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公开(公告)号：CN102272895A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201080004120.9
申请日：2010-01-07
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/205 , H01L31/04
CPC classification number: H01J37/32743 , H01J37/32091
Abstract: 该等离子体处理装置包括：处理室(101)，由具有侧壁(34)的腔室(2)、电极法兰(4)、和被所述腔室(2)与所述电极法兰(4)夹着的绝缘法兰(81)形成，并具有反应室(2a)；支撑部(15)，收容于所述反应室(2a)内，载置有具有处理面(10a)的基板(10)；搬出搬入部(36)，设置于所述腔室(2)的所述侧壁(34)；RF电源(9)，与所述电极法兰(4)连接，并施加高频电压；第一阀门(55)，设置于所述搬出搬入部(36)，并开闭所述搬出搬入部(36)；以及第二阀门(56)，与所述腔室(2)电连接，并具有与所述腔室(2)的内侧面(33)位于同一平面上的面部(56a)。
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公开(公告)号：CN102272894A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201080004096.9
申请日：2010-01-06
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/505 , H01L31/04
CPC classification number: H01J37/32467 , C23C16/4585 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 该等离子体处理装置包括：基底部件(3)，具有第一基底面(33)、第二基底面(33a)、和基底台阶部(34)；绝缘板(35)，具有从所述第二基底面(33a)到载置于所述第一基底面(33)的基板(10)的上表面(10a)的高度以下的高度，并被配置在所述第二基底面(33a)上，由绝缘物质形成；簇射极板(5)，具有第一簇射面(5a)、第二簇射面(5b)、和簇射台阶部(42)；以及电极掩膜(43)，具有从所述第二簇射面(5b)到所述第一簇射面(5a)的高度以下的高度，以与所述绝缘板(35)对置的方式配置在所述第二簇射面(5b)上，由绝缘物质形成。
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公开(公告)号：CN102272893A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201080003989.1
申请日：2010-01-05
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/205 , H01L31/04
CPC classification number: H01J37/32467 , H01J37/32091
Abstract: 该等离子体处理装置包括：电极法兰(4)；腔室(2)，具有内壁面(34)；绝缘法兰(31)，配置在所述电极法兰(4)与所述腔室(2)之间；基底部件(3)，具有侧面(32)，并配置在所述腔室(2)内，且载置有基板(10)；RF电源(9)，与所述电极法兰(4)连接，并施加高频电压；以及绝缘部件(41、42)，配置在与所述内壁面(34)对置的所述基底部件(3)的所述侧面(32)以及与所述基底部件(3)的侧面(32)对置的所述内壁面(34)中的至少任意一方。
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公开(公告)号：CN102105990A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200980128616.4
申请日：2009-07-24
Applicant: 株式会社爱发科 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L31/04 , C23C16/24 , C23C16/509 , C23C16/54
CPC classification number: C23C16/545 , C23C16/24 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/3277 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种用于制造增加膜特性均匀性的薄膜太阳能电池的装置。在输送衬底（S）从一个卷筒（R1）到另一个卷筒（R2）的过程中，在所述卷筒对（R1，R2）之间沿输送方向（D）区隔开的多个膜形成隔室（23A）中形成多个半导体层的层叠体的电能生成层（12）。在每个膜形成隔室（23A）中，在所述输送方向上，朝向所述衬底（S）布置多个扁平应用电极（32）。每个扁平应用电极（32）包括提供有VHF频带内的高频电源的电源端子（36）。当所述高频电源的波长由λ表示时，将所述扁平应用电极（32）的边缘与电源端子（36）之间在正交于所述输送方向的方向上的距离设置为比λ/4短。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101786797A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200910129866.1
申请日：2009-03-30
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 提供运输方便且使用更紧凑的真空腔的处理装置。该处理装置具有真空腔，该真空腔具备：腔本体(21)，该腔本体(21)由具有形成可将基板插入的贯通孔(24)的块状多个腔部件(25)构成，在邻接的腔部件的至少一个上，沿与另一个抵接的面的贯通孔的开口部的整个周围连续设置槽(27)，各腔部件在夹着安装在槽中的密封部件(26)、分别紧靠的状态下被固定，腔本体(21)具有由多个贯通孔构成的处理空间(A)；密封处理空间的一个开口的壁面部件(22)；能开闭地塞住处理空间的另一开口的盖部件(23)，在各处理空间中具有用辐射热加热基板的加热装置(40)和分别设置在该加热装置的上下、与加热装置相对向地支持各基板(S)的一对基板支持部件(30)。
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公开(公告)号：CN102859031B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201180021220.7
申请日：2011-04-19
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C16/042 , C23C16/4586 , C23C16/54 , H01L51/5253 , H01L51/56
Abstract: 提供一种即便不将真空槽内曝露于大气也能够更换对位掩模的真空处理装置。在气体导入装置（12）的下方配置插入有基板升降销（46）、在上下方向中比基板升降销（46）还长的掩模升降销（45）的板（23），在板（23的下方配置有构成为在令与板（23）之间接近至第一距离以下时分别铅直地载置掩模升降销（45）和基板升降销（46）的销支承部件（24）。掩模升降销（45）和基板升降销（46）上设置卡止部件（47），当令板（23）和销支承部件（24）之间为比第一距离还分离的第二距离以上时，令掩模升降销（45）和基板升降销（46）在销支承部件（24）上方从销支承部件（24）离开而被板（23）悬吊。
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公开(公告)号：CN102859031A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180021220.7
申请日：2011-04-19
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C16/042 , C23C16/4586 , C23C16/54 , H01L51/5253 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种即便不将真空槽内曝露于大气也能够更换对位掩模的真空处理装置。在气体导入装置（12）的下方配置插入有基板升降销（46）、在上下方向中比基板升降销（46）还长的掩模升降销（45）的板（23），在板（23的下方配置有构成为在令与板（23）之间接近至第一距离以下时分别铅直地载置掩模升降销（45）和基板升降销（46）的销支承部件（24）。掩模升降销（45）和基板升降销（46）上设置卡止部件（47），当令板（23）和销支承部件（24）之间为比第一距离还分离的第二距离以上时，令掩模升降销（45）和基板升降销（46）在销支承部件（24）上方从销支承部件（24）离开而被板（23）悬吊。
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公开(公告)号：CN101098981B
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200680001884.6
申请日：2006-05-10
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/505 , C23C16/44 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/3277 , B08B7/00 , C23C16/4405 , C23C16/46 , C23C16/5096 , C23C16/545 , H01J37/32009
Abstract: 本发明提供一种卷绕式等离子CVD装置，能将反应气体均匀地供给到薄膜的成膜区域、实现膜质的均匀化，在薄膜的成膜过程中也能进行成膜部的自清洗。相对于薄膜的移动方向，在成膜部(25)的上游侧和下游侧配置一对可动辊(33、34)，将薄膜(22)支承在该一对可动辊(33、34)之间，使薄膜(22)在成膜位置大致直线地移动。这样，可将喷淋板(37)与薄膜(22)之间的相向距离保持为一定、实现膜质的均匀化。薄膜(22)被在其背面侧同时移动的金属带(40)加热。可动辊(33、34)能从成膜位置上升到自清洗位置，使薄膜(22)远离喷淋板(37)。用闸门(65)将罩(51)的开口部封闭，防止自清洗气体漏出，可进行成膜过程中的自清洗。
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公开(公告)号：CN101098981A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200680001884.6
申请日：2006-05-10
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/505 , C23C16/44 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/3277 , B08B7/00 , C23C16/4405 , C23C16/46 , C23C16/5096 , C23C16/545 , H01J37/32009
Abstract: 本发明提供一种卷绕式等离子CVD装置，能将反应气体均匀地供给到薄膜的成膜区域、实现膜质的均匀化，在薄膜的成膜过程中也能进行成膜部的自清洗。相对于薄膜的移动方向，在成膜部(25)的上游侧和下游侧配置一对可动辊(33、34)，将薄膜(22)支承在该一对可动辊(33、34)之间，使薄膜(22)在成膜位置大致直线地移动。这样，可将喷淋板(37)与薄膜(22)之间的相向距离保持为一定、实现膜质的均匀化。薄膜(22)被在其背面侧同时移动的金属带(40)加热。可动辊(33、34)能从成膜位置上升到自清洗位置，使薄膜(22)远离喷淋板(37)。用闸门(65)将罩(51)的开口部封闭，防止自清洗气体漏出，可进行成膜过程中的自清洗。
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