公开(公告)号：CN1571166A

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：CN200410068426.7

申请日：2004-02-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 平野泉 ,  小山正人 ,  西山彰

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 提供一种使用可以降低绝缘膜的泄漏电流的金属硅酸盐膜等的半导体器件及其简单制造方法。提供一种半导体器件，其特征在于包括硅：硅基板(10)；在硅基板(10)上形成的含有硅、氧、氮和金属的栅绝缘膜(12′)，栅绝缘膜具有与硅基板(10)连接的第一层区域、在栅绝缘膜(12′)的第一层区域相对侧的第二层区域、以及在第一层区域和第二层区域之间的第三层区域，所述第三层区域的金属的最大浓度比第一和第二层区域的金属的浓度的最小值高，第三层区域的氮的最大浓度比第一和第二层区域的氮浓度的最小值高；与第二层区域连接的栅电极；和在栅绝缘膜两侧形成的一对源/漏区。

公开(公告)号：CN100485969C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200710112031.6

申请日：2004-02-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 平野泉 ,  小山正人 ,  西山彰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 提供一种使用可以降低绝缘膜的泄漏电流的金属硅酸盐膜等的半导体器件及其简单制造方法。提供一种半导体器件，其特征在于包括：硅基板(10)；在硅基板(10)上形成的含有硅、氧、氮和金属的栅绝缘膜(12’)，栅绝缘膜具有与硅基板(10)连接的第一层区域、在栅绝缘膜(12’)的第一层区域相对侧的第二层区域、以及在第一层区域和第二层区域之间的第三层区域，所述第三层区域的金属的最大浓度比第一和第二层区域的金属的浓度的最小值高，第三层区域的氮的最大浓度比第一和第二层区域的氮浓度的最小值高；与第二层区域连接的栅电极；和在栅绝缘膜两侧形成的一对源/漏区。

公开(公告)号：CN100356581C

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200410068426.7

申请日：2004-02-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 平野泉 ,  小山正人 ,  西山彰

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 提供一种使用可以降低绝缘膜的泄漏电流的金属硅酸盐膜等的半导体器件及其简单制造方法。提供一种半导体器件，其特征在于包括：硅基板(10)；在硅基板(10)上形成的含有硅、氧、氮和金属的栅绝缘膜(12’)，栅绝缘膜具有与硅基板(10)连接的第一层区域、在栅绝缘膜(12’)的第一层区域相对侧的第二层区域、以及在第一层区域和第二层区域之间的第三层区域，所述第三层区域的金属的最大浓度比第一和第二层区域的金属的浓度的最小值高，第三层区域的氮的最大浓度比第一和第二层区域的氮浓度的最小值高；与第二层区域连接的栅电极；和在栅绝缘膜两侧形成的一对源/漏区。

公开(公告)号：CN101075639A

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200710112031.6

申请日：2004-02-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 平野泉 ,  小山正人 ,  西山彰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 提供一种使用可以降低绝缘膜的泄漏电流的金属硅酸盐膜等的半导体器件及其简单制造方法。提供一种半导体器件，其特征在于包括：硅基板(10)；在硅基板(10)上形成的含有硅、氧、氮和金属的栅绝缘膜(12’)，栅绝缘膜具有与硅基板(10)连接的第一层区域、在栅绝缘膜(12’)的第一层区域相对侧的第二层区域、以及在第一层区域和第二层区域之间的第三层区域，所述第三层区域的金属的最大浓度比第一和第二层区域的金属的浓度的最小值高，第三层区域的氮的最大浓度比第一和第二层区域的氮浓度的最小值高；与第二层区域连接的栅电极；和在栅绝缘膜两侧形成的一对源/漏区。