公开(公告)号：CN101098981B

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200680001884.6

申请日：2006-05-10

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 广野贵启 ,  多田勋 ,  中塚笃 ,  菊池正志 ,  小形英之 ,  川村裕明 ,  斋藤一也 ,  佐藤昌敏

IPC: C23C16/505 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/3277 ,  B08B7/00 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/46 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/545 ,  H01J37/32009

Abstract: 本发明提供一种卷绕式等离子CVD装置，能将反应气体均匀地供给到薄膜的成膜区域、实现膜质的均匀化，在薄膜的成膜过程中也能进行成膜部的自清洗。相对于薄膜的移动方向，在成膜部(25)的上游侧和下游侧配置一对可动辊(33、34)，将薄膜(22)支承在该一对可动辊(33、34)之间，使薄膜(22)在成膜位置大致直线地移动。这样，可将喷淋板(37)与薄膜(22)之间的相向距离保持为一定、实现膜质的均匀化。薄膜(22)被在其背面侧同时移动的金属带(40)加热。可动辊(33、34)能从成膜位置上升到自清洗位置，使薄膜(22)远离喷淋板(37)。用闸门(65)将罩(51)的开口部封闭，防止自清洗气体漏出，可进行成膜过程中的自清洗。

公开(公告)号：CN101098981A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200680001884.6

申请日：2006-05-10

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 广野贵启 ,  多田勋 ,  中塚笃 ,  菊池正志 ,  小形英之 ,  川村裕明 ,  斋藤一也 ,  佐藤昌敏

IPC: C23C16/505 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/3277 ,  B08B7/00 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/46 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/545 ,  H01J37/32009

Abstract: 本发明提供一种卷绕式等离子CVD装置，能将反应气体均匀地供给到薄膜的成膜区域、实现膜质的均匀化，在薄膜的成膜过程中也能进行成膜部的自清洗。相对于薄膜的移动方向，在成膜部(25)的上游侧和下游侧配置一对可动辊(33、34)，将薄膜(22)支承在该一对可动辊(33、34)之间，使薄膜(22)在成膜位置大致直线地移动。这样，可将喷淋板(37)与薄膜(22)之间的相向距离保持为一定、实现膜质的均匀化。薄膜(22)被在其背面侧同时移动的金属带(40)加热。可动辊(33、34)能从成膜位置上升到自清洗位置，使薄膜(22)远离喷淋板(37)。用闸门(65)将罩(51)的开口部封闭，防止自清洗气体漏出，可进行成膜过程中的自清洗。