公开(公告)号：CN1585136A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN200410069018.3

申请日：2004-07-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐佐木俊行 ,  成田雅贵

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/823437

Abstract: 一种半导体器件包括：栅介质膜，形成于半导体衬底上；栅极，包括：第一电极层，形成于栅介质膜上，介质膜，厚度为5或更大且为100或更小，并形成于第一电极层上，以及第二电极层，形成于介质膜上；以及源和漏区，形成于栅极两侧的半导体衬底中。

公开(公告)号：CN1163949C

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN97114078.2

申请日：1997-07-04

Applicant: 国际商业机器公司 ,  株式会社东芝 ,  西门子公司

Inventor： 穆尼·D·纳姆 ,  斯图阿特·M·博恩 ,  罗瑟迈瑞·克里思蒂 ,  维林德·格里瓦尔 ,  瓦尔特·W·克科 ,  成田雅贵 ,  布鲁诺·思普乐 ,  杨治华

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32136 ,  C23F4/00

Abstract: 向衬底上下方的电极馈送功率而产生变压器耦合等离子体，用Cl2和HCl作反应物，在低功率和低压下获得金属化层的RIE。对Ti/TiN制成的势垒层间的体铝或铝合金的三层金属化进行刻蚀，刻蚀势垒层时使用低Cl2量，刻蚀体铝或铝合金层时使用高Cl2量，控制刻蚀剂以及惰性气体的比率使金属化层中沟槽的侧壁上，淀积极薄侧壁层(10-100埃)。改善了刻蚀的各向同性，致使形成带有无缺陷的侧壁的亚微米金属化线。可将氢加入等离子体从而减少侵蚀。

公开(公告)号：CN1135606C

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN00106884.9

申请日：2000-03-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 杉浦弘 ,  成田雅贵

IPC: H01L21/3065 ,  C23F1/12 ,  C23F4/00

CPC classification number: C23F4/00 ,  H01L21/32136

Abstract: 公开了一种干式腐蚀方法，用于在以铝作为主要成分的金属膜与至少包含钛和氮化钛的其中之一的薄膜的叠层膜的构图。该干式腐蚀方法采用具有不加工金属膜的气体组成的第一腐蚀气体(CF4气体、Ar气体和Cl气体的混合气体)干式腐蚀薄膜。然后，采用具有与第一腐蚀气体不同的气体组成的第二腐蚀气体(Cl气体和BCl3气体的混合气体)干式腐蚀金属膜。

公开(公告)号：CN1379438A

公开(公告)日：2002-11-13

申请号：CN02108711.3

申请日：2002-03-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 成田雅贵 ,  奥村胜弥 ,  大岩德久

IPC: H01L21/00 ,  C23F3/00

CPC classification number: H01L21/67271 ,  H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 用于制造一个半导体器件的一个方法,包括准备多个批次,每一个批次包括需要被进行处理的半导体衬底,多个批次包括至少第一和第二批次,使用一个半导体制造装置来处理多个批次中的每一个批次,在对第二个批次进行处理以前,判断是否需要对半导体制造装置进行清洗,这取决于需要被处理的第一批次的第一处理类型和在第一批次后需要被处理的第二批次的第二处理类型,和在第二批次不需要进行清洗的情形下不进行清洗来对第二批次进行处理。