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公开(公告)号：CN117813676A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202280052184.9
申请日：2022-07-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C16/50 , H01L21/205 , H01L21/31 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供处理方法和等离子体处理装置。对基片进行等离子体处理的处理方法包括：在构成为可减压的处理容器内的基片支承部的载置面上载置温度调节对象体的步骤；将由液体的介质或具有流动性的固体的介质中的至少任一者构成的传热介质经由上述基片支承部供给到该基片支承部的上述载置面与上述温度调节对象体的背面之间来形成传热层的步骤；对形成了上述传热层的上述载置面上的基片进行等离子体处理的步骤；和在等离子体处理后，将上述温度调节对象体与上述载置面分隔开的步骤。
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公开(公告)号：CN109937613B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201780069695.0
申请日：2017-10-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体喷镀装置，其具有：供给部，其利用等离子体生成气体来运送喷镀材料的粉末，并从前端部的开口喷射该喷镀材料的粉末；等离子体生成部，其使用喷射出的所述等离子体生成气体来生成与所述供给部具有共同的芯轴的等离子体射流；磁场产生部，其在所述等离子体的生成空间中产生磁场；以及控制部，其控制所述磁场产生部，来控制所述生成的等离子体的偏转。
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公开(公告)号：CN112951698A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202011335819.5
申请日：2020-11-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明中公开的等离子体处理方法包括在第1期间，通过从高频电源供应高频电力而在等离子体处理装置的腔室内生成等离子体的工序。等离子体处理方法进一步包括在接续第1期间的第2期间，停止供应源自高频电源的高频电力的工序。等离子体处理方法进一步包括在接续第2期间的第3期间，将负极性的直流电压从偏置电源施加到基板支承器的工序。在第3期间，未供应高频电力。在第3期间，将负极性的直流电压设定为利用二次电子在腔室内生成离子，该二次电子通过使腔室内的离子碰撞基板而释放。
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公开(公告)号：CN105355532A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510962055.5
申请日：2012-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32697 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32366 , H01J37/32642 , H01J37/32706 , H01J37/32724 , H01J2237/327 , H01J37/32 , H01J37/32082
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置以及该基板处理装置的控制方法。上述基板处理装置，包括：内部被减压的处理室；配置在该处理室内、载置基板的载置台；施加等离子体生成用高频电压的第一高频电源；对所述载置台施加偏置电压发生用高频电压、在所述载置台产生偏置电压的第二高频电源；对所述载置台施加矩形波状的直流电压、在所述载置台产生偏置电压的直流电压施加单元；和开关机构，该开关机构配置在所述载置台与所述第二高频电源以及所述直流电压施加单元之间，能够控制所述载置台与所述第二高频电源的连接以及所述载置台与所述直流电压施加单元的连接。
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公开(公告)号：CN101826434B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201010128803.7
申请日：2010-03-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 桧森慎司
CPC classification number: H01J37/32577 , H01J37/3255 , H01J2237/03
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理装置用的电极，控制等离子体生成时所消耗的高频的电场强度分布。该等离子体处理装置用的电极为在利用高频能量生成等离子体、对晶片(W)进行等离子体处理的等离子体蚀刻装置(10)中使用的电极，该电极具有：由金属形成的基材(105a)；设置在基材(105a)的等离子体侧的面的中央部、至少一部分从基材(105a)露出的第一电介质(105b)；和设置在第一电介质(105b)和等离子体之间、由金属形成规定图案的第一电阻体(105d)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100501965C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200710140388.5
申请日：2007-08-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/00 , C23C16/458 , C23C16/513 , H01J37/32 , H05H1/24
Abstract: 本发明提供了一种等离子体处理装置用的载置台及具有该载置台的等离子体处理装置，该载置台能够降低被处理基板中央部的等离子体电场强度，由此能够提高等离子体处理的面内均匀性。等离子体处理装置(2)用的载置台(3)，包括：导电体部件，兼作等离子体生成用等的下部电极(31)；电介质层(32)，覆盖该导电体部件的上表面中央部并通过被处理基板(晶片W)使施加在等离子体的高频电场均匀化；以及静电卡盘(33)，在该电介质层(32)上层叠并埋设有静电卡盘用的电极膜(35)。在此，电极膜35满足条件δ/z≥1000(z，电极膜(35)的厚度；δ，电极膜(35)相对于从高频电源(61a)供给的高频电力的趋肤深度)。
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公开(公告)号：CN100495654C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200480003417.8
申请日：2004-02-03
Applicant: 日本奥特克株式会社 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种在被处理基板(W)上实施等离子体处理的等离子体处理装置，包括收纳被处理基板的能够减压的处理容器(10)。在处理容器内配置有第一电极(12)。为了使处理气体供给到处理容器内而配置有供给系统(62)。为了生成处理气体的等离子体而配置在处理容器内形成高频电场的电场形成系统(32)。在第一电极(12)的主面上，离散地形成有向着等离子体生成空间一侧突出的多个凸部(70)。
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公开(公告)号：CN101123201A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710140388.5
申请日：2007-08-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/00 , C23C16/458 , C23C16/513 , H01J37/32 , H05H1/24
Abstract: 本发明提供了一种等离子体处理装置用的载置台及具有该载置台的等离子体处理装置，该载置台能够降低被处理基板中央部的等离子体电场强度，由此能够提高等离子体处理的面内均匀性。等离子体处理装置(2)用的载置台(3)，包括：导电体部件，兼作等离子体生成用等的下部电极(31)；电介质层(32)，覆盖该导电体部件的上表面中央部并通过被处理基板(晶片W)使施加在等离子体的高频电场均匀化；以及静电卡盘(33)，在该电介质层(32)上层叠并埋设有静电卡盘用的电极膜(35)。在此，电极膜35满足条件δ/z≥1000(z，电极膜(35)的厚度；δ，电极膜(35)相对于从高频电源(61a)供给的高频电力的趋肤深度)。
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公开(公告)号：CN101123200A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710140387.0
申请日：2007-08-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/00 , C23C16/458 , C23C16/513 , H01J37/32 , H05H1/24
Abstract: 本发明涉及等离子体处理装置用的载置台及有该载置台的等离子体处理装置，其能提高等离子体中电场强度的面内均匀性，能对基板进行面内均匀性高的等离子体处理。等离子体处理装置(1)用的载置台(2)包括：兼作等离子体生成用等的下部电极(21)的导电体部件；电介体层(22)，以覆盖导电体部件上面中央部的方式设置，用于使通过被处理基板(晶片W)向等离子体施加的高频电场均匀；和静电卡盘，层积在电介体层(22)上，以高频能够通过其间的方式埋设有在载置台径向上互相隔离并分割为多个的电极膜。电介体层(22)的外边缘位于分割的电极膜(23b、23d)的隔离区域(23c)内边缘的正下方或更靠外侧，分割的电极膜(23b、23d)相对于高频互相绝缘。
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公开(公告)号：CN1842244A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610073360.X
申请日：2006-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , C23F4/00
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理的面内均匀性高、并且难以产生充电损坏的电容耦合型的等离子体处理装置。该电容耦合型的等离子体处理装置(100)具有：可保持真空气氛的腔室(1)；在腔室(1)内互相平行地配置的第一和第二电极(2、18)；和在第一和第二电极(2、18)之间形成高频电场、生成处理气体的等离子体的等离子体生成机构(10)，第二电极(18)中，至少与第一电极(2)相对的部分被分割成由导体构成、处于浮动状态或被接地的第一分割片(18c1)和第二分割片(18c2)，还具有向第一分割片(18c1)和第二分割片(18c2)之间施加电压的可变直流电源。
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