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公开(公告)号：CN106460228A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580021973.6
申请日：2015-03-03
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 伊藤忠塑料株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B19/02 , C30B25/20 , C30B33/00 , H01L21/205 , H01L21/208
CPC classification number: C30B29/406 , B28D5/00 , C30B19/02 , C30B19/12 , C30B25/186 , C30B25/20 , C30B29/20 , C30B29/38 , C30B33/00 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02581 , H01L21/0262 , H01L21/02625 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L21/7813 , H01L29/2003 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01S5/3013 , H01S2304/06
Abstract: 通过气相生长法制造大尺寸且变形、位错、翘曲等缺陷少的高品质III族氮化物结晶。制造方法包括下述步骤：第1III族氮化物结晶制造步骤，通过液相生长法制造第1III族氮化物结晶1003；第2III族氮化物结晶制造步骤，在第1结晶1003上，通过气相生长法使III族元素金属和氧化剂和含氮气体反应而制造第2III族氮化物结晶1004，其特征在于：所述第1III族氮化物结晶制造步骤使预先准备的III族氮化物的多个晶种1003a的表面与碱金属熔液接触，在含氮气氛下，使III族元素和所述氮在所述碱金属熔液中反应，通过由多个晶种1003a生长的多个III族氮化物结晶的生长，使所述多个III族氮化物结晶结合而作为第1结晶1003。
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公开(公告)号：CN111593400A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010103889.1
申请日：2020-02-20
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 国立大学法人大阪大学
Abstract: 本发明以提供不易产生裂开或裂缝的III族氮化物晶体的制造方法及晶种基板为技术问题。为了解决上述技术问题，本发明的III族氮化物晶体的制造方法包括：籽晶准备工序，在基板之上配置多个III族氮化物的晶体作为多个籽晶；晶体生长工序，在包含氮的环境下，使籽晶的表面接触包含从镓、铝、及铟中选择的至少一种III族元素以及碱金属的熔融液，来使III族氮化物晶体生长。在所述籽晶准备工序中，将多个籽晶配置于在基板上设置的六边形区域内部。
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公开(公告)号：CN111519247A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010078270.X
申请日：2020-02-03
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种抑制多晶化且提高III族氮化物结晶的品质的III族氮化物结晶的制造方法。III族氮化物结晶的制造方法包括：准备种基板的工序；以及以过饱和比(P0/Pe)成为大于1且为5以下的方式，供给III族元素氧化物气体和含氮元素的气体，从而使III族氮化物结晶在种基板上生长的工序，P0为III族氧化物气体的供给分压，Pe为III族氧化物气体的平衡分压。
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公开(公告)号：CN1922345A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200580005394.9
申请日：2005-02-18
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 森勇介
CPC classification number: C30B29/406 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B19/063 , C30B19/064 , Y10T117/1016
Abstract: 本发明提供一种能够提高生长速率，在短时间内培养出晶体均匀性高的大单晶的化合物单晶的制造方法以及用于该制造方法的制造装置。在原料液中，搅拌所述原料液以产生从与原料气体相接的气液界面向着所述原料液的内部的流动，同时使化合物单晶生长。通过所述搅拌，可以容易地将原料气体溶解在原料液中，可以在短时间内实现过饱和状态，能够提高化合物单晶的生长速率，而且，通过所述搅拌，由于形成从原料气体浓度高的气液界面向着原料气体浓度低的原料液内部的流动，原料气体的溶解也变得均匀，因此可以抑制在气液界面产生不均匀的晶核，还可以提高所得到的化合物单晶的质量。
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公开(公告)号：CN110387581A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910296956.3
申请日：2019-04-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种得到抑制装置的腐蚀、并且抑制冷却中的由基底基板对III族氮化物单晶的应力的III族氮化物单晶的III族氮化物结晶的制造方法。一种III族氮化物结晶的制造方法，其包括：(i)准备将蓝宝石作为基底基板且在所述基底基板上设置有III族氮化物层的种基板的工序；(ii)在由钽构成的盛具中准备锂或锂化合物的工序；(iii)使用III族元素与碱金属的混合熔液，使III族氮化物结晶生长于设置于种基板的III族氮化物层的工序；和(iv)将锂或锂化合物投入混合熔液，使其与基底基板反应的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1938458A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200580010595.8
申请日：2005-03-31
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 森勇介
CPC classification number: C30B9/10 , C30B29/403 , C30B29/406 , Y10T117/1092 , Y10T117/1096
Abstract: 本发明提供了一种制造第III族元素氮化物晶体的方法，使用该方法可以提高生长速率，并且在短时间内生长出较大的高质量晶体，还提供其中所用的制造装置以及使用该方法和该装置得到的半导体元件。该方法是一种制造第III族元素氮化物晶体的方法，其包括使含有第III族元素、氮及碱金属和碱土金属中的至少一种的材料溶液在含氮气体的气氛中加压加热，以使材料溶液中的氮和第III族元素相互反应生长晶体的晶体生长过程。该方法还包括在晶体生长过程之前制造材料溶液的材料制造过程，制造方式是在含氮气体的气氛中将环境温度和环境压力的至少之一设置到高于晶体生长过程的条件，从而使氮可以溶解在含有第III族元素及碱金属和碱土金属中的至少一种的熔体中。本发明的方法可使用例如图7所示的制造装置进行。
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公开(公告)号：CN100494520C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200580010595.8
申请日：2005-03-31
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 森勇介
CPC classification number: C30B9/10 , C30B29/403 , C30B29/406 , Y10T117/1092 , Y10T117/1096
Abstract: 本发明提供了一种制造第III族元素氮化物晶体的方法，使用该方法可以提高生长速率，并且在短时间内生长出较大的高质量晶体，还提供其中所用的制造装置以及使用该方法和该装置得到的半导体元件。该方法是一种制造第III族元素氮化物晶体的方法，其包括使含有第III族元素、氮及碱金属和碱土金属中的至少一种的材料溶液在含氮气体的气氛中加压加热，以使材料溶液中的氮和第III族元素相互反应生长晶体的晶体生长过程。该方法还包括在晶体生长过程之前制造材料溶液的材料制造过程，制造方式是在含氮气体的气氛中将环境温度和环境压力的至少之一设置到高于晶体生长过程的条件，从而使氮可以溶解在含有第III族元素及碱金属和碱土金属中的至少一种的熔体中。本发明的方法可使用例如图7所示的制造装置进行。
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公开(公告)号：CN1930327A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200580008118.8
申请日：2005-04-27
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 森勇介
CPC classification number: C30B29/403 , C30B9/10 , C30B29/406 , C30B35/00 , Y10T117/1064 , Y10T117/1096
Abstract: 本发明提供一种可以制造高品质结晶的III族元素氮化物结晶的制造装置以及III族元素氮化物结晶的制造方法。使用本发明的装置进行的结晶生长例如可以按如下的方法进行。向反应容器(120)内导入结晶原料(131)以及含氮气体，用加热器(110)进行加热，并在加压气氛下使结晶生长。上述气体从气体供给装置(180)经由上述反应容器的气体导入口而导入上述反应容器(120)内，随后从上述反应容器的气体排出口排到耐压容器(102)的内部。由于上述气体不经由耐压容器(102)便直接导入反应容器(120)，因而可以防止附着在耐压容器(102)等处的杂质混入到结晶生长的场所。另外，因为上述气体在反应容器(120)内流动，所以不会发生诸如蒸发的碱金属等在气体导入口等处的凝集、以及向气体供给装置(180)等处的流入等问题。其结果，可以提高所得到的III族元素氮化物结晶的质量。
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公开(公告)号：CN112635543A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011005460.5
申请日：2020-09-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种在实现高载流子浓度的同时、位错低且电阻低的III族氮化物基板。III族氮化物基板在经过研磨的面内，具有显示第1杂质浓度的第1区域和显示低于第1杂质浓度的第2杂质浓度的第2区域，第1区域的第1位错密度低于第2区域的第2位错密度。
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公开(公告)号：CN101558188B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200880001092.8
申请日：2008-03-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L31/03044 , C30B9/10 , C30B11/12 , C30B19/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , G02B1/02
Abstract: 本发明提供晶体生长速度快、可以获得高质量的晶体的III族元素氮化物晶体的制造方法；以及III族元素氮化物晶体。本发明是如下的制造方法，即，将III族元素、碱金属以及III族元素氮化物的晶种加入晶体生长容器中，在含氮气体气氛下，将晶体生长容器加压加热，在含有III族元素、碱金属以及氮的熔液中使III族元素以及氮反应，以晶种作为核来生长III族元素氮化物晶体，其中，在将晶体生长容器加压加热之前，添加沸点高于碱金属的熔点的烃。
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