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公开(公告)号：CN100440481C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200610088529.9
申请日：2006-06-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/088 , H01L27/092
CPC classification number: H01L29/785 , H01L21/28097 , H01L21/823431 , H01L27/0886 , H01L29/66795 , H01L29/6681 , H01L29/7851
Abstract: 本发明的目的是提供一种能够形成微细电路图形的半导体元件及其制造方法。本发明的半导体元件的制造方法的特征是包括：通过蚀刻来除去形成在第2区域(20)上的掩模材料(50)的步骤；在第1凸部(10B)的相对的一组的两个侧面上形成第1栅极绝缘膜(100B)和(100C)，同时在第2凸部(10A)的上表面形成第2栅极绝缘膜(100A)的步骤；在元件分离绝缘膜(70)、掩模材料50)以及第2栅极绝缘膜(100A)上淀积第1栅电极材料(110)的步骤；以及把形成在第1区域(30)上的掩模材料(50)、和形成在第2区域(20)上元件分离绝缘膜(70)作为终止层，对第1栅电极材料(110)实施平坦化的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1252825C
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN00126192.4
申请日：2000-08-31
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 石丸一成
IPC: H01L27/11 , H01L21/8244
CPC classification number: H01L27/11 , H01L23/535 , H01L27/1104 , H01L2924/0002 , Y10S257/903 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法。其中，反相器部分和传输部分的各个栅极电极，形成为仅仅在器件区域上存在，该栅极电极用局部互连进行连接。由此，可以实现微细且大容量的存储单元，而无须考虑栅极边缘或缩短现象。
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公开(公告)号：CN1873953A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610088529.9
申请日：2006-06-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/088 , H01L27/092
CPC classification number: H01L29/785 , H01L21/28097 , H01L21/823431 , H01L27/0886 , H01L29/66795 , H01L29/6681 , H01L29/7851
Abstract: 本发明的目的是提供一种能够形成微细电路图形的半导体元件及其制造方法。本发明的半导体元件的制造方法的特征是包括：通过蚀刻来除去形成在第2区域(20)上的掩模材料(50)的步骤；在第1凸部(10B)的相对的一组的两个侧面上形成第1栅极绝缘膜(100B)和(100C)，同时在第2凸部(10A)的上表面形成第2栅极绝缘膜(100A)的步骤；在元件分离绝缘膜(70)、掩模材料(50)以及第2栅极绝缘膜(100A)上淀积第1栅电极材料(110)的步骤；以及把形成在第1区域(30)上的掩模材料(50)、和形成在第2区域(20)上元件分离绝缘膜(70)作为终止层，对第1栅电极材料(110)实施平坦化的步骤。
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公开(公告)号：CN1286499A
公开(公告)日：2001-03-07
申请号：CN00126192.4
申请日：2000-08-31
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 石丸一成
IPC: H01L27/11 , H01L21/8244
CPC classification number: H01L27/11 , H01L23/535 , H01L27/1104 , H01L2924/0002 , Y10S257/903 , H01L2924/00
Abstract: 反相器部分和传输部分的各个栅极电极,形成为仅仅在器件区域上存在,该栅极电极用局部互连进行连接。由此,可以实现微细且大容量的存储单元,而无须考虑栅极边缘或缩短现象。
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公开(公告)号：CN1210798C
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN01145067.3
申请日：2001-09-27
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 石丸一成
IPC: H01L23/522 , H01L23/58 , H01L23/488 , H01L21/48
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L23/5256 , H01L23/5258 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L2224/02166 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/0518 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05553 , H01L2224/05572 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/13 , H01L2224/13007 , H01L2224/13022 , H01L2224/13099 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , Y10T29/49107 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2924/00014 , H01L2924/013
Abstract: 一种具有可通过能量束切断的熔丝的半导体器件，所述半导体器件具有：在形成多个半导体元件的半导体衬底上配置的由铜布线构成的多个铜布线层；配置在多个所述铜布线层上方、至少包含连接于最上层的所述铜布线的高熔点金属膜的最上层布线；作为所述最上层布线的一部分形成的熔丝；配置在所述最上层布线上的表面保护膜。
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公开(公告)号：CN1359155A
公开(公告)日：2002-07-17
申请号：CN01145067.3
申请日：2001-09-27
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 石丸一成
IPC: H01L23/522 , H01L23/58 , H01L23/488 , H01L21/48
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L23/5256 , H01L23/5258 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L2224/02166 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/0518 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05553 , H01L2224/05572 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/13 , H01L2224/13007 , H01L2224/13022 , H01L2224/13099 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , Y10T29/49107 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2924/00014 , H01L2924/013
Abstract: 一种具有可通过能量束切断的熔丝的半导体器件,所述半导体器件具有:在形成多个半导体元件的半导体衬底上配置的由铜布线构成的多个铜布线层;配置在多个所述铜布线层上方、至少包含连接于最上层的所述铜布线的高熔点金属膜的最上层布线;作为所述最上层布线的一部分形成的熔丝;配置在所述最上层布线上的表面保护膜。
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