公开(公告)号：CN1042874C

公开(公告)日：1999-04-07

申请号：CN95119121.7

申请日：1995-10-03

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 松田大 ,  宫本靖典

IPC: H01L29/861 ,  G02B27/00

CPC classification number: H01L31/167 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种操作显示半导体开关，包括操作显示灯，其具有发光元件，例如发光二极管，并被安装在由透光的合成树脂制成的内模制体和不透光的合成树脂制成的外模制体构成的壳体中，外模制体在外面包围着内模制体，以及发光侧和光接收侧图形导体，其内端部分嵌在内模制体中，使分别装在该导体内端部分上的发光二极管和光接收元件彼此相对，从而通过内模制体实现二元件之间的光耦合。和所述导体电气相连的操作显示灯一部分固定在内模制体的灯安装槽内，一部分露在不透光的外模制体的外面。

公开(公告)号：CN1130307A

公开(公告)日：1996-09-04

申请号：CN95119121.7

申请日：1995-10-03

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 松田大 ,  宫本靖典

IPC: H01L29/861

CPC classification number: H01L31/167 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种操作显示半导体开关，包括操作显示灯，其具有发光元件，例如发光二极管，并被安装在由透光的合成树脂制成的内模制体和不透光的合成树脂制成的外模制体构成的壳体中，外模制体在外面包围着内模制体，以及发光侧和光接收侧图形导体，其内端部分嵌在内模制体中，使分别装在该导体内端部分上的发光二极管和光接收元件彼此相对，从而通过内模制体实现二元件之间的光耦合。和所述导体电气相连的操作显示灯一部分固定在内模制体的灯安装槽内，一部分露在不透光的外模制体的外面。

公开(公告)号：CN1156978C

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN98102682.6

申请日：1998-06-30

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 铃村正彦 ,  高野仁路 ,  铃木裕二 ,  岸田贵司 ,  早崎嘉城 ,  白井良史 ,  吉田岳司 ,  宫本靖典

IPC: H03K17/687

CPC classification number: H01L29/7824 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 一种由一对LDMOSFET串联组成的固态继电器具有最小的输出电容。每一LDMOSFET都是SOI(绝缘体上硅)的结构，它由设在支撑板上的硅衬底、硅衬底上的埋入氧化层以及埋入氧化层上的硅层组成。在硅层全深度扩散的阱区有与埋入氧化层接触的底，使阱区只在邻近沟道的小区处与硅层形成P-N界面。由于缩小了P-N界面以及埋入氧化层与硅层相比表现出很低的电容，因而就有可能为降低非导通条件下继电器的输出电容而大量降低漏-源电容。

公开(公告)号：CN1222789A

公开(公告)日：1999-07-14

申请号：CN98102682.6

申请日：1998-06-30

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 铃村正彦 ,  高野仁路 ,  铃木裕二 ,  岸田贵司 ,  早崎嘉城 ,  白井良史 ,  吉田岳司 ,  宫本靖典

IPC: H03K17/687

CPC classification number: H01L29/7824 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 一种由一对LDMOSFET串联组成的固态继电器具有最小的输出电容。每一LDMOSFET都是SOI(绝缘体上硅)的结构,它由设在支撑板上的硅衬底、硅衬底上的埋入氧化层以及埋入氧化层上的硅层组成。在硅层全深度扩散的井区有与埋入氧化层接触的底,使井区只在邻近沟道的小区处与硅层形成P－N界面。由于缩小了P－N界面以及埋入氧化层与硅层相比表现出很低的电容,因而就有可能为降低非导通条件下继电器的输出电容而大量降低漏－源电容。