元中，如下述那样进行擦除动作。通过对存储器栅电极施加正电压，从存储器栅电极向氮氧化硅膜注入空穴来使阈值电压从写入状态的阈值电压下降到一定电平，然后向氮氧化硅膜注入由能带间隧道效应产生的热空穴来完成擦除动作。

公开(公告)号：CN101295735A

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200810095311.5

申请日：2008-04-25

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 石丸哲也 ,  岛本泰洋 ,  峰利之 ,  青木康伸 ,  鸟羽功一 ,  安井感

IPC: H01L29/792 ,  H01L29/51 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66833

Abstract: 本发明提供一种使数据保持特性提高的非易失性半导体存储器件。在通过热载流子注入来进行写入或者擦除的存储单元中，包括作为由电荷蓄积部的氮化硅膜(SIN)、位于其上下的氧化膜(BOTOX)、(TOPOX)的层叠膜构成的ONO膜；其上部的存储器栅电极(MG)；源极区域(MS)以及漏极区域(MD)，使包含在氮化硅膜(SIN)中的N－H键和Si－H键的总密度为5×1020cm－3以下。

公开(公告)号：CN1728401A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN200510086030.X

申请日：2005-07-20

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 久本大 ,  安井感 ,  木村绅一郎 ,  石丸哲也

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L27/11568 ,  G11C16/0433 ,  H01L21/2815 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/84 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种即使缩小存储单元也具有优良读出电流驱动能力的非易失性半导体存储器件。在分裂栅极结构的非易失性半导体存储器件中，在凸型衬底上形成存储栅极，将其侧面作为沟道使用。

公开(公告)号：CN1702867A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510074348.6

申请日：2005-05-27

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 久本大 ,  安井感 ,  石丸哲也 ,  木村绅一郎 ,  冈田大介

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  G11C16/04

Abstract: 本发明涉及半导体存储器件，提供用于使非易失性半导体存储器件稳定动作的动作方式。在分离式栅极结构的非易失性半导体存储器件中，在进行热空穴注入的情况下，使用没有时间变化的交点，进行热空穴注入动作的校验。由此，可以进行擦除状态的验证而不考虑经过时间变化。此外，通过多次在栅极部分上施加脉冲电压或多级阶跃电压来进行写入或写入/擦除。

公开(公告)号：CN1655340A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN200410101482.6

申请日：2004-12-16

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 久本大 ,  安井感

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11526 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11531 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/66825

Abstract: 本发明公开了一种半导体存储器件及其制造方法，该半导体存储器件具有适合于存储单元阵列配置的低电阻栅极。在分裂栅极构造的非易失性半导体存储器件中，在借助于侧壁间隔物形成存储器栅极时，在由多晶硅形成了该存储器栅极之后，置换成镍硅化物。由此能进行低电阻化而不会对选择栅极和扩散层的硅化物化造成影响。