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公开(公告)号：CN101140952B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200710149786.3
申请日：2007-09-05
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/66984 , B82Y25/00 , H01F10/1936 , H01F10/3254 , H01F10/3272
Abstract: 一种自旋MOSFET，包括：半导体衬底；第一磁性膜，该第一磁性膜形成在该半导体衬底上且包括第一铁磁层，该第一铁磁层的磁化方向固定；第二磁性膜，该第二磁性膜形成在该半导体衬底上并与该第一磁性膜间隔开，并且包括磁化自由层、第一非磁性层以及磁化固定层，其中该第一非磁性层是隧道绝缘体且设置在该磁化自由层上，该磁化固定层设置在该第一非磁性层上，该磁化自由层的磁化方向可变而该磁化固定层的磁化方向固定；栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜至少设置在该第一磁性膜和该第二磁性膜之间的半导体衬底上；以及形成在该栅极绝缘膜上的栅电极。
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公开(公告)号：CN101483428A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200910002015.0
申请日：2009-01-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H03K19/0944 , G11C11/16
CPC classification number: H03K19/1733 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C11/1697
Abstract: 可以提供一个可重新配置逻辑电路，可以采用该可重新配置逻辑电路实现高集成度。可重新配置逻辑电路包括：包括多个自旋MOSFET和选择部分的多路复用器，每个所述自旋MOSFET具有包含磁材料的源极和漏极，并且所述选择部分包括多个MOSFET，并且基于从控制线传输的控制数据，从多个自旋MOSFET中选择一个自旋MOSFET；确定电路，其确定由选择部分选择的所选择的自旋MOSFET的源极和漏极的磁材料的磁化处于第一状态还是第二状态；以及第一和第二写电路，其通过提供在所选择的自旋MOSFET的源极和漏极之间流动的写电流，分别将所选择的自旋MOSFET的源极和漏极的磁材料的磁化置于第二和第一状态。
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公开(公告)号：CN100454599C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200610071020.3
申请日：2006-03-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L43/08 , H01L27/115 , H01L29/66 , G11C11/00
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/16 , H01L27/115 , H01L29/66984 , H01L29/7881
Abstract: 提供一种自旋注入场效应晶体管、磁随机存取存储器和可重构逻辑电路。该自旋注入场效应晶体管包括：磁化方向被固定的第1铁磁性体；磁化方向被自旋注入电流改变的第2铁磁性体；位于上述第1铁磁性体和第2铁磁性体之间的沟道；在上述沟道上隔着栅绝缘层形成的栅电极；控制自旋注入电流的取向以确定上述第二铁磁性体的磁化方向的第1驱动器/汇流器，上述自旋注入电流流过上述沟道；流过辅助电流的导电线，该辅助电流在上述第2铁磁性体的易磁化轴方向上产生磁场；以及控制流过上述导电线的辅助电流的取向的第2驱动器/汇流器。
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公开(公告)号：CN102651234B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201210043857.2
申请日：2012-02-24
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C15/02 , G11C11/161 , G11C15/046 , H01L27/228
Abstract: 本发明涉及内容可寻址存储器。一个实施例提供一种内容可寻址存储器，包括：自旋MOSFET对，所述自旋MOSFET对包括：第一自旋MOSFET，第一自旋MOSFET的磁化状态根据存储数据而设置；和第二自旋MOSFET，第二自旋MOSFET的磁化状态根据存储数据而设置，第二自旋MOSFET与第一自旋MOSFET并联连接；第一布线，第一布线被构造为施加栅电压，以使得第一自旋MOSFET和第二自旋MOSFET中的任何一个根据搜索数据变为导电；和第二布线，第二布线被构造为将电流施加于第一自旋MOSFET和第二自旋MOSFET这二者。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101546600B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200910129709.0
申请日：2009-03-24
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C14/0081 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/02 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , H03K19/0944 , H03K19/18
Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路，其特征在于，具备：N沟道型自旋FET(SN1)，在其源端以及漏端间具有取高电阻状态和低电阻状态之一的磁隧道结或半导体-磁性体结，在栅端输入输入信号，在源端施加第一电源电位，漏端与输出端相连接；P沟道型FET(P1)，在其栅端输入时钟信号，在源端施加比上述第一电源电位高的第二电源电位，漏端与上述输出端相连接；后级电路(12)，其输入端与上述输出端相连接；以及控制电路(11)，在使上述P沟道型FET(P1)导通而开始了上述输出端的充电之后，使上述P沟道型FET(P1)截止从而结束上述充电，并将上述输入信号提供给上述N沟道型自旋FET(SN1)的栅端。
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公开(公告)号：CN102651234A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210043857.2
申请日：2012-02-24
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C15/02 , G11C11/161 , G11C15/046 , H01L27/228
Abstract: 本发明涉及内容可寻址存储器。一个实施例提供一种内容可寻址存储器，包括：自旋MOSFET对，所述自旋MOSFET对包括：第一自旋MOSFET，第一自旋MOSFET的磁化状态根据存储数据而设置；和第二自旋MOSFET，第二自旋MOSFET的磁化状态根据存储数据而设置，第二自旋MOSFET与第一自旋MOSFET并联连接；第一布线，第一布线被构造为施加栅电压，以使得第一自旋MOSFET和第二自旋MOSFET中的任何一个根据搜索数据变为导电；和第二布线，第二布线被构造为将电流施加于第一自旋MOSFET和第二自旋MOSFET这二者。
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公开(公告)号：CN101140944B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200710153622.8
申请日：2007-09-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/22 , H01L29/66 , H01L29/772 , G11C11/15 , G11C11/16
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L27/228 , H01L29/66984
Abstract: 一种自旋存储器，包括：磁阻元件(17)，其具有磁化方向被固定的第一铁磁层、磁化方向变化的第二铁磁层、以及在第一铁磁层和第二铁磁层之间的第一非磁性层；下电极(16)和上电极(18)，其延展方向相对第二铁磁层的难磁化轴的夹角在45度到90度之间，并且两者在长度方向上的一个端部之间夹着磁阻元件；被连接到下电极在长度方向上的另一个端部的开关元件(14)；以及被连接到上电极在长度方向上的另一个端部的位线(20)，其中，通过将自旋极化电子供给到第二铁磁层并将磁场从下电极和上电极施加到第二铁磁层上来进行写入。
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公开(公告)号：CN101378072A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200810213097.9
申请日：2008-08-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/66984 , B82Y25/00 , H01F10/3268 , H01L43/08
Abstract: 本发明的一个方面的自旋FET包括源/漏区域(13，14)，源/漏区域(13，14)之间的沟道区域，和沟道区域之上的栅电极(16)。源/漏区域(13，14)中的每一个包括由低逸出功材料(13)和铁磁物质(14)组成的堆结构。低逸出功材料(13)是由非氧化Mg，K，Ca，Sc中的一种组成的非氧化物或包含50at％或更多的所述非氧化物的合金。
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公开(公告)号：CN100452233C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200610002435.5
申请日：2006-01-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00 , G11C11/16 , H01L43/08
Abstract: 根据本发明的一种自旋注入磁随机存取存储器，包括磁电阻元件，该磁电阻元件具有其磁化方向固定的磁性固定层、其磁化方向可以通过注入自旋极化电子改变的磁性记录层、和提供在磁性固定层和磁性记录层之间的隧道势垒层；位线，该位线使自旋注入电流通过磁电阻元件，自旋注入电流用于产生自旋极化的电子；写入字线，辅助电流通过该写入字线，辅助电流用于沿着磁电阻元件的易磁化轴方向产生辅助磁场；以及驱动器/接收器，该驱动器/接收器确定自旋注入电流的方向和辅助电流的方向。
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