公开(公告)号：CN1311522C

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200410091568.5

申请日：2004-11-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 近藤丈博 ,  盐原英志 ,  竹石知之 ,  千叶谦治 ,  伊藤信一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/40 ,  G03F7/405

Abstract: 本发明涉及图形形成方法和半导体器件的制造方法。本发明的目的在于实现用来形成今后所需要的微细的抗蚀剂图形的图形形成方法。本图形形成方法，具有：在衬底上形成第1抗蚀剂图形的工序(步骤S2)；向第1抗蚀剂图形上照射光的工序(步骤S3)；在第1抗蚀剂图形与抗蚀剂膜之间的界面上形成交联层，形成包括该交联层和第1抗蚀剂图形的第2抗蚀剂图形的工序(步骤S4)，在步骤S3中，根据在步骤S11-S13中预先求得的收缩量和照射量之间的对应关系，将要向第1抗蚀剂图形上照射的光的量设定为使得第2抗蚀剂图形的尺寸变成为规定的尺寸。

公开(公告)号：CN1924702A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200610142247.2

申请日：2004-11-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 近藤丈博 ,  盐原英志 ,  竹石知之 ,  千叶谦治 ,  伊藤信一

IPC: G03F7/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/40 ,  G03F7/405

Abstract: 本发明涉及图形形成方法和半导体器件的制造方法。本发明的目的在于实现用来形成今后所需要的微细的抗蚀剂图形的图形形成方法。本图形形成方法，具有：在衬底上形成第1抗蚀剂图形的工序(步骤S2)；向第1抗蚀剂图形上照射光的工序(步骤S3)；在第1抗蚀剂图形与抗蚀剂膜之间的界面上形成交联层，形成包括该交联层和第1抗蚀剂图形的第2抗蚀剂图形的工序(步骤S4)，在步骤S3中，根据在步骤S11－S13中预先求得的收缩量和照射量之间的对应关系，将要向第1抗蚀剂图形上照射的光的量设定为使得第2抗蚀剂图形的尺寸变成为规定的尺寸。

公开(公告)号：CN1619770A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200410091568.5

申请日：2004-11-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 近藤丈博 ,  盐原英志 ,  竹石知之 ,  千叶谦治 ,  伊藤信一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/40 ,  G03F7/405

Abstract: 本发明涉及图形形成方法和半导体器件的制造方法。本发明的目的在于实现用来形成今后所需要的微细的抗蚀剂图形的图形形成方法。本图形形成方法，具有：在衬底上形成第1抗蚀剂图形的工序(步骤S2)；向第1抗蚀剂图形上照射光的工序(步骤S3)；在第1抗蚀剂图形与抗蚀剂膜之间的界面上形成交联层，形成包括该交联层和第1抗蚀剂图形的第2抗蚀剂图形的工序(步骤S4)，在步骤S3中，根据在步骤S11－S113中预先求得的收缩量和照射量之间的对应关系，将要向第1抗蚀剂图形上照射的光的量设定为使得第2抗蚀剂图形的尺寸变成为规定的尺寸。