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公开(公告)号：CN100570826C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200410003134.5
申请日：2004-02-06
IPC: H01L21/304 , B24B37/00
Abstract: 本发明涉及一种抛光垫及制造半导体器件的方法。本发明公开的CMP中使用的抛光垫没有研磨料并且包括可形成微孔和/或凹坑部分的材料，二者均具有0.05μm到290μm范围的平均直径并且占据基于所述垫整个体积为0.1体积%到5体积%的区域(11)；以及有机材料(10)。
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公开(公告)号：CN1885489A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610093142.2
申请日：2006-06-22
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76829 , C09G1/02 , H01L21/31053 , H01L21/3212 , H01L21/76802 , H01L21/7684
Abstract: 一种半导体器件制造方法，包括以下步骤：在衬底的顶面处形成薄膜；抛光所述衬底的背面；以及在抛光所述背面后，抛光形成在所述衬底的所述顶面处的所述薄膜。
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公开(公告)号：CN1292477C
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN03153617.4
申请日：2003-08-15
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/52 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/53295 , H01L21/76807 , H01L21/76832 , H01L21/7684 , H01L23/522 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括：基板；第一绝缘膜，提供在基板上并具有最多为预定值的相对介电常数；第二绝缘膜，提供在第一绝缘膜的表面上并具有大于预定值的相对介电常数；布线，提供在用于布线的凹槽中，穿过第二绝缘膜形成并延伸到第一绝缘膜内；以及虚拟布线，提供在用于虚拟布线的凹槽中，穿过第二绝缘膜形成并延伸到第一绝缘膜内，位于与提供布线的区域隔开的预定区域中。
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公开(公告)号：CN1551304A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410038315.1
申请日：2004-05-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/304 , H01L21/00 , C09K3/14 , C09G1/00 , B24B1/00
CPC classification number: C09K3/1409 , B24B37/044 , C09G1/02
Abstract: 本发明涉及CMP用浆料、抛光方法和半导体器件的制造方法。本发明公开了一种CMP浆料，其包含复合型颗粒和树脂颗粒，其中复合型颗粒含有复合化的树脂成分和无机成分，所述CMP浆料具有小于10MPaS的粘度。
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公开(公告)号：CN1521226A
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：CN200410004329.1
申请日：2004-02-13
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C09G1/02 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02074 , C09G1/02 , H01L21/3212 , H01L21/7684
Abstract: 本文公开了一种CMP用料浆，其包含溶剂、磨料颗粒及其HLB值为7至20的基于硅氧烷的表面活性剂。
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公开(公告)号：CN101410955A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200780011516.4
申请日：2007-03-27
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/7684 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/31053 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供化学机械研磨用水系分散体，含有作为磨粒的成分(A)、喹啉羧酸和吡啶羧酸中至少一方的成分(B)、除了喹啉羧酸和吡啶羧酸以外的有机酸的成分(C)、作为氧化剂的成分(D)以及作为具有三键的非离子型表面活性剂的成分(E)，所述成分(B)的配合量(WB)与所述成分(C)的配合量(WC)的质量比(WB/WC)为0.01以上且小于2，所述成分(E)由上述通式(1)表示。(式中，m和n各自独立为1以上的整数，并且满足m+n≤50)。
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公开(公告)号：CN1854225A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610076096.5
申请日：2006-04-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C09G1/16 , C08J5/14 , H01L21/3105
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L21/3212 , H01L22/26
Abstract: 本发明提供了一种用于金属膜的CMP浆料，包括：水；基于所述浆料的总量0.01至0.3wt％的重量平均分子量不小于20,000的聚乙烯基吡咯烷酮；氧化剂；保护膜形成剂，包含用于形成水不溶性络合物的第一络合剂和用于形成水溶性络合物的第二络合剂；以及初级颗粒直径在5至50nm范围内的胶体二氧化硅。
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公开(公告)号：CN1264201C
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200310120519.5
申请日：2003-12-12
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/302 , H01L21/3213 , H01L21/3205 , B24B1/00
CPC classification number: H01L21/02074 , H01L21/3212 , H01L21/7684
Abstract: 提供一种研磨方法及半导体装置的制造方法。该研磨方法包括：供给研磨液，研磨在具有规定图形的槽的层上、以埋入上述槽的方式形成的作为被研磨膜的Cu、Al、W或Ag膜的上层部，进行第一研磨；上述第一研磨后，一边供给从纯水及清洗液选择的一种，一边研磨上述被研磨膜，进行清洗研磨；上述清洗研磨后，供给研磨液，研磨残留在上述槽的外部的上述被研磨膜的残余部分，进行第二研磨。
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公开(公告)号：CN1519894A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN200410003134.5
申请日：2004-02-06
IPC: H01L21/304 , B24B37/00
Abstract: 本发明涉及一种抛光垫及制造半导体器件的方法。本发明公开的CMP中使用的抛光垫没有研磨料并且包括可形成微孔和/或凹坑部分的材料，二者均具有0.05μm到290μm范围的平均直径并且占据基于所述垫整个体积为0.1体积％到5体积％的区域(11)；以及有机材料(10)。
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公开(公告)号：CN1507014A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN200310120519.5
申请日：2003-12-12
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/302 , H01L21/3213 , H01L21/3205 , B24B1/00
CPC classification number: H01L21/02074 , H01L21/3212 , H01L21/7684
Abstract: 提供一种研磨方法及半导体装置的制造方法。该研磨方法包括：供给研磨液，研磨在具有规定图形的槽的层上，以埋入上述槽的方式形成的被研磨膜的上层部，进行第一研磨；上述第一研磨后，一边供给从纯水及清洗液选择的一种，一边研磨上述被研磨膜，进行清洗研磨；上述清洗研磨后，供给研磨液，研磨残留在上述槽的外部的上述被研磨膜的残余部分，进行第二研磨。
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