公开(公告)号：CN1084034C

公开(公告)日：2002-05-01

申请号：CN99118067.4

申请日：1999-08-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山本敦史 ,  草野贵史 ,  奥富功 ,  关经世 ,  片冈诚

IPC: H01H1/02 ,  H01H33/66

CPC classification number: H01H1/0203

Abstract: 本发明的真空管用接点材料由导电成分、耐弧成形与Cr或Zr构成，所说的导电成分含量为50～70重量%，其主成分为Cu；所说的耐弧成分由TiC和VC二者中的至少一方构成，其平均粒径在8μm以下，其含量为30～50重量%；所说Cr含量相当于Cr和Cu总量的0.2～2.0重量%，或者，所说Zr含量相当于Zr和Cu总量的0.2～2.0重量%。材料中的氢含量规定为0.2～50ppm。

公开(公告)号：CN1118106A

公开(公告)日：1996-03-06

申请号：CN95106064.3

申请日：1995-05-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 本间三孝 ,  染井宏通 ,  相原督弘 ,  关经世 ,  山本敦史

IPC: H01H33/66 ,  H01H11/00

CPC classification number: H01H33/66 ,  H01H33/66207 ,  H01H33/66261 ,  H01H2033/66215 ,  H01H2033/66276 ,  Y10T29/49105

Abstract: 真空断流器及其制造方法，该真空断流器包括：一真空壳，有绝缘管，固定侧和活动侧突缘，绝缘管两端由金属突缘密封，真空壳中有固定和活动电极，触点与电极相连，固定和活动导电轴，导电轴一端与电极接通，另一端处于真空壳外，该方法包括：制作一固定侧分组件，制作一活动侧分组件，制作一缘管分组件，制作一组件，将焊料插入分组件之间，和触点和电极之间，使分组件叠置；对组件进行加热和抽气，并用焊料进行焊接，由此制成一真空断流器。

公开(公告)号：CN103681527A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310061142.4

申请日：2013-02-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐佐木遥 ,  平塚大祐 ,  山本敦史 ,  小谷和也 ,  久里裕二 ,  松村仁嗣

IPC: H01L23/16 ,  H01L21/50 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/76841 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/2917 ,  H01L2224/29171 ,  H01L2224/29172 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供耐热性、可靠性高并且能够以低成本制造的半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置(10)具有安装基板(11)、半导体芯片(12)、接合层(13)以及软质金属层(14b)。半导体芯片(12)通过接合层(13)以及软质金属层(14b)来与安装基板(11)接合。接合层(13)具有合金层，该合金层以（A）成分以及（B）成分为主成分来构成，所述（A）成分是选自Sn、Zn、In中的任意一种金属或者Sn、Zn、In的合金，所述（B）成分是选自Cu、Ni、Ag、Cr、Zr、Ti、V中的任意一种金属或者选自Cu、Ni、Ag、Cr、Zr、Ti、V中的任意一种金属与选自Sn、Zn、In中的任意一种金属的合金。软质金属层(14b)包含选自Cu、Al、Zn、Ag中的任意一种金属。

公开(公告)号：CN1196563C

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN02106267.6

申请日：2002-03-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 奥富功 ,  海田博 ,  山本佳克 ,  草野贵史 ,  山本敦史 ,  长部清

IPC: B23K35/30 ,  B23K31/12

Abstract: 本发明提供了一种固相线温度和液相线温度在800～900℃范围的Ag焊料。焊接用Ag焊料由1.0～10.0重量%的锡(Sn)、2.5～10重量%的铜(Cu)、其余部分为Ag所形成。这种Ag焊料的固相线温度在800℃以上，液相线温度在900℃以下。根据需要，还可含有6.0重量%以下的锰(Mn)及/或0.1～2.5%的镍(Ni)。

公开(公告)号：CN1097824C

公开(公告)日：2003-01-01

申请号：CN99100918.5

申请日：1999-01-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 奥富功 ,  山本敦史 ,  大岛严 ,  关经世 ,  本间三孝 ,  草野贵史

IPC: H01B1/02

CPC classification number: H01H1/0203 ,  Y10S428/926 ,  Y10S428/929 ,  Y10T428/12014 ,  Y10T428/1216 ,  Y10T428/12167 ,  Y10T428/12458 ,  Y10T428/12903 ,  Y10T428/12993

Abstract: 公开了一种触点材料，其中含有平均粒径为0.1～9μm且含量为30～70体积%的TiC、V和VC中至少一种物质组成的耐弧成分，相对于耐弧成分含量为0.005～0.5重量%、换算成球形的直径为0.01～5μm并以非固溶态或非化合态存在的C，以及余量Cu组成的导电成分。

公开(公告)号：CN1377753A

公开(公告)日：2002-11-06

申请号：CN02106267.6

申请日：2002-03-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 奥富功 ,  海田博 ,  山本佳克 ,  草野贵史 ,  山本敦史 ,  长部清

IPC: B23K35/24 ,  B23K31/12

Abstract: 本发明提供了一种固相线温度和液相线温度在800～900℃范围的Ag焊料。焊接用Ag焊料由1.0～10.0重量%的锡(Sn)、2.5～10重量%的铜(Cu)、其余部分为Ag所形成。这种Ag焊料的固相线温度在800℃以上,液相线温度在900℃以下。根据需要,还可含有6.0重量%以下的锰(Mn)及/或0.1～2.5%的镍(Ni)。

公开(公告)号：CN1044529C

公开(公告)日：1999-08-04

申请号：CN94100518.6

申请日：1994-01-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 关经世 ,  奥富功 ,  山本敦史

IPC: H01H1/02

CPC classification number: H01H1/0203

Abstract: 一种真空管接点材料，包括一种防弧成份，其包含选自于由钽、铌、钨和钼组成的元素族中的至少一种；和一种辅助成份，其包含选自于由铬、钛、钇、锆、钴和钒组成的元素族中的至少一种。接点材料进一步包括一种导电成份，其包含选自于由铜和银组成的族中的至少一种。防弧成份的体积量从25%至75%。防弧成份以及辅助成份的总量不超过体积的75%。其余为导电成份的量。

公开(公告)号：CN1043385C

公开(公告)日：1999-05-12

申请号：CN95106064.3

申请日：1995-05-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 本间三孝 ,  染井宏通 ,  相原督弘 ,  关经世 ,  山本敦史

IPC: H01H33/66 ,  H01H11/00

CPC classification number: H01H33/66 ,  H01H33/66207 ,  H01H33/66261 ,  H01H2033/66215 ,  H01H2033/66276 ,  Y10T29/49105

Abstract: 真空开关管及其制造方法，该真空开关管包括：一真空壳，有绝缘管，固定侧和活动侧突缘，绝缘管两端由金属突缘密封，真空壳中有固定和活动电极，触点与电极相连，固定和活动导电轴，导电轴一端与电极接通，另一端处于真空壳外，该方法包括：制作一固定侧分组件，制作一活动侧分组件，制作一缘管分组件，制作一组件，将焊料插入分组件之间，和触点和电极之间，使分组件叠置；对组件进行加热和抽气，并用焊料进行焊接，由此制成一真空开关管。

公开(公告)号：CN1024860C

公开(公告)日：1994-06-01

申请号：CN91104551.1

申请日：1991-06-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 关经世 ,  奥富功 ,  山本敦史 ,  乙部清文 ,  关口薰旦

IPC: H01H1/02 ,  H01H11/04

CPC classification number: H01H11/048 ,  H01H1/0206

Abstract: 本发明涉及一种真空断路器的触头成形材料，其特征是：其中含有重量百分比20%-60%的Cr，占Cu和Bi总重量的0.05%-1.0%的Bi元素，其余部分实质上为Cu，并形成一个触头形状，然后将所加工的材料进行真空热处理，这种真空断路器的触头不仅具有优良的耐熔焊特性，而且具有优良的耐压特性。本发明还涉及该材料的制造方法。

公开(公告)号：CN1022960C

公开(公告)日：1993-12-01

申请号：CN91111927.2

申请日：1991-11-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 奥富功 ,  山本敦史 ,  关经世 ,  大川干夫 ,  本间三孝

IPC: H01H33/66 ,  H01H1/02

CPC classification number: H01H1/0203 ,  H01H1/0233 ,  H01H33/664

Abstract: 一种用于真空断路器的触头材料包括：(a)从包括Ag，Cu及其结合的一组成分中选出的一种高导电成分，占体积的25%-70%，以及(b)占体积的75%-30%的一种耐弧成分，其中包括由Ti，Zr，Hf，V，Nb，Ta，Cr，Mo，W及其结合构成的族中选出的一种元素的碳化物。其中上述耐弧成分的平均颗粒尺寸为0.3至3微米，该耐弧成分的平均颗粒距离在0.1至1微米的范围内。构成真空断路器触头的触头材料具有改进的耐磨性，大电流遮断特性，断路特性以及低温升特性。