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公开(公告)号：CN117894828A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311006796.7
申请日：2023-08-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/04 , H01L29/20 , H01L29/205
Abstract: 提供能够提高特性的半导体构造体以及半导体装置。根据实施方式，半导体构造体包括：基板，包含硅晶体；第1层，包含AlN晶体；以及中间区域，设置于所述硅晶体与所述AlN晶体之间，包含Al以及氮。从所述硅晶体向所述AlN晶体的方向沿着第1方向。所述中间区域中的Al原子的晶格的所述第1方向上的第3晶面间距比所述硅晶体的所述第1方向上的第1晶面间距长、且比所述AlN晶体的所述第1方向上的第2晶面间距长。
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公开(公告)号：CN110491938A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910158431.3
申请日：2019-03-04
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/778 , H01L23/373
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。根据实施方式，半导体装置包含第一～第三区域和第一～第三电极。第一区域包含SiC，包含第一、第二部分区域、和第一、第二部分区域之间的第三部分区域。从第一部分区域向第一电极的方向、从第二部分区域向第二电极的方向、从第三部分区域向第三电极的方向沿第一方向。从第一电极向第二电极的第二方向与第一方向交叉。在第二方向，第三电极位于第一、第二电极之间。第二区域包含Alx2Ga1-x2N(0.2≤x2
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公开(公告)号：CN103311393A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201210558342.6
申请日：2012-12-20
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/205 , B82Y20/00 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L29/2003 , H01L29/365 , H01L29/7783 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体元件和氮化物半导体晶片。根据一个实施例，氮化物半导体元件包括基础层、功能层和堆叠体。在基础层与功能层之间提供堆叠体。堆叠体包括第一堆叠中间层，所述第一堆叠中间层包括第一GaN中间层，Alx1Ga1-x1N(0
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公开(公告)号：CN119997575A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202410725356.5
申请日：2024-06-06
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H10D62/10 , H10D62/85 , H10D62/854 , H10D30/47
Abstract: 本发明提供一种氮化物结构体和半导体装置，其特性得以提高。根据实施方式，氮化物结构体包括层叠体。所述层叠体包括：含硅基体、含AlN的第1氮化物区域和含Alz2Ga1‑z2N(0≤z2
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN103682009B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310331650.X
申请日：2013-08-01
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体晶片、氮化物半导体器件和制造氮化物半导体晶片的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体晶片包括：硅衬底；缓冲部，其被设置在所述硅衬底上；以及功能层，其被设置在所述缓冲部上且包含氮化物半导体。所述缓冲部包括包含氮化物半导体的第一到第n缓冲层（n是4或更大的整数）。所述第一到第n缓冲层中的第i缓冲层（i是1或更大且小于n的整数）具有在与所述第一缓冲层的主表面平行的第一方向上的晶格长度Wi。在所述第i缓冲层上设置的第（i+1）缓冲层具有在所述第一方向上的晶格长度W(i+1)。在所述第一到第n缓冲层中，所述第i缓冲层和所述第（i+1）缓冲层满足(W(i+1)‑Wi)/Wi≤0.008的关系。
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公开(公告)号：CN103311095B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201210560783.X
申请日：2012-12-20
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L21/02389 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01L33/12
Abstract: 根据一个实施例，公开了一种用于制造氮化物半导体层的方法。所述方法可以包括：在基底的主表面上形成第一下层，在所述第一下层上形成第一上层。所述第一下层具有沿平行于所述主表面的第一轴的第一晶格间距。所述第一上层具有大于所述第一晶格间距的沿所述第一轴的第二晶格间距。至少一部分所述第一上层具有第一压缩应变。在第一与第二晶格间距之间的差与所述第一晶格间距的比不小于0.005且不大于0.019。在平行于所述主表面的方向上的所述第一上层的生长速率大于在垂直于所述主表面的方向上的所述第一上层的生长速率。
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公开(公告)号：CN104779329A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201510019134.2
申请日：2015-01-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/02
CPC classification number: H01L29/201 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02584 , H01L21/0262 , H01L29/1075 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/267 , H01L29/365 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/872 , H01L33/0025 , H01L33/025 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01L33/02
Abstract: 本发明描述了氮化物半导体元件和氮化物半导体晶片。根据一个实施例，氮化物半导体元件包括功能层和堆叠体。所述堆叠体包括GaN中间层、低Al成分层、高Al成分层和第一含Si层。所述低Al成分层包括具有第一Al成分比的氮化物半导体。所述低Al成分层设置在所述GaN中间层与所述功能层之间。所述高Al成分层包括具有第二Al成分比的氮化物半导体。所述高Al成分层设置在所述GaN中间层与所述低Al成分层之间。所述第二Al成分比高于所述第一Al成分比。所述第一含Si层设置在所述GaN中间层与所述高Al成分层之间。
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公开(公告)号：CN103682009A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310331650.X
申请日：2013-08-01
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/12
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体晶片、氮化物半导体器件和制造氮化物半导体晶片的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体晶片包括：硅衬底；缓冲部，其被设置在所述硅衬底上；以及功能层，其被设置在所述缓冲部上且包含氮化物半导体。所述缓冲部包括包含氮化物半导体的第一到第n缓冲层（n是4或更大的整数）。所述第一到第n缓冲层中的第i缓冲层（i是1或更大且小于n的整数）具有在与所述第一缓冲层的主表面平行的第一方向上的晶格长度Wi。在所述第i缓冲层上设置的第（i+1）缓冲层具有在所述第一方向上的晶格长度W(i+1)。在所述第一到第n缓冲层中，所述第i缓冲层和所述第（i+1）缓冲层满足(W(i+1)-Wi)/Wi≤0.008的关系。
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