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公开(公告)号：CN1953061A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610137368.8
申请日：2006-10-20
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C23C8/02 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , C23C8/34 , C23C28/321 , C23C28/322 , C23C28/34 , C23C28/345 , C23C28/3455 , C23C28/42 , G11B5/3163 , G11B5/3932 , G11B2005/3996 , H01F10/3259 , H01F10/3268 , H01F41/305
Abstract: 一种磁阻效应元件的制造方法，该磁阻效应元件包括：磁化方向实质上被固定在一个方向的磁化固定层；磁化方向相对外部磁场发生变化的磁化自由层；间隔层，该间隔层包含设在所述磁化固定层和所述磁化自由层之间的绝缘层和贯通所述绝缘层的电流通道，其特征在于，在形成所述间隔层时，使形成所述电流通道的第1非磁性金属层成膜，将变换为所述绝缘层的第2金属层在所述第1非磁性金属层上成膜，第1氧化工序的氧化气体分压小于等于第2氧化工序的氧化气体分压的1/10，依次进行2个阶段的氧化工序，在所述第1氧化工序中对所述第2金属层照射稀有气体的离子束或RF等离子。采用本方法，可以制造具有合适的面积电阻RA和高的MR变化率的磁阻效应元件。
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公开(公告)号：CN1167310A
公开(公告)日：1997-12-10
申请号：CN97110841.2
申请日：1997-04-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3268 , H01L43/08
Abstract: 一种磁阻效应器件，具备具有金属缓冲层上形成的第1磁性层、上述第1磁性层上形成的非磁性中间层、以及在上述非磁性中间层上形成的第2磁性层构成的旋转阀膜，在上述金属缓冲层与第1磁性层之间的界面上设有平均厚度在2nm以下的原子扩散势垒层。或者第1磁性层改为由磁性基底层和强磁性体层的叠层膜构成，在上述磁性基底层和强磁性体层之间的界面上设有平均厚度在2nm以下的原子扩散势垒层。
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公开(公告)号：CN114121044B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202110213952.1
申请日：2021-02-26
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本公开提供能够实现记录密度的提高的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极和设置于第1、第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1～第3磁性层和第1～第3非磁性层。第2磁性层包括第1磁性区域及第2磁性区域。第2磁性区域处于第2非磁性层与第1磁性区域之间。第1磁性区域包括第1元素，第1元素包括Fe、Co及Ni的至少1个。第2磁性区域包括第1元素和第2元素，第2元素包括从由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个。第1磁性区域不包括第2元素，或者，第1磁性区域中的第2元素的浓度比第2磁性区域中的第2元素的浓度低。
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公开(公告)号：CN100573670C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200710101294.7
申请日：2005-07-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3932 , G11B2005/3996
Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件、磁头、磁记录再生装置以及磁存储器，该磁阻效应元件具有磁化方向实质上固定的第1磁性层；磁化方向根据外部磁场变化的第2磁性层；设置在上述第1磁性层与上述第2磁性层之间的磁性隔离层；和相对于包含上述第1磁性层、磁性隔离层以及第2磁性层的叠层膜的膜面垂直地通过电流的电极，其中，当外部磁场为0时，在上述磁性隔离层中，在从接近上述第1磁性层的区域到接近上述第2磁性层的区域之间，自旋方向成为扭曲大约90°的状态。
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公开(公告)号：CN100541853C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200710085268.X
申请日：2007-02-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G11B5/3932
Abstract: 本发明的磁阻效应元件包括：包括磁化自由层、磁化固定层、以及置于两者之间的中间层的磁阻效应薄膜；磁耦合层；铁磁层；反铁磁层；偏置机构部，对磁化自由层施加偏置磁场，该偏置磁场相对于磁阻效应薄膜的薄膜表面平行、并且磁化固定层的磁化方向与磁化自由层的初始磁化方向之间的角度大于90°且小于160°；以及在磁阻效应薄膜上用以使电流在从磁化固定层至磁化自由层的方向上通过的一对电极，且偏置点大于50%。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101404320A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810178701.9
申请日：2006-05-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/3929 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11C11/161 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01F10/3263 , H01F10/3272 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件、磁头、磁记录再生装置、以及磁存储器，该磁阻效应元件包括：3层以上的金属磁性层；所述3层以上的金属磁性层间设置的连接层；以及使电流相对于所述金属磁性层和连接层的迭层体在垂直方向上导通的电极，所述3层以上的金属磁性层当中最底层或最顶层的金属磁性层的磁化方向被固定，中间的金属磁性层的磁化方向扭转。
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公开(公告)号：CN101064358A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710102978.9
申请日：2007-04-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F41/302 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/09 , G11B5/3929 , G11B2005/3996 , G11C11/16 , H01F10/3222 , H01F10/3272 , H01F10/3295
Abstract: 本发明的磁阻元件包括：具有基本上固定的磁化方向的第一磁性层；设置于该第一磁性层上、具有氧化物、氮化物、氧氮化物、以及金属其中至少一种的薄膜层；以及设置于该薄膜层上、具有基本上固定的磁化方向的第二磁性层。
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公开(公告)号：CN101042874A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200710101294.7
申请日：2005-07-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3932 , G11B2005/3996
Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件、磁头、磁记录再生装置以及磁存储器，该磁阻效应元件具有磁化方向实质上固定的第1磁性层；磁化方向根据外部磁场变化的第2磁性层；设置在上述第1磁性层与上述第2磁性层之间的磁性隔离层；和相对于包含上述第1磁性层、磁性隔离层以及第2磁性层的叠层膜的膜面垂直地通过电流的电极，其中，当外部磁场为0时，在上述磁性隔离层中，在从接近上述第1磁性层的区域到接近上述第2磁性层的区域之间，自旋方向成为扭曲大约90°的状态。
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公开(公告)号：CN100336934C
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200410071615.X
申请日：1997-11-20
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C23C14/14 , C23C14/3414 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B2005/3996 , H01F10/3218 , H01F10/3268 , H01F41/183 , H01F41/302 , H01L43/12 , Y10S428/90 , Y10T428/1121 , Y10T428/26 , Y10T428/265
Abstract: 本发明涉及一种抗铁磁材料膜，它是通过使用溅射靶的溅射方法成膜的，所述溅射靶主要含有选自Ni、Pd、Pt、Co、Rh、Ir、V、Nb、Ta、Cu、Ag、Au、Ru、Os、Cr、Mo、W和Re的至少一种R元素，30～98at%的范围的Mn，并且其包括选自R元素和Mn的合金相和化合物相的至少一种相作为靶结构的至少一部分，所述抗铁磁材料膜由所述溅射靶中的所述R元素和Mn的合金形成。通过应用这种抗铁磁材料膜，当堆叠该抗铁磁材料膜和铁磁材料膜形成交互耦合膜时，可以稳定地得到足够高的交互耦合力。这种交互耦合膜可以用于磁阻效应器件等。
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公开(公告)号：CN101026221A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710078832.5
申请日：2007-02-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/398 , B82Y25/00 , G01R33/09 , G11B5/3906 , H01F10/3254 , H01F10/3259 , H01F10/3281 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 一种磁阻效应元件，包括：固定磁化层；自由磁化层；其设置在所述固定磁化层和所述自由磁化层之间的非磁性隔离；和设置在所述自由磁化层背向所述非磁性中间层的一侧上的插入层，其中，第一绝缘层具有包含选自由Al(铝)、Si(硅)、Mg(镁)、Ta(钽)和Zn(锌)构成的组中的至少一种元素的氧化物、氮化物或氧氮化物作为主要成分，以及，所述插入层具有包含选自由Al(铝)、Si(硅)、Mg(镁)、Ta(钽)和Zn(锌)构成的组中的至少一种元素的氧化物、氮化物或氧氮化物作为主要成分。
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