公开(公告)号：CN1174898A

公开(公告)日：1998-03-04

申请号：CN97114078.2

申请日：1997-07-04

Applicant: 国际商业机器公司 ,  株式会社东芝 ,  西门子公司

Inventor： 穆尼·D·纳姆 ,  斯图阿特·M·博恩 ,  罗瑟迈瑞·克里思蒂 ,  维林德·格里瓦尔 ,  瓦尔特·W·克科 ,  成田雅贵 ,  布鲁诺·思普乐 ,  杨治华

IPC: C23F1/20

CPC classification number: H01L21/32136 ,  C23F4/00

Abstract: 向衬底上下方的电极馈送功率而产生变压器耦合等离子体,用Cl2和HCl作反应物,在低功率和低压下获得金属化层的RIE。对Ti/TiN制成的势垒层间的体铝或铝合金的三层金属化进行刻蚀,刻蚀势垒层时使用低Cl2量,刻蚀体铝或铝合金层时使用高Cl2量,控制刻蚀剂以及惰性气体的比率使金属化层中沟槽的侧壁上,淀积极薄侧壁层(10—100埃)。改善了刻蚀的各向同性,致使形成带有无缺陷的侧壁的亚微米金属化线。可将氢加入等离子体从而减少侵蚀。

公开(公告)号：CN1163949C

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN97114078.2

申请日：1997-07-04

Applicant: 国际商业机器公司 ,  株式会社东芝 ,  西门子公司

Inventor： 穆尼·D·纳姆 ,  斯图阿特·M·博恩 ,  罗瑟迈瑞·克里思蒂 ,  维林德·格里瓦尔 ,  瓦尔特·W·克科 ,  成田雅贵 ,  布鲁诺·思普乐 ,  杨治华

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32136 ,  C23F4/00

Abstract: 向衬底上下方的电极馈送功率而产生变压器耦合等离子体，用Cl2和HCl作反应物，在低功率和低压下获得金属化层的RIE。对Ti/TiN制成的势垒层间的体铝或铝合金的三层金属化进行刻蚀，刻蚀势垒层时使用低Cl2量，刻蚀体铝或铝合金层时使用高Cl2量，控制刻蚀剂以及惰性气体的比率使金属化层中沟槽的侧壁上，淀积极薄侧壁层(10-100埃)。改善了刻蚀的各向同性，致使形成带有无缺陷的侧壁的亚微米金属化线。可将氢加入等离子体从而减少侵蚀。