公开(公告)号：CN101106288B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200710129080.0

申请日：2007-07-11

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 阿部辉宜 ,  伊藤元哉 ,  田岛文男 ,  石川芳寿

IPC: H02K1/12 ,  H02K1/02 ,  H02K15/02

CPC classification number: H02K15/024 ,  H02K1/06 ,  H02K1/16 ,  H02K1/276

Abstract: 本发明提供一种能够降低铁损的旋转电机。本发明特征为，具有定子和转子，定子具有有着齿和槽的定子铁芯、和配置于所述槽中的定子绕组，定子铁芯由层叠的钢板制作，钢板的齿和槽通过刻蚀加工形成，钢板的厚度为0.05～0.30mm。特别是这里使用的钢板优选具有结晶粒子的硅钢板。

公开(公告)号：CN1197151C

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN02119922.1

申请日：1998-12-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 近藤保夫 ,  金田润也 ,  青野泰久 ,  阿部辉宜 ,  稻垣正寿 ,  斋藤隆一 ,  小池义彦 ,  荒川英夫

IPC: H01L23/36 ,  H05K7/20

CPC classification number: H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体器件，其包括具有散热片的绝缘衬底和安装在所述绝缘衬底上的半导体元件，其中，所述散热片用由铜和铜氧化物构成的复合材料制成，其特征在于所述铜的氧化物是氧化亚铜(Cu2O)，所述氧化亚铜的含量为20-80体积%。

公开(公告)号：CN1402342A

公开(公告)日：2003-03-12

申请号：CN02119923.X

申请日：1998-12-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 近藤保夫 ,  金田润也 ,  青野泰久 ,  阿部辉宜 ,  稻垣正寿 ,  斋藤隆一 ,  小池义彦 ,  荒川英夫

IPC: H01L23/373 ,  C22C9/00 ,  C22C29/12 ,  C22C32/00 ,  C22C1/05

CPC classification number: H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种具有低的热膨胀率，高的导热率和良好的塑性加工性的复合材料，所述复合材料可应用于半导体器件以及许多其它应用场合。所述复合材料由金属和热膨胀系数比所述金属小的无机粒子构成。其特征在于所述无机粒子分散的方式使95％或者更多的粒子(以横截面上的粒子面积表示)形成具有复杂构形的连接一起的聚集体。所述复合材料含有20－80体积％的铜的氧化物，余下部分是铜。其在室温至300℃的范围内，热膨胀系数为5×10－6—14×10－6/℃，导热率为30—325W/m·k。所述复合材料适于制作半导体器件的散热片和静电吸引器的介电片。

公开(公告)号：CN1377079A

公开(公告)日：2002-10-30

申请号：CN02119922.1

申请日：1998-12-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 近藤保夫 ,  金田润也 ,  青野泰久 ,  阿部辉宜 ,  稻垣正寿 ,  斋藤隆一 ,  小池义彦 ,  荒川英夫

IPC: H01L23/36 ,  H05K7/20

CPC classification number: H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的目的是提供一种具有低的热膨胀率,高的导热率和良好的塑性加工性的复合材料,所述复合材料可应用于半导体器件以及许多其它应用场合。所述复合材料由金属和热膨胀系数比所述金属小的无机粒子构成。其特征在于所述无机粒子分散的方式使95%或者更多的粒子(以横截面上的粒子面积表示)形成具有复杂构形的连接一起的聚集体。所述复合材料含有20－80体积%的铜的氧化物,余下部分是铜。其在室温至300℃的范围内,热膨胀系数为5×10－6－14×10－6/℃,导热率为30－325W/m·k。所述复合材料适于制作半导体器件的散热片和静电吸引器的介电片。