公开(公告)号：CN1146985C

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN98102973.6

申请日：1998-06-06

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立电线株式会社

Inventor： 荻野雅彦 ,  上野巧 ,  江口州志 ,  濑川正则 ,  永井晃 ,  小角博义 ,  石井利昭 ,  安生一郎 ,  西村朝雄 ,  宫崎忠一 ,  御田护 ,  冈部则夫

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/50

CPC classification number: H01L24/50 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49572 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2924/00

Abstract: 为了缓和半导体装置与封装基板之间的热应力，在使用由具有3维网孔结构方式连续气泡的中心层1和粘接层2的三层结构构成粘接薄片的半导体装置中，作为配置在半导体芯片5与形成布线4的布线层之间的应力缓冲层，设定中心层1的厚度比率为整个应力缓冲层厚度的0.2以上，由于采用粘接薄片可简化制造工序，所以能够大量生产并提高封装可靠性。