公开(公告)号：CN100440481C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200610088529.9

申请日：2006-06-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 八木下淳史 ,  金子明生 ,  石丸一成

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/7851

Abstract: 本发明的目的是提供一种能够形成微细电路图形的半导体元件及其制造方法。本发明的半导体元件的制造方法的特征是包括：通过蚀刻来除去形成在第2区域(20)上的掩模材料(50)的步骤；在第1凸部(10B)的相对的一组的两个侧面上形成第1栅极绝缘膜(100B)和(100C)，同时在第2凸部(10A)的上表面形成第2栅极绝缘膜(100A)的步骤；在元件分离绝缘膜(70)、掩模材料50)以及第2栅极绝缘膜(100A)上淀积第1栅电极材料(110)的步骤；以及把形成在第1区域(30)上的掩模材料(50)、和形成在第2区域(20)上元件分离绝缘膜(70)作为终止层，对第1栅电极材料(110)实施平坦化的步骤。

公开(公告)号：CN1246909C

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN01122374.X

申请日：2001-07-11

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 八木下淳史 ,  松尾浩司

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L27/095 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/47 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/51 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66583 ,  H01L29/66643 ,  H01L29/7839

Abstract: 提供一种半导体器件及其制造方法。在半导体硅衬底的元件区域的周围形成元件分离绝缘膜。在硅衬底上以覆盖沟道区周围的方式形成由氮化硅膜构成的侧壁绝缘膜。在侧壁绝缘膜构成的沟的内部，侧壁是Ta2O5膜金属栅电极。在元件分离绝缘膜上形成层间绝缘膜。在侧壁由侧壁绝缘膜和层间绝缘膜构成的沟的底部的硅衬底上，形成硅化物构成的肖特基结及源和漏。在肖特基结及源和漏上形成源极和漏极。

公开(公告)号：CN1166004C

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN00124135.4

申请日：2000-06-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 八木下淳史 ,  斋藤友博 ,  饭沼俊彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7853 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66583 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78609 ,  Y10S257/901

Abstract: 在半导体衬底上形成的MISFET的栅电极和所述MISFET的沟道下方阱区电连接的半导体装置中，将所述MISFET形成在所述半导体衬底上形成岛状的器件区域上，所述MISFET的栅电极与所述半导体衬底的阱区之间的电连接在所述岛状的器件区域侧面上实行。

公开(公告)号：CN1333568A

公开(公告)日：2002-01-30

申请号：CN01122374.X

申请日：2001-07-11

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 八木下淳史 ,  松尾浩司

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L27/095 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/47 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/51 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66583 ,  H01L29/66643 ,  H01L29/7839

Abstract: 在半导体硅衬底的元件区域的周围形成元件分离绝缘膜。在硅衬底上以覆盖沟道区周围的方式形成由氮化硅膜构成的侧壁绝缘膜。在侧壁绝缘膜构成的沟的内部,侧壁是Ta2O5膜金属栅电极。在元件分离绝缘膜上形成层间绝缘膜。在侧壁由侧壁绝缘膜和层间绝缘膜构成的沟的底部的硅衬底上,形成硅化物构成的肖特基结和源/漏。在肖特基结和源/漏上形成源极/漏极。