公开(公告)号：CN100440481C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200610088529.9

申请日：2006-06-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 八木下淳史 ,  金子明生 ,  石丸一成

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/7851

Abstract: 本发明的目的是提供一种能够形成微细电路图形的半导体元件及其制造方法。本发明的半导体元件的制造方法的特征是包括：通过蚀刻来除去形成在第2区域(20)上的掩模材料(50)的步骤；在第1凸部(10B)的相对的一组的两个侧面上形成第1栅极绝缘膜(100B)和(100C)，同时在第2凸部(10A)的上表面形成第2栅极绝缘膜(100A)的步骤；在元件分离绝缘膜(70)、掩模材料50)以及第2栅极绝缘膜(100A)上淀积第1栅电极材料(110)的步骤；以及把形成在第1区域(30)上的掩模材料(50)、和形成在第2区域(20)上元件分离绝缘膜(70)作为终止层，对第1栅电极材料(110)实施平坦化的步骤。

公开(公告)号：CN1505171A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN200310119783.7

申请日：2003-12-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小山正人 ,  西山彰 ,  中崎靖 ,  铃木正道 ,  上牟田雄一 ,  金子明生

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/518

Abstract: 一种半导体器件包括衬底和MISFET，MISFET包括在衬底中形成的源极－漏极区和在衬底上形成的栅电极，并且栅极绝缘膜介于它们之间。该栅极绝缘膜由包含金属－氧－氮键链的金属氮氧化合物膜形成。可选地，栅极绝缘膜由包含金属－氧－氮键链和硅－氧－氮键链中至少一种的渗氮金属硅酸盐膜形成。

公开(公告)号：CN1873953A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610088529.9

申请日：2006-06-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 八木下淳史 ,  金子明生 ,  石丸一成

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/7851

Abstract: 本发明的目的是提供一种能够形成微细电路图形的半导体元件及其制造方法。本发明的半导体元件的制造方法的特征是包括：通过蚀刻来除去形成在第2区域(20)上的掩模材料(50)的步骤；在第1凸部(10B)的相对的一组的两个侧面上形成第1栅极绝缘膜(100B)和(100C)，同时在第2凸部(10A)的上表面形成第2栅极绝缘膜(100A)的步骤；在元件分离绝缘膜(70)、掩模材料(50)以及第2栅极绝缘膜(100A)上淀积第1栅电极材料(110)的步骤；以及把形成在第1区域(30)上的掩模材料(50)、和形成在第2区域(20)上元件分离绝缘膜(70)作为终止层，对第1栅电极材料(110)实施平坦化的步骤。