公开(公告)号：CN1158009A

公开(公告)日：1997-08-27

申请号：CN96122891.1

申请日：1996-10-30

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 铃木裕二 ,  高野仁路 ,  铃村正彦 ,  早崎嘉城 ,  岸田贵司 ,  白井良史

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7824 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0873 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/402 ,  H01L29/78624

Abstract: 一种SOI(绝缘体上硅)型薄膜晶体管，包括掩埋氧化层、第一导电类型的硅层，以及上氧化层。硅层具有第二导电类型的体区、第一导电类型的源区、漏区以及漂移区。硅层形成有在其中形成掺杂区且厚度为T1的第一部分，以及在其中形成到达掩埋氧化层的体区且厚度为T2的第二部分。确定厚度T1和T2，以便满足以下关系式：0.4μm＜T1；0.4μm≤T2≤1.5μm；以及T2＜T1。此晶体管显示出改进的功耗、高的击穿电压和低的导通电阻，同时也具备制作工艺方法的优点。

公开(公告)号：CN1081833C

公开(公告)日：2002-03-27

申请号：CN96122891.1

申请日：1996-10-30

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 铃木裕二 ,  高野仁路 ,  铃村正彦 ,  早崎嘉城 ,  岸田贵司 ,  白井良史

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7824 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0873 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/402 ,  H01L29/78624

Abstract: 一种SOI(绝缘体上硅)型薄膜晶体管，包括掩埋氧化层、第一导电类型的硅层，以及上氧化层。硅层具有第二导电类型的体区、第一导电类型的源区、漏区以及漂移区。硅层形成有在其中形成掺杂区且厚度为T1的第一部分，以及在其中形成到达掩埋氧化层的体区且厚度为T2的第二部分。确定厚度T1和T2，以便满足以下关系式：0.4μm＜T1；0.4μm≤T2≤1.5μm；以及T2＜T1。此晶体管显示出改进的功耗、高的击穿电压和低的导通电阻，同时也具备制作工艺方法的优点。

公开(公告)号：CN1220270C

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN00137453.2

申请日：2000-12-22

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 早崎嘉城 ,  高野仁路 ,  铃村正彦 ,  铃木裕二 ,  白井良史 ,  岸田贵司 ,  吉田岳司 ,  吉原孝明

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7824 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/78624

Abstract: 本发明揭示一种半导体器件及其制造方法，包括在半导体基片上形成的半导体层，该半导体层具有在半导体层的一部分上形成的第1导电型漏区、在半导体层的一部分上离开漏区形成的第2导电型阱区、离开位于所述漏区侧的阱区的一端并在阱区上形成的第1导电型源区，以及形成在阱区的一端与漏区之间，分别连接阱区和漏区的第1导电型漂移区，并以栅极氧化膜为中介，在位于漂移区与所述源区之间的阱区形成栅极。

公开(公告)号：CN1301044A

公开(公告)日：2001-06-27

申请号：CN00137453.2

申请日：2000-12-22

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 早崎嘉城 ,  高野仁路 ,  铃村正彦 ,  铃木裕二 ,  白井良史 ,  岸田贵司 ,  吉田岳司 ,  吉原孝明

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7824 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/78624

Abstract: 本发明揭示一种半导体器件及其制造方法,包括在半导体基片上形成的半导体层,该半导体层具有在半导体层的一部分上形成的第1导电型漏区、在半导体层的一部分上离开漏区形成的第2导电型阱区、离开位于所述漏区侧的阱区的一端并在阱区上形成的第1导电型源区,以及形成在阱区的一端与漏区之间,分别连接阱区和漏区的第1导电型漂移区,并以栅极氧化膜为中介,在位于漂移区与所述源区之间的阱区形成栅极。

公开(公告)号：CN1156978C

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN98102682.6

申请日：1998-06-30

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 铃村正彦 ,  高野仁路 ,  铃木裕二 ,  岸田贵司 ,  早崎嘉城 ,  白井良史 ,  吉田岳司 ,  宫本靖典

IPC: H03K17/687

CPC classification number: H01L29/7824 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 一种由一对LDMOSFET串联组成的固态继电器具有最小的输出电容。每一LDMOSFET都是SOI(绝缘体上硅)的结构，它由设在支撑板上的硅衬底、硅衬底上的埋入氧化层以及埋入氧化层上的硅层组成。在硅层全深度扩散的阱区有与埋入氧化层接触的底，使阱区只在邻近沟道的小区处与硅层形成P-N界面。由于缩小了P-N界面以及埋入氧化层与硅层相比表现出很低的电容，因而就有可能为降低非导通条件下继电器的输出电容而大量降低漏-源电容。

公开(公告)号：CN1222789A

公开(公告)日：1999-07-14

申请号：CN98102682.6

申请日：1998-06-30

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 铃村正彦 ,  高野仁路 ,  铃木裕二 ,  岸田贵司 ,  早崎嘉城 ,  白井良史 ,  吉田岳司 ,  宫本靖典

IPC: H03K17/687

CPC classification number: H01L29/7824 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 一种由一对LDMOSFET串联组成的固态继电器具有最小的输出电容。每一LDMOSFET都是SOI(绝缘体上硅)的结构,它由设在支撑板上的硅衬底、硅衬底上的埋入氧化层以及埋入氧化层上的硅层组成。在硅层全深度扩散的井区有与埋入氧化层接触的底,使井区只在邻近沟道的小区处与硅层形成P－N界面。由于缩小了P－N界面以及埋入氧化层与硅层相比表现出很低的电容,因而就有可能为降低非导通条件下继电器的输出电容而大量降低漏－源电容。