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公开(公告)号：CN104037281A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410079574.2
申请日：2014-03-06
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/504 , H01L25/0756 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/60 , H01L33/642 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本公开涉及半导体发光元件及其制造方法。根据一实施例，半导体发光元件包括光反射层、第一至第四半导体层、第一和第二发光层、以及第一光传输层。第二半导体层设置在第一半导体层和光反射层之间。第一发光层设置在第一和第二半导体层之间。第一光传输层设置在第二半导体层和光反射层之间。第三半导体层设置在第一光传输层和光反射层之间。第四半导体层设置在第三半导体层和光反射层之间。第二发光层设置在第三和第四半导体层之间。光反射层电连接到从第三和第四半导体层中选择的一个。
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公开(公告)号：CN102194953A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010274410.7
申请日：2010-09-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/38
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括层叠的结构体、第一电极和第二电极。所述层叠的结构体包括第一导电类型的第一半导体层、第二导电类型的第二半导体层、以及发光部。所述层叠的结构体具有位于所述第二半导体层侧的第一主表面。所述第一电极被设置在所述第一半导体上。所述第二电极被设置在所述第二半导体层上。所述第一电极包括第一衬垫部和从所述第一衬垫部沿第一延伸方向延伸的第一延伸部。所述第一延伸部包括第一宽度增大部。所述第一宽度增大部的沿与所述第一延伸方向正交的方向的宽度从所述第一衬垫部朝向所述第一延伸部的端部增大。
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公开(公告)号：CN102157648A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201010275566.7
申请日：2010-09-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/12 , B82Y20/00 , H01L33/04 , H01L33/32 , H01S5/34333
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括：n型和p型半导体层、发光部、多层结构体以及n侧中间层。所述发光部被设置在所述半导体层之间。所述发光部包括包含GaN的势垒层以及被设置在所述势垒层之间的阱层。所述阱层包含Inx1Ga1-x1N。所述体被设置在所述n型半导体层与所述发光部之间。所述体包括：包含GaN的第一层以及被设置在所述第一层之间的第二层。所述第二层包含Inx2Ga1-x2N。第二In组成比x2不小于第一In组成比x1的0.6倍且低于所述第一In组成比x1。所述中间层被设置在所述体与所述发光部之间并包括包含Aly1Ga1-y1N(0＜y≤0.01)的第三层。
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公开(公告)号：CN108933548B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201810160328.8
申请日：2018-02-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L35/34
Abstract: 提供一种能够提高效率的发电元件、发电模块、发电装置以及发电系统。根据实施方式，发电元件包括第一导电层、第二导电层、第一部件以及第二部件。所述第一部件设置于所述第一导电层与所述第二导电层之间。所述第一部件包含具有纤锌矿构造的第一结晶。所述第二部件设置于所述第一部件与所述第二导电层之间。所述第二部件与所述第一部件相离。所述第一结晶的 方向具有从所述第一部件向所述第二部件的分量。
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公开(公告)号：CN110491938A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910158431.3
申请日：2019-03-04
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/778 , H01L23/373
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。根据实施方式，半导体装置包含第一～第三区域和第一～第三电极。第一区域包含SiC，包含第一、第二部分区域、和第一、第二部分区域之间的第三部分区域。从第一部分区域向第一电极的方向、从第二部分区域向第二电极的方向、从第三部分区域向第三电极的方向沿第一方向。从第一电极向第二电极的第二方向与第一方向交叉。在第二方向，第三电极位于第一、第二电极之间。第二区域包含Alx2Ga1-x2N(0.2≤x2
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102668138B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN200980163090.3
申请日：2009-12-21
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L33/32 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/06
Abstract: 本发明提供能够得到充分的光输出的氮化物半导体发光元件及其制造方法。具备：具有n型氮化物半导体的第1包覆层（13）；形成于第1包覆层（13）上的、具有包括In的氮化物半导体的有源层（14）；形成于有源层（14）上的GaN层（17）；形成于GaN层（17）上的、具有第一Al组成比（x1）的第一AlGaN层（18）；形成于第一AlGaN层（18）上的、具有比第一Al组成比（x1）高的第二Al组成比（x2）且含有比GaN层（17）及第一AlGaN层（18）多的Mg的p型第二AlGaN层（19）；以及形成于第二AlGaN层（19）上的、具有p型氮化物半导体的第2包覆层（20）。
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公开(公告)号：CN104465908A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410411993.1
申请日：2014-08-20
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/025 , H01L29/15 , H01L29/2003 , H01L29/7783 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L33/382
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，半导体发光器件包括第一和第二半导体层和发光单元。所述发光单元被提供在所述第一和第二半导体层之间，并且包括阱层和垒层。所述垒层包括p侧和n侧垒层以及第一中间垒层。所述n侧垒层被提供在所述p侧垒层和所述第一半导体层之间。所述第一中间垒层被提供在所述垒层之间。所述阱层包括p侧和n侧阱层以及第一中间阱层。所述p侧阱层被提供在所述p侧垒层和所述第二半导体层之间。所述n侧阱层被提供在所述n侧垒层和所述第一中间垒层之间。所述第一中间阱层被提供在所述第一中间垒层和所述p侧垒层之间。
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公开(公告)号：CN104037286A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410080036.5
申请日：2014-03-06
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0075 , H01L33/08 , H01L33/32 , H01L33/382
Abstract: 根据一个实施方式，半导体发光元件包括n型的第一半导体层、p型的第二半导体层和发光单元。第一半导体层包括氮化物半导体。第二半导体层包括氮化物半导体。发光单元被设置在第一半导体层和第二半导体层之间。发光单元包括多个阱层和多个势垒层，所述多个阱层与所述多个势垒层交替堆叠。阱层包括最接近第二半导体层的第一p侧阱层、以及第二最接近第二半导体层的第二p侧阱层。第一p侧阱层的激子的定域能小于第二p侧阱层的激子的定域能。
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公开(公告)号：CN103943743A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410190978.9
申请日：2010-09-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01S5/3216 , H01S5/34333
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括包含氮化物半导体的n型半导体层、包含氮化物半导体的p型半导体层、发光部以及层叠体。所述发光部被设置在所述n型半导体层与所述p型半导体层之间并包括势垒层和阱层。所述阱层与所述势垒层层叠。所述层叠体被设置在所述发光部与所述n型半导体层之间并包括第一层和第二层。所述第二层与所述第一层层叠。所述层叠体的平均In组成比高于所述发光部的平均In组成比的0.4倍。所述势垒层的层厚度tb为10nm或更小。
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公开(公告)号：CN102157648B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201010275566.7
申请日：2010-09-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/12 , B82Y20/00 , H01L33/04 , H01L33/32 , H01S5/34333
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括：n型和p型半导体层、发光部、多层结构体以及n侧中间层。所述发光部被设置在所述半导体层之间。所述发光部包括包含GaN的势垒层以及被设置在所述势垒层之间的阱层。所述阱层包含Inx1Ga1-x1N。所述体被设置在所述n型半导体层与所述发光部之间。所述体包括：包含GaN的第一层以及被设置在所述第一层之间的第二层。所述第二层包含Inx2Ga1-x2N。第二In组成比x2不小于第一In组成比x1的0.6倍且低于所述第一In组成比x1。所述中间层被设置在所述体与所述发光部之间并包括包含Aly1Ga1-y1N(0＜y≤0.01)的第三层。
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