公开(公告)号：CN101075639A

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200710112031.6

申请日：2004-02-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 平野泉 ,  小山正人 ,  西山彰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 提供一种使用可以降低绝缘膜的泄漏电流的金属硅酸盐膜等的半导体器件及其简单制造方法。提供一种半导体器件，其特征在于包括：硅基板(10)；在硅基板(10)上形成的含有硅、氧、氮和金属的栅绝缘膜(12’)，栅绝缘膜具有与硅基板(10)连接的第一层区域、在栅绝缘膜(12’)的第一层区域相对侧的第二层区域、以及在第一层区域和第二层区域之间的第三层区域，所述第三层区域的金属的最大浓度比第一和第二层区域的金属的浓度的最小值高，第三层区域的氮的最大浓度比第一和第二层区域的氮浓度的最小值高；与第二层区域连接的栅电极；和在栅绝缘膜两侧形成的一对源/漏区。

公开(公告)号：CN1738050A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200510090348.5

申请日：2005-08-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 土屋义规 ,  西山彰

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/43 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，包括：具有隔离区域的半导体衬底；p型MIS晶体管，包括形成于所述半导体衬底中的一对源极/漏极区域，形成于所述半导体衬底上的栅极绝缘膜，和形成于所述栅极绝缘膜上的栅电极，并至少在所述栅电极/栅极绝缘膜的界面上具有第一金属层；以及n型MIS晶体管，包括形成于所述半导体衬底中的一对源极/漏极区域，形成于所述半导体衬底上的栅极绝缘膜，和形成于所述栅极绝缘膜上的栅电极，并至少在所述栅电极/栅极绝缘膜的界面上具有所述第一金属的硼化物层。

公开(公告)号：CN1505171A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN200310119783.7

申请日：2003-12-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小山正人 ,  西山彰 ,  中崎靖 ,  铃木正道 ,  上牟田雄一 ,  金子明生

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/518

Abstract: 一种半导体器件包括衬底和MISFET，MISFET包括在衬底中形成的源极－漏极区和在衬底上形成的栅电极，并且栅极绝缘膜介于它们之间。该栅极绝缘膜由包含金属－氧－氮键链的金属氮氧化合物膜形成。可选地，栅极绝缘膜由包含金属－氧－氮键链和硅－氧－氮键链中至少一种的渗氮金属硅酸盐膜形成。

公开(公告)号：CN1052817C

公开(公告)日：2000-05-24

申请号：CN95118446.6

申请日：1995-09-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉见信 ,  稻叶聪 ,  村越笃 ,  寺内卫 ,  执行直之 ,  松下嘉明 ,  青木正身 ,  滨本毅司 ,  石桥裕 ,  尾崎彻 ,  H·川口谷 ,  松泽一也 ,  有隅修 ,  西山彰

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/108 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681

Abstract: 一种半导体器件结构及制造方法，在改善MOSFET、MOSSIT和MISFET等绝缘栅晶体管的漏击穿电压时降低漏电流，改善存储单元如用这些晶体管作开关晶体管的DRAM的保持特性，改善传输门中栅氧化膜的可靠性。具体地，在SOI·IG-器件的源区或漏区内部形成窄带隙半导体如SixGe1-x、SixSn1-x、PbS。选择窄带隙半导体区在SOI膜中的位置和/或摩尔百分比，或选择杂质元素，补偿晶格失配，抑制缺陷的产生。