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公开(公告)号：CN1938458A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200580010595.8
申请日：2005-03-31
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 森勇介
CPC classification number: C30B9/10 , C30B29/403 , C30B29/406 , Y10T117/1092 , Y10T117/1096
Abstract: 本发明提供了一种制造第III族元素氮化物晶体的方法，使用该方法可以提高生长速率，并且在短时间内生长出较大的高质量晶体，还提供其中所用的制造装置以及使用该方法和该装置得到的半导体元件。该方法是一种制造第III族元素氮化物晶体的方法，其包括使含有第III族元素、氮及碱金属和碱土金属中的至少一种的材料溶液在含氮气体的气氛中加压加热，以使材料溶液中的氮和第III族元素相互反应生长晶体的晶体生长过程。该方法还包括在晶体生长过程之前制造材料溶液的材料制造过程，制造方式是在含氮气体的气氛中将环境温度和环境压力的至少之一设置到高于晶体生长过程的条件，从而使氮可以溶解在含有第III族元素及碱金属和碱土金属中的至少一种的熔体中。本发明的方法可使用例如图7所示的制造装置进行。
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公开(公告)号：CN1922345A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200580005394.9
申请日：2005-02-18
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 森勇介
CPC classification number: C30B29/406 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B19/063 , C30B19/064 , Y10T117/1016
Abstract: 本发明提供一种能够提高生长速率，在短时间内培养出晶体均匀性高的大单晶的化合物单晶的制造方法以及用于该制造方法的制造装置。在原料液中，搅拌所述原料液以产生从与原料气体相接的气液界面向着所述原料液的内部的流动，同时使化合物单晶生长。通过所述搅拌，可以容易地将原料气体溶解在原料液中，可以在短时间内实现过饱和状态，能够提高化合物单晶的生长速率，而且，通过所述搅拌，由于形成从原料气体浓度高的气液界面向着原料气体浓度低的原料液内部的流动，原料气体的溶解也变得均匀，因此可以抑制在气液界面产生不均匀的晶核，还可以提高所得到的化合物单晶的质量。
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公开(公告)号：CN101558188B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200880001092.8
申请日：2008-03-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L31/03044 , C30B9/10 , C30B11/12 , C30B19/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , G02B1/02
Abstract: 本发明提供晶体生长速度快、可以获得高质量的晶体的III族元素氮化物晶体的制造方法；以及III族元素氮化物晶体。本发明是如下的制造方法，即，将III族元素、碱金属以及III族元素氮化物的晶种加入晶体生长容器中，在含氮气体气氛下，将晶体生长容器加压加热，在含有III族元素、碱金属以及氮的熔液中使III族元素以及氮反应，以晶种作为核来生长III族元素氮化物晶体，其中，在将晶体生长容器加压加热之前，添加沸点高于碱金属的熔点的烃。
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公开(公告)号：CN1610138B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200410086095.X
申请日：2004-10-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L21/0237 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02521 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/02625 , H01L29/155 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L33/02 , Y10S438/94 , Y10T428/24926
Abstract: 本发明提供一种防止碱金属扩散的半导体器件。在III族元素氮化物结晶衬底上层叠有III族元素氮化物结晶层的III族元素氮化物半导体器件中，所述衬底是在含有碱金属及碱土类金属之中的至少一种的熔融液中，通过使含有氮的气体中的所述氮和III族元素反应并结晶化而制成，在所述衬底上形成有薄膜层，其中，在所述衬底中含有的杂质在所述薄膜层中的扩散系数比该杂质在所述衬底中的扩散系数更小。
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公开(公告)号：CN100466178C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200480038996.X
申请日：2004-12-22
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 森勇介
IPC: H01L21/208 , C30B11/06 , C30B19/02 , C30B29/38
CPC classification number: C30B9/00 , C30B9/10 , C30B25/02 , C30B29/40 , C30B29/403 , H01L21/02389 , H01L21/02392 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/02625
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物晶体的制造方法，其是在含有氮的气氛下，使含有选自Ga、Al以及In之中的至少一种III族元素和碱金属的助熔剂中含有Mg，然后在该助熔剂中进行III族氮化物晶体的生长，从而形成III族氮化物基板。由于Mg是III族氮化物晶体的P型掺杂材料，因此即使在晶体中混入Mg，晶体仍然表现出P型或半绝缘性的电特性，在电子器件的应用中不成问题。另外，通过使上述助熔剂含有Mg，在助熔剂中氮的溶解量增大，从而能够以快速生长速率进行晶体生长，晶体生长的重现性也得以提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100494520C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200580010595.8
申请日：2005-03-31
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 森勇介
CPC classification number: C30B9/10 , C30B29/403 , C30B29/406 , Y10T117/1092 , Y10T117/1096
Abstract: 本发明提供了一种制造第III族元素氮化物晶体的方法，使用该方法可以提高生长速率，并且在短时间内生长出较大的高质量晶体，还提供其中所用的制造装置以及使用该方法和该装置得到的半导体元件。该方法是一种制造第III族元素氮化物晶体的方法，其包括使含有第III族元素、氮及碱金属和碱土金属中的至少一种的材料溶液在含氮气体的气氛中加压加热，以使材料溶液中的氮和第III族元素相互反应生长晶体的晶体生长过程。该方法还包括在晶体生长过程之前制造材料溶液的材料制造过程，制造方式是在含氮气体的气氛中将环境温度和环境压力的至少之一设置到高于晶体生长过程的条件，从而使氮可以溶解在含有第III族元素及碱金属和碱土金属中的至少一种的熔体中。本发明的方法可使用例如图7所示的制造装置进行。
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公开(公告)号：CN100380224C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200310114187.X
申请日：2003-11-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G02F1/0009 , G02F1/33
Abstract: 本发明提供了一种紫外光声光器件，其包括：射频信号输入部件；将射频信号转换成机械振动的转换器装置；和光学特性随机械振动变化的声光介质。在所述紫外光声光器件中，进入所述声光介质的光是波长为380nm或更短的紫外光，并且所述声光介质是由含有至少硼作为其晶胞组分的氧化物单晶、LiNbO3晶体、或掺杂有MgO的LiNbO3晶体形成的。由此可以获得既不引起激光破坏也不引起光学破坏的声光器件，并且使用该声光器件可以提供不必要水冷的紫外光声光器件和光学成象设备。
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公开(公告)号：CN1930327A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200580008118.8
申请日：2005-04-27
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 森勇介
CPC classification number: C30B29/403 , C30B9/10 , C30B29/406 , C30B35/00 , Y10T117/1064 , Y10T117/1096
Abstract: 本发明提供一种可以制造高品质结晶的III族元素氮化物结晶的制造装置以及III族元素氮化物结晶的制造方法。使用本发明的装置进行的结晶生长例如可以按如下的方法进行。向反应容器(120)内导入结晶原料(131)以及含氮气体，用加热器(110)进行加热，并在加压气氛下使结晶生长。上述气体从气体供给装置(180)经由上述反应容器的气体导入口而导入上述反应容器(120)内，随后从上述反应容器的气体排出口排到耐压容器(102)的内部。由于上述气体不经由耐压容器(102)便直接导入反应容器(120)，因而可以防止附着在耐压容器(102)等处的杂质混入到结晶生长的场所。另外，因为上述气体在反应容器(120)内流动，所以不会发生诸如蒸发的碱金属等在气体导入口等处的凝集、以及向气体供给装置(180)等处的流入等问题。其结果，可以提高所得到的III族元素氮化物结晶的质量。
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公开(公告)号：CN1211955C
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN01139307.6
申请日：2001-10-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 提供一种装备有磁光调制器的光信号传输系统。该磁光调制器起调制从光源发射的光束的作用，并且由偏振器、磁光的单元、检偏振器、直流磁场发生器、高频场发生器和阻抗调节器构成。该直流磁场发生器起施加直流偏压场给磁光的单元的作用。高频发生器响应来自所述高频信号发生器的高频信号，施加一个高频场给磁光的单元。阻抗调节器起调整高频场发生器的阻抗作用，用于建立高频信号到高频场发生器的有效传输，因此提高调制范围达到频率高于一般的磁光调制器的上限频率。直流偏压场的施加和阻抗调节器的使用实现对于铁磁谐振频率是有效的磁光调制器。
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公开(公告)号：CN1357978A
公开(公告)日：2002-07-10
申请号：CN01139307.6
申请日：2001-10-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 提供一种装备有磁光调制器的光信号传输系统。该磁光调制器起调制从光源发射的光束的作用,并且由偏振器、磁光的单元、检偏振器、直流磁场发生器、高频场发生器和阻抗调节器构成。该直流磁场发生器起施加直流偏压场给磁光的单元的作用。高频发生器响应来自所述高频信号发生器的高频信号,施加一个高频场给磁光的单元。阻抗调节器起调整高频场发生器的阻抗作用,用于建立高频信号到高频场发生器的有效传输,因此提高调制范围达到频率高于一般的磁光调制器的上限频率。直流偏压场的施加和阻抗调节器的使用实现对于铁磁谐振频率是有效的磁光调制器。
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