公开(公告)号：CN1684227A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN200510071800.3

申请日：2005-04-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤信一 ,  盐原英志

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/66 ,  G01N15/00

CPC classification number: G01N15/02 ,  G01N2015/0053 ,  Y10T436/25 ,  Y10T436/2575

Abstract: 本发明提供的一种药液的评估方法，包括：通过测量方式求出关于液体中的粒子的与每种上述粒子的大小相对应的粒子数量；基于用上述测量方式求出的与每种上述粒子的大小相对应的粒子数量，用函数表现上述液体中的粒子的大小和与上述大小对应的粒子数量之间的关系；以及基于上述函数来评估在上述液体中的粒子中其大小在测量限度以下的粒子的影响。

公开(公告)号：CN1619770A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200410091568.5

申请日：2004-11-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 近藤丈博 ,  盐原英志 ,  竹石知之 ,  千叶谦治 ,  伊藤信一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/40 ,  G03F7/405

Abstract: 本发明涉及图形形成方法和半导体器件的制造方法。本发明的目的在于实现用来形成今后所需要的微细的抗蚀剂图形的图形形成方法。本图形形成方法，具有：在衬底上形成第1抗蚀剂图形的工序(步骤S2)；向第1抗蚀剂图形上照射光的工序(步骤S3)；在第1抗蚀剂图形与抗蚀剂膜之间的界面上形成交联层，形成包括该交联层和第1抗蚀剂图形的第2抗蚀剂图形的工序(步骤S4)，在步骤S3中，根据在步骤S11－S113中预先求得的收缩量和照射量之间的对应关系，将要向第1抗蚀剂图形上照射的光的量设定为使得第2抗蚀剂图形的尺寸变成为规定的尺寸。

公开(公告)号：CN100573326C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200410042367.6

申请日：2004-05-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 盐原英志 ,  早崎圭 ,  藤泽忠仁 ,  伊藤信一

IPC: G03F7/039 ,  H01L21/027 ,  H01L21/47

CPC classification number: G03F7/70608

Abstract: 提供高精度的光刻胶灵敏度的评价方法。包括：在检查对象光刻胶膜上借助于曝光装置用检查曝光量使曝光量监控标记曝光的步骤，根据已复制到检查对象光刻胶膜上的曝光量监控标记的检查复制像测定要变动的检查特征量的步骤，根据检查特征量用灵敏度校正数据计算检查对象光刻胶膜的检查光刻胶灵敏度的步骤。

公开(公告)号：CN100355024C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200410092193.4

申请日：2004-09-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 盐原英志

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70341 ,  G03F7/11

Abstract: 本发明提供的一种方式的抗蚀剂图形的形成方法，是一种使用在抗蚀剂膜和物镜之间充满液体的状态下进行曝光的液浸型曝光装置形成抗蚀剂图形的方法，其包括如下步骤：在被处理基板上形成被加工膜；在形成了所述被加工膜的被处理基板上形成抗蚀剂膜；在所述抗蚀剂膜上形成对于所述液体不溶的抗蚀剂保护膜；以及在形成所述抗蚀剂保护膜之后对所述抗蚀剂膜进行曝光。

公开(公告)号：CN101005015A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200710004308.3

申请日：2007-01-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 盐原英志 ,  松永健太郎 ,  河村大辅 ,  竹石知之 ,  早崎圭 ,  伊藤信一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/67 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70341 ,  Y10S430/162

Abstract: 一种基板处理方法，包括：在供于使液体介于要实施曝光处理的被处理基板与进行上述曝光处理的曝光装置的投影光学系统之间并且进行上述曝光处理的液浸曝光的上述被处理基板的要实施上述曝光处理的一侧的第1主面上设置抗蚀剂膜之前，至少对与上述第1主面相反侧的第2主面之中从周边部分开始的规定范围内的区域选择地实施疏水化处理。

公开(公告)号：CN1311522C

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200410091568.5

申请日：2004-11-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 近藤丈博 ,  盐原英志 ,  竹石知之 ,  千叶谦治 ,  伊藤信一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/40 ,  G03F7/405

Abstract: 本发明涉及图形形成方法和半导体器件的制造方法。本发明的目的在于实现用来形成今后所需要的微细的抗蚀剂图形的图形形成方法。本图形形成方法，具有：在衬底上形成第1抗蚀剂图形的工序(步骤S2)；向第1抗蚀剂图形上照射光的工序(步骤S3)；在第1抗蚀剂图形与抗蚀剂膜之间的界面上形成交联层，形成包括该交联层和第1抗蚀剂图形的第2抗蚀剂图形的工序(步骤S4)，在步骤S3中，根据在步骤S11-S13中预先求得的收缩量和照射量之间的对应关系，将要向第1抗蚀剂图形上照射的光的量设定为使得第2抗蚀剂图形的尺寸变成为规定的尺寸。

公开(公告)号：CN1497662A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN200310100255.7

申请日：2003-10-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 川野健二 ,  伊藤信一 ,  盐原英志

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67115 ,  G03F7/0042 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/38 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明的课题是抑制PEB处理中的酸对于抗蚀剂膜的再次附着。包含：在衬底上形成化学放大型抗蚀剂膜的工序；对上述化学放大型抗蚀剂膜照射能量线以形成潜像的工序；以及对上述化学放大型抗蚀剂膜进行加热处理的工序，一边使加热上述化学放大型抗蚀剂膜的加热部和上述衬底相对地移动，一边在上述加热部下表面与上述化学放大型抗蚀剂膜之间形成相对于上述加热部的相对的移动方向在反方向上流动的气流来进行上述加热处理。

公开(公告)号：CN1319882A

公开(公告)日：2001-10-31

申请号：CN01111758.3

申请日：2001-03-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐藤康彦 ,  盐原英志 ,  佐藤基之 ,  大西廉伸 ,  富田宽 ,  大岩德久 ,  大内淳子 ,  林久贵

IPC: H01L21/30

CPC classification number: H01L21/31144 ,  G03F7/085 ,  G03F7/09 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/32139

Abstract: 图案形成方法,它包括:在基片上形成碳原子含量≥80%(重量)的膜或气相淀积膜即下层膜的步骤;在下层膜的表面上施行密合性促进处理的步骤或在下层膜上形成密合性促进膜的步骤;在下层膜的表面上形成中间膜的步骤;在中间膜上形成抗蚀剂膜的步骤;对抗蚀剂膜进行图案曝光形成抗蚀剂图案的步骤;将抗蚀剂图案复制到中间膜上形成中间膜图案的步骤;将此中间膜图案复制到上述下层膜上而形成下层膜图案的步骤。