公开(公告)号：CN104067463A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201380006376.7

申请日：2013-01-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山中一彦 ,  吉田真治

IPC: H01S5/024

CPC classification number: H01S5/02469 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48464 ,  H01S5/0208 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02216 ,  H01S5/02256 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02484 ,  H01S5/0425 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体发光装置具备：分别由绝缘性部件构成且相互对置地热连接的第1热沉(20)及第2热沉(30)、和半导体发光元件(10)。半导体发光元件被保持于第1热沉与第2热沉之间的空隙部(31c)内。第2热沉在与第1热沉的对置面具有第1电极及第2电极，在对置面的背面具有第3电极及第4电极，第1电极与发光元件的下部电极连接，第2电极与发光元件的上部电极连接。第1电极与第3电极连接、第2电极与第4电极被连接。

公开(公告)号：CN103717963A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201280039237.X

申请日：2012-03-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山中一彦 ,  池户教夫

IPC: F21V9/08 ,  H01L33/50

CPC classification number: F21V9/08 ,  C09K11/02 ,  C09K11/025 ,  C09K11/08 ,  F21V5/04 ,  F21V7/0066 ,  F21V9/30 ,  F21Y2115/30 ,  H01L33/505 ,  H01L33/507 ,  H01L2224/16225 ,  H05B33/10

Abstract: 本发明涉及的荧光体光学元件，其具备：在对于来自激励光源的入射光的波长为透明的透明基材(10)上所顺次形成的、基底部件(20)、和由包含荧光体微粒子(32)的透明部件(31)构成的含荧光体部件(30)、以及罩部件(40)，荧光体微粒子(32)的粒子径为入射光的波长以下，在含荧光体部件(30)的在与透明基材(10)的主面垂直的方向上的由任意的截面线而成的截面中、在与透明基材(10)的主面垂直的方向上的含荧光体部件(30)的厚度，为入射光的波长以下。

公开(公告)号：CN103650183A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280030969.2

申请日：2012-03-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山中一彦 ,  吉田真治 ,  泷川信一 ,  片山琢磨 ,  中西秀行 ,  田中毅

IPC: H01L33/52 ,  H01L33/50

CPC classification number: H05B33/04 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/486 ,  H01L33/502 ,  H01L33/504 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的目的在于提出能够在采用了半导体发光元件与荧光体的发光装置中抑制荧光体的劣化的发光装置，发光装置具备：封装(10)；安装在封装(10)上的半导体发光元件(5)；设置在封装(10)上的盖构件(50)；封闭封装(10)与盖构件(50)之间的空间的密封构件(30)；含有配置在被封闭的空间中的荧光体的荧光体含有树脂(40)。

公开(公告)号：CN103503174A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280021162.2

申请日：2012-04-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大野启 ,  山中一彦 ,  折田贤儿 ,  能崎信一郎

IPC: H01L33/20

CPC classification number: H01L33/0045 ,  G02F1/133603 ,  H01L33/20 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明涉及的超辐射发光二极管(100)，在衬底(10)上具备至少以下部覆盖层(12)、发光层(14)以及上部覆盖层(16)的顺序来包含这些层的层叠体，层叠体，具有折射率波导型的光波导(21)。光波导(21)包含：第一台面部(31)，通过加工上部覆盖层(16)而被形成为具有第一宽度；以及第二台面部(32)，通过加工下部覆盖层(12)、发光层(14)以及上部覆盖层(16)而被形成为具有作为比第一宽度大的宽度的第二宽度。

公开(公告)号：CN1157717C

公开(公告)日：2004-07-14

申请号：CN00128582.3

申请日：2000-09-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中西秀行 ,  高须贺祥一 ,  井岛新一 ,  吉川昭男 ,  小野泽和利 ,  山中一彦 ,  中西直树

IPC: G11B7/09

CPC classification number: G11B7/0933 ,  G11B7/0932 ,  G11B7/0935 ,  G11B7/123 ,  G11B7/22 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00014

Abstract: 将物镜、半导体激光器、平面镜、接收光元件等光学元件搭载在可动框架内，通过互相平行配置的若干支持金属线使该可动框架保持在固定部件上。借此可以使可动框架向跟踪方向和聚焦方向移动。上述若干支持金属线彼此相互绝缘，它们还可以作为向可动框架体内的半导体激光器和接收光元件供电的供给线或信号线使用。

公开(公告)号：CN103503178B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201280021931.9

申请日：2012-03-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山中一彦 ,  泷川信一

IPC: H01L33/50 ,  G02B5/02 ,  H01L33/58 ,  H01S5/02

CPC classification number: F21K9/56 ,  G02B3/0056 ,  G02B3/0062 ,  G02F2/02 ,  H01L33/505 ,  H01L33/58 ,  H01S5/005

Abstract: 光学元件(110)具备：荧光体层(113)，其包含被第一波长的光所激励而辐射与第一波长不同的第二波长的光的荧光体；第一光学部件(111)，其形成于荧光体层(113)的第一面之上，且使光在荧光体层(113)进行聚光；和第二光学部件(112)，其形成于荧光体层(113)的第一面或与第一面相同侧或者相反侧的第二面之上，且将从荧光体层(113)所辐射的光变换为平行光。

公开(公告)号：CN104169637A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201380015184.2

申请日：2013-05-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 春日井秀纪 ,  森本廉 ,  山中一彦 ,  片山琢磨

IPC: F21S2/00 ,  C09K11/08 ,  C09K11/59 ,  C09K11/80 ,  F21V9/16 ,  G03B21/00 ,  G03B21/14 ,  F21Y101/02

CPC classification number: G03B21/204 ,  G02B26/008 ,  G03B21/2013 ,  G03B21/2066 ,  G03B21/208 ,  G03B33/06 ,  G03B33/08 ,  G03B33/12 ,  H04N9/3114 ,  H04N9/3158 ,  H04N9/3182

Abstract: 本发明的发光装置具备放射第一波长的光的半导体发光元件、和包含至少一种第一荧光体并且被上述第一波长的光激发而放射与上述第一波长的光不同的第二波长的光的第一波长变换部，上述荧光体包含作为激活剂的Eu(铕)，上述第一波长的光以1kW/cm2以上的光密度照射上述第一波长变换部，在设想为射入上述第一波长变换部的上述第一波长的光，和从上述第一波长变换部放射的上述第二波长的光的光输出比为η1的情况下，上述第一波长的光以5kW/cm2的光密度照射上述第一波长变换部时的光输出比η11，和上述第一波长的光以2.5kW/cm2的光密度照射上述第一波长变换部时的光输出比η12满足关系式1≤η12/η11≤1.17。

公开(公告)号：CN103907249A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201280052274.4

申请日：2012-05-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山中一彦 ,  吉田真治

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/024

CPC classification number: H01S5/30 ,  H01L23/045 ,  H01L33/486 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/12044 ,  H01S5/005 ,  H01S5/02 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02224 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/02296 ,  H01S5/024 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/02492 ,  H01S5/2224 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/4018 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种氮化物半导体发光装置，其具备：氮化物半导体发光元件(3)；保持氮化物半导体发光元件(3)且以第一金属为主成分的基台(11)；固着于基台(11)的帽(30)；形成于基台(11)的开口部(11c)；通过开口部(11c)的引针(14a、14b)，并且，引针(14a、14b)以从该引针(14a、14b)侧顺次将绝缘构件(18a、18b)和缓冲构件(20a，20b)夹在该引针(14a、14b)与开口部(11c)的内壁之间的方式被固定于开口部(11c)的内壁，绝缘构件(18a、18b)成分中含有硅氧化物。缓冲构件(20a、20b)由比第一金属的标准氧化还原电位小的第二金属或含有该第二金属的合金构成。

公开(公告)号：CN103444021A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201280014025.6

申请日：2012-02-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 春日井秀纪 ,  折田贤儿 ,  大野启 ,  山中一彦

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/323 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/0045 ,  H01L33/20 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3214 ,  H01S5/34333

Abstract: 一种具有光波导(120)的氮化物半导体发光元件，至少以下部覆盖层(102)、活性层(104)、上部覆盖层(107)的顺序来包含这些层，上部覆盖层(107)具有：由透明导电体构成的第二上部覆盖层(109)、以及由氮化物半导体构成的第一上部覆盖层(108)，且第一上部覆盖层(108)被形成在比该第二上部覆盖层(109)靠近活性层一侧。

公开(公告)号：CN103403892A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201180068571.3

申请日：2011-06-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉田真治 ,  山中一彦

IPC: H01L33/50 ,  C09K11/77

CPC classification number: H01L33/62 ,  B82Y20/00 ,  H01L24/97 ,  H01L33/501 ,  H01L33/504 ,  H01L33/507 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2933/0041 ,  Y10S977/95 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的半导体发光装置(1)，具备：封装体，由树脂构成，且具有凹部；引线框架(11)，在凹部的底面露出；半导体发光元件(14)，被设置在凹部内的引线框架(11)；以及荧光体层(15)，被形成为覆盖凹部内的底面；以及树脂层(17)，被形成在荧光体层(15)以及半导体发光元件(14)上，荧光体层(15)，包含按照粒子径而激励荧光谱变化的半导体微粒子，荧光体层(15)，由具有水溶性或水分散性的材料构成。