公开(公告)号：CN100573104C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200580009249.8

申请日：2005-03-23

Applicant: 国立大学法人京都大学 ,  松下电工株式会社

Inventor： 野田进 ,  浅野卓 ,  高野仁路

IPC: G01N21/35 ,  G01N21/45

CPC classification number: G02B6/1225 ,  B82Y20/00 ,  G01N21/3504 ,  G01N21/774 ,  G01N21/7746 ,  G01N2021/7776

Abstract: 本发明提供一种使用光子晶体检测目标物质的目标物质传感器及其方法，该目标物质传感器具有高灵敏度并可减小尺寸。本发明的传感器包括提供电磁波的电磁波源、光子传感器元件和检测器。该光子传感器元件具有光子晶体结构并配置为包括：传感器波导，用于引入电磁波；以及传感谐振器，与该传感器波导电磁耦合，用于使特定波长的电磁波谐振。该传感谐振器暴露于包含目标物质的气氛中以改变从传感谐振器发出的电磁波的性质。该检测器配置为接收从该传感谐振器发出的电磁波以识别电磁波的强度变化，并发出表示目标物质性质的信号。

公开(公告)号：CN1158009A

公开(公告)日：1997-08-27

申请号：CN96122891.1

申请日：1996-10-30

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 铃木裕二 ,  高野仁路 ,  铃村正彦 ,  早崎嘉城 ,  岸田贵司 ,  白井良史

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7824 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0873 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/402 ,  H01L29/78624

Abstract: 一种SOI(绝缘体上硅)型薄膜晶体管，包括掩埋氧化层、第一导电类型的硅层，以及上氧化层。硅层具有第二导电类型的体区、第一导电类型的源区、漏区以及漂移区。硅层形成有在其中形成掺杂区且厚度为T1的第一部分，以及在其中形成到达掩埋氧化层的体区且厚度为T2的第二部分。确定厚度T1和T2，以便满足以下关系式：0.4μm＜T1；0.4μm≤T2≤1.5μm；以及T2＜T1。此晶体管显示出改进的功耗、高的击穿电压和低的导通电阻，同时也具备制作工艺方法的优点。

公开(公告)号：CN1875303A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200480032113.4

申请日：2004-08-26

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 ,  松下电工株式会社

Inventor： 野田进 ,  浅野卓 ,  宋奉植 ,  高野仁路

IPC: G02B6/12

CPC classification number: G02B6/12007 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/1225 ,  G02B2006/12164 ,  H01P1/2005

Abstract: 在该电磁波频率滤波器中，匹配谐振器41的谐振频率的预定频率的电磁波被通过谐振器41，从输入波导2传输到输出波导3上，并从输出端P3输出。该滤波器具有输入波导侧反射器211和输出波导侧反射器311，其反射预定频率的电磁波。该电磁波频率滤波器满足下述关系：Qinb/(1－cosθ1)＜＜QV；Qinb/(1－cosθ2)＝Qinr/(1－cosθ2)；θ1、θ2≠2Nπ(N＝0，1，...)。其中θ1是被所述输入波导侧反射器211反射而回到所述谐振器附近的电磁波的相移量，θ2是被所述输出波导侧反射器311反射而回到所述谐振器附近的电磁波的相移量，Qinb是在所述谐振器41和所述输入波导2之间的Q因子，Qinr是在所述谐振器41和所述输出波导31之间的Q因子，而QV是在所述谐振器41和自由空间之间的Q因子。

公开(公告)号：CN1220270C

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN00137453.2

申请日：2000-12-22

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 早崎嘉城 ,  高野仁路 ,  铃村正彦 ,  铃木裕二 ,  白井良史 ,  岸田贵司 ,  吉田岳司 ,  吉原孝明

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7824 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/78624

Abstract: 本发明揭示一种半导体器件及其制造方法，包括在半导体基片上形成的半导体层，该半导体层具有在半导体层的一部分上形成的第1导电型漏区、在半导体层的一部分上离开漏区形成的第2导电型阱区、离开位于所述漏区侧的阱区的一端并在阱区上形成的第1导电型源区，以及形成在阱区的一端与漏区之间，分别连接阱区和漏区的第1导电型漂移区，并以栅极氧化膜为中介，在位于漂移区与所述源区之间的阱区形成栅极。

公开(公告)号：CN1301044A

公开(公告)日：2001-06-27

申请号：CN00137453.2

申请日：2000-12-22

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 早崎嘉城 ,  高野仁路 ,  铃村正彦 ,  铃木裕二 ,  白井良史 ,  岸田贵司 ,  吉田岳司 ,  吉原孝明

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7824 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/78624

Abstract: 本发明揭示一种半导体器件及其制造方法,包括在半导体基片上形成的半导体层,该半导体层具有在半导体层的一部分上形成的第1导电型漏区、在半导体层的一部分上离开漏区形成的第2导电型阱区、离开位于所述漏区侧的阱区的一端并在阱区上形成的第1导电型源区,以及形成在阱区的一端与漏区之间,分别连接阱区和漏区的第1导电型漂移区,并以栅极氧化膜为中介,在位于漂移区与所述源区之间的阱区形成栅极。

公开(公告)号：CN1156978C

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN98102682.6

申请日：1998-06-30

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 铃村正彦 ,  高野仁路 ,  铃木裕二 ,  岸田贵司 ,  早崎嘉城 ,  白井良史 ,  吉田岳司 ,  宫本靖典

IPC: H03K17/687

CPC classification number: H01L29/7824 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 一种由一对LDMOSFET串联组成的固态继电器具有最小的输出电容。每一LDMOSFET都是SOI(绝缘体上硅)的结构，它由设在支撑板上的硅衬底、硅衬底上的埋入氧化层以及埋入氧化层上的硅层组成。在硅层全深度扩散的阱区有与埋入氧化层接触的底，使阱区只在邻近沟道的小区处与硅层形成P-N界面。由于缩小了P-N界面以及埋入氧化层与硅层相比表现出很低的电容，因而就有可能为降低非导通条件下继电器的输出电容而大量降低漏-源电容。

公开(公告)号：CN1222789A

公开(公告)日：1999-07-14

申请号：CN98102682.6

申请日：1998-06-30

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 铃村正彦 ,  高野仁路 ,  铃木裕二 ,  岸田贵司 ,  早崎嘉城 ,  白井良史 ,  吉田岳司 ,  宫本靖典

IPC: H03K17/687

CPC classification number: H01L29/7824 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 一种由一对LDMOSFET串联组成的固态继电器具有最小的输出电容。每一LDMOSFET都是SOI(绝缘体上硅)的结构,它由设在支撑板上的硅衬底、硅衬底上的埋入氧化层以及埋入氧化层上的硅层组成。在硅层全深度扩散的井区有与埋入氧化层接触的底,使井区只在邻近沟道的小区处与硅层形成P－N界面。由于缩小了P－N界面以及埋入氧化层与硅层相比表现出很低的电容,因而就有可能为降低非导通条件下继电器的输出电容而大量降低漏－源电容。

公开(公告)号：CN1950692A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200580009249.8

申请日：2005-03-23

Applicant: 国立大学法人京都大学 ,  松下电工株式会社

Inventor： 野田进 ,  浅野卓 ,  高野仁路

IPC: G01N21/35 ,  G01N21/45

CPC classification number: G02B6/1225 ,  B82Y20/00 ,  G01N21/3504 ,  G01N21/774 ,  G01N21/7746 ,  G01N2021/7776

Abstract: 本发明提供一种使用光子晶体检测目标物质的目标物质传感器及其方法，该目标物质传感器具有高灵敏度并可减小尺寸。本发明的传感器包括提供电磁波的电磁波源、光子传感器元件和检测器。该光子传感器元件具有光子晶体结构并配置为包括：传感器波导，用于引入电磁波；以及传感谐振器，与该传感器波导电磁耦合，用于使特定波长的电磁波谐振。该传感谐振器暴露于包含目标物质的气氛中以改变从传感谐振器发出的电磁波的性质。该检测器配置为接收从该传感谐振器发出的电磁波以识别电磁波的强度变化，并发出表示目标物质性质的信号。

公开(公告)号：CN1732396A

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN200380107710.4

申请日：2003-12-24

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 ,  松下电工株式会社

Inventor： 野田进 ,  浅野卓 ,  高野仁路

IPC: G02B6/12

CPC classification number: B82Y20/00 ,  G02B6/12007 ,  G02B6/1225

Abstract: 在输入波导路径(13)和输出波导路径(14)之间，接近两波导路径，设置了在规定频率的电磁波下共振的共振器(15)的电磁波频率滤波器中，在共振器(15)附近的规定范围(18)中，使输出波导路径(14)与输入波导路径(13)平行，同时，形成输出波导路径，以使在规定范围以外的范围中，输入波导路径(13)与输出波导路径(14)之间的距离比在规定范围(18)内的距离长。该电磁波频率滤波器可使用2维光子结晶最佳地构成。

公开(公告)号：CN1081833C

公开(公告)日：2002-03-27

申请号：CN96122891.1

申请日：1996-10-30

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 铃木裕二 ,  高野仁路 ,  铃村正彦 ,  早崎嘉城 ,  岸田贵司 ,  白井良史

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7824 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0873 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/402 ,  H01L29/78624

Abstract: 一种SOI(绝缘体上硅)型薄膜晶体管，包括掩埋氧化层、第一导电类型的硅层，以及上氧化层。硅层具有第二导电类型的体区、第一导电类型的源区、漏区以及漂移区。硅层形成有在其中形成掺杂区且厚度为T1的第一部分，以及在其中形成到达掩埋氧化层的体区且厚度为T2的第二部分。确定厚度T1和T2，以便满足以下关系式：0.4μm＜T1；0.4μm≤T2≤1.5μm；以及T2＜T1。此晶体管显示出改进的功耗、高的击穿电压和低的导通电阻，同时也具备制作工艺方法的优点。