公开(公告)号：CN116235379A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202180063261.6

申请日：2021-09-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小林英智 ,  八洼裕人 ,  池田隆之

IPC: H02H7/18

Abstract: 提供一种二次电池的保护电路、控制电路等。提供一种功耗低的电路。提供一种集成度高的电路。控制电路包括第一电阻电路、第二电阻电路、比较器及存储电路。第一电阻电路的一个端子与二次电池的正极电连接，第一电阻电路的另一个端子与比较器的第一输入端子及第二电阻电路的一个端子电连接，存储电路具有保持第一数据的功能，控制电路具有使用第一数据生成第一信号及第二信号的功能、通过将第一信号供应到第一电阻电路来调整第一电阻电路的电阻的功能、通过将第二信号供应到第二电阻电路来调整第二电阻电路的电阻的功能以及根据比较器的输出停止二次电池的充电及放电中的一个的功能，存储电路包括作为介电层使用铁电层的电容器。

公开(公告)号：CN115668757A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202180035229.7

申请日：2021-05-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 八洼裕人 ,  宫田翔希 ,  铃木阳夫 ,  池田隆之

IPC: H03D7/14

Abstract: 提供一种新颖的半导体装置。该半导体装置包括混频器电路及偏置电路。混频器电路包括电压电流转换部、电流开关部及电流电压转换部。此外，偏置电路包括偏置供应部及第一晶体管。电压电流转换部包括第二晶体管及第三晶体管。偏置供应部具有输出对第二晶体管的栅极及第三晶体管的栅极供应的偏置电压的功能。第一晶体管的源极和漏极中的一个与第二晶体管的栅极及第三晶体管的栅极电连接。当供应偏置电压时使第一晶体管处于关闭状态，当停止偏置电压的供应时使第一晶体管处于开启状态。

公开(公告)号：CN114026787A

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202080045169.2

申请日：2020-06-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 井上广树 ,  佐佐木宏辅 ,  八洼裕人 ,  高桥圭

IPC: H03K3/354

Abstract: 提供一种新颖的振荡器、放大电路、反相器电路、放大电路、电池控制电路、电池保护电路、蓄电装置、半导体装置及电气装置等。该半导体装置包括具有包含金属氧化物的第一晶体管以及第二至第五晶体管的振荡器，使第一晶体管成为开启状态而向第二晶体管的栅极及第三晶体管的栅极供应第一电位，使第一晶体管成为关闭状态而保持第一电位，振荡器向第一电路供应根据第一电位的第一信号，并且第一电路对第一信号进行整形和放大中的至少一方。第二晶体管与第四晶体管串联地连接，第三晶体管与第五晶体管串联地连接，第三晶体管的源极或漏极与第四晶体管的栅极电连接，并且第四晶体管的源极或漏极与第三晶体管的栅极电连接。

公开(公告)号：CN112888952A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN201980067176.X

申请日：2019-10-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐藤绘莉 ,  大贯达也 ,  八洼裕人 ,  国武宽司

IPC: G01R19/00 ,  H03G11/02 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786 ,  H03F3/45

Abstract: 提供一种能够测量微小电流的半导体装置。一种包括运算放大器及二极管元件的半导体装置，电流被输入的第一端子与运算放大器的反相输入端子及二极管元件的输入端子电连接，电压被输出的第二端子与运算放大器的输出端子及二极管元件的输出端子电连接。作为二极管元件，使用在沟道形成区域中包括金属氧化物的二极管连接的晶体管。因为该晶体管的关态电流极低，所以可以在第一端子和第二端子之间流过微小电流。由此，通过从第二端子输出电压，可以根据该电压估计流过到第一端子的微小电流。

公开(公告)号：CN103201831B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201180053060.4

申请日：2011-10-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 加藤清 ,  盐野入丰 ,  长塚修平 ,  八洼裕人 ,  小山润

IPC: H01L21/8242 ,  G11C11/405 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1156 ,  G11C11/403 ,  G11C16/0433 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1225 ,  H01L28/40

Abstract: 延长半导体装置或半导体存储装置中的数据保持期间。半导体装置或半导体存储器包含存储电路，该存储电路包含第一晶体管及第二晶体管，第一晶体管包含第一半导体层及第一栅极，第二晶体管包含第二半导体层、第二栅极、及第三栅极。第一半导体层与包含第二栅极的层同時形成。

公开(公告)号：CN301077638D

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200830140201.7

申请日：2008-07-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Designer： 八洼裕人

Abstract: 1.本外观设计涉及透明或半透明的绝缘膜以及天线，该天线由

公开(公告)号：CN301067168D

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200830210374.1

申请日：2008-10-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Designer： 八洼裕人 ,  古谷一马

Abstract: 立体参考图中施加了平行斜线的部分为透明。