公开(公告)号：CN1222789A

公开(公告)日：1999-07-14

申请号：CN98102682.6

申请日：1998-06-30

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 铃村正彦 ,  高野仁路 ,  铃木裕二 ,  岸田贵司 ,  早崎嘉城 ,  白井良史 ,  吉田岳司 ,  宫本靖典

IPC: H03K17/687

CPC classification number: H01L29/7824 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 一种由一对LDMOSFET串联组成的固态继电器具有最小的输出电容。每一LDMOSFET都是SOI(绝缘体上硅)的结构,它由设在支撑板上的硅衬底、硅衬底上的埋入氧化层以及埋入氧化层上的硅层组成。在硅层全深度扩散的井区有与埋入氧化层接触的底,使井区只在邻近沟道的小区处与硅层形成P－N界面。由于缩小了P－N界面以及埋入氧化层与硅层相比表现出很低的电容,因而就有可能为降低非导通条件下继电器的输出电容而大量降低漏－源电容。

公开(公告)号：CN101317263A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200680044187.9

申请日：2006-11-24

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 奥户崇史 ,  铃木裕二 ,  竹川宜志 ,  马场彻 ,  后藤浩嗣 ,  宫岛久和 ,  片冈万士 ,  西条隆司

IPC: H01L23/02 ,  G01P9/04

CPC classification number: G01P15/0802 ,  B81B7/0051 ,  B81B7/0064 ,  B81B2201/025 ,  B81C2203/038 ,  G01C19/5719 ,  G01P1/023 ,  G01P15/125 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种具有小的传感器波动特性和优良抗电噪声特性的传感器装置。该传感器装置具有传感器单元，该传感器单元包括具有开口的框架、保持在开口中相对于框架可移动的可移动部和用于输出基于可移动部的位置移动的电信号的检测部。该传感器装置还具有封装基板，该基板由半导体材料形成并结合于该传感器单元的表面上。该封装基板在面对传感器单元的表面上具有电绝缘膜，并且该电绝缘膜的活化表面在室温下直接结合于传感器单元的活化表面上。因此，该封装基板结合于传感器单元上。

公开(公告)号：CN1856440A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200480027286.7

申请日：2004-09-21

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 冈直正 ,  原田宏 ,  荻原淳 ,  福岛博司 ,  野毛宏 ,  铃木裕二 ,  河野清彦 ,  吉原孝明 ,  铃村正彦

IPC: B81B3/00 ,  G02B26/08 ,  B81C1/00

CPC classification number: G02B26/0816 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/033 ,  B81B2201/045 ,  B81C1/00484 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/019 ,  G02B6/3516 ,  G02B6/3518 ,  G02B6/3546 ,  G02B6/355 ,  G02B6/357 ,  G02B6/3584 ,  H02N1/008

Abstract: 一种用于制造包括固定地支撑在底座上的固定元件和可动地支撑在所述底座上的可动元件的微机电系统(MEMS)的方法。所述方法采用与下衬底分离的上衬底。所述上衬底在其顶层被选择性蚀刻以在其中形成多个柱，所述柱从所述上衬底的底层一起突出。所述柱包括将被固定到所述下衬底的所述固定元件和仅弹性地支撑于一个或多个所述固定元件以相对于所述固定元件可移动的所述可动元件。所述下衬底在其顶表面形成有至少一个凹陷。然后所述上衬底颠倒结合到所述下衬底的顶部，使得把所述固定元件直接设置在所述下衬底上，并把所述可动元件设置在所述凹陷上方。最后，除去所述上衬底的底层，以从所述底层释放所述可动元件，从而把所述可动元件浮置在所述凹陷上，并允许它们相对于所述下衬底移动，同时保持所述固定元件固定到所述下衬底的顶部。

公开(公告)号：CN1842885A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200480024593.X

申请日：2004-08-25

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 原田宏 ,  冈直正 ,  铃木裕二 ,  福岛博司 ,  野毛宏 ,  荻原淳 ,  河野清彦

IPC: H01H59/00 ,  G02B26/08

CPC classification number: G02B6/358 ,  G02B6/3512 ,  G02B6/355 ,  G02B6/357 ,  G02B6/3584 ,  G02B6/3596 ,  G02B26/02 ,  H01H59/0009 ,  H01H2001/0047

Abstract: 一种静电驱动可锁止致动器系统具有致动器和一对在致动器相对端的侧受动器。致动器弹性地支撑到衬底并当电吸引到侧受动器之一时可沿着两个操作位之间的线性轴移动。提供锁止机构以机械锁止致动器在任一操作位位置上。侧受动器可沿着正常位置和接近致动器的移动位置之间的线性轴朝向或远离致动器移动。两个侧受动器也弹性地支撑到衬底以通过静电吸引到那里移向致动器并通过回弹力远离致动器。相应于侧受动器之一被吸引到致动器，移动的侧受动器通过机械连杆联锁到锁止机构以致解开致动器，并允许致动器从一种操作位向另一种操作位移动以再次锁止在那里。

公开(公告)号：CN1081833C

公开(公告)日：2002-03-27

申请号：CN96122891.1

申请日：1996-10-30

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 铃木裕二 ,  高野仁路 ,  铃村正彦 ,  早崎嘉城 ,  岸田贵司 ,  白井良史

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7824 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0873 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/402 ,  H01L29/78624

Abstract: 一种SOI(绝缘体上硅)型薄膜晶体管，包括掩埋氧化层、第一导电类型的硅层，以及上氧化层。硅层具有第二导电类型的体区、第一导电类型的源区、漏区以及漂移区。硅层形成有在其中形成掺杂区且厚度为T1的第一部分，以及在其中形成到达掩埋氧化层的体区且厚度为T2的第二部分。确定厚度T1和T2，以便满足以下关系式：0.4μm＜T1；0.4μm≤T2≤1.5μm；以及T2＜T1。此晶体管显示出改进的功耗、高的击穿电压和低的导通电阻，同时也具备制作工艺方法的优点。