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公开(公告)号：CN107523876B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201710445532.X
申请日：2017-06-13
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供在Na助熔剂法下的GaN结晶生长中，面对在Ga与Na的混合变得均匀之前开始结晶培养因而变得培养不良的问题，通过改变装置构成从而使混合的均匀化、结晶培养的均匀化成为可能的手法。在具有坩埚上段和坩埚下段的两段结构的坩埚中，在坩埚上段直到Ga、Na混合完成为止将Ga、Na的混合液体倾斜保持，Ga、Na混合完成后使装置摇动从坩埚孔滴落混合液体，在种基板上均匀地进行结晶生长。
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公开(公告)号：CN110468455A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910386973.6
申请日：2019-05-09
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种结晶中的氧杂质少的III族氮化物结晶的制造方法。本发明的III族氮化物结晶的制造方法是使用容纳碱金属、含III族元素的原料、种基板(11)的坩埚；容纳坩埚的反应容器；容纳反应容器(15)的压力容器；将含氮元素气体和/或氩气导入至压力容器的气体供给管；将压力容器密封的盖；将反应容器加热的加热器；用于将加热器和反应容器绝缘的绝缘材料；防止反应容器内的热泄露的绝热材料来制造III族氮化物结晶的方法，具有以下工序：将盖与所述压力容器分离，将反应容器容纳于压力容器内，用盖将压力容器密封后，将氩气填充于压力容器内的工序；将氩气加热并保持的工序；将经加热的氩气从压力容器排出的工序；和将含氮元素气体导入压力容器内，使碱金属与含III族元素的原料发生反应从而使III族氮化物结晶在种基板上生长的工序。
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公开(公告)号：CN110219047A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910135561.5
申请日：2019-02-21
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种表面平坦、高品质且大尺寸的III族氮化物结晶的制造方法，其包括：在基板上准备作为种晶的多个III族氮化物的种晶准备工序；以及，通过在包含氮气的气氛下使种晶的表面接触包含碱金属和选自镓、铝和铟中的至少1种III族元素的熔液，从而使上述III族元素与上述氮在熔液中发生反应，使III族氮化物结晶生长的结晶生长工序，结晶生长工序包括：由多个种晶分别生长截面为三角形或梯形的多个第一III族氮化物结晶的第一结晶生长工序；使第二III族氮化物结晶在多个第一III族氮化物结晶的间隙中生长的第二结晶生长工序。
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公开(公告)号：CN107523876A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710445532.X
申请日：2017-06-13
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供在Na助熔剂法下的GaN结晶生长中，面对在Ga与Na的混合变得均匀之前开始结晶培养因而变得培养不良的问题，通过改变装置构成从而使混合的均匀化、结晶培养的均匀化成为可能的手法。在具有坩埚上段和坩埚下段的两段结构的坩埚中，在坩埚上段直到Ga、Na混合完成为止将Ga、Na的混合液体倾斜保持，Ga、Na混合完成后使装置摇动从坩埚孔滴落混合液体，在种基板上均匀地进行结晶生长。
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公开(公告)号：CN113882020A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202110740713.1
申请日：2021-06-30
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种多晶化被抑制并且生长速度快的III族氮化物晶体的制造方法。III族氮化物晶体的制造方法包括：准备种基板的工序、生成III族元素氧化物气体的工序、供给III族元素氧化物气体的工序、供给含氮元素气体的工序、供给含氮元素氧化性气体的工序、以及使III族氮化物晶体在种基板上生长的工序，含氮元素氧化性气体包含选自NO气体、NO2气体、N2O气体和N2O4气体中的至少一种。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110714190A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910617944.6
申请日：2019-07-09
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 松下电器产业株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供一种低电阻且可控制晶格常数的III族氮化物基板。III族氮化物基板具有III族氮化物的基材部，所述III族氮化物的基材部具有表面、背面、和在表面与背面之间的内层，基材部的表面的碳浓度比内层的碳浓度高。III族氮化物结晶的制造方法中，从III族氮化物结晶的生长初期至生长中期，使III族元素氧化物气体与生长后期相比高浓度地生成，并高浓度地供给至育成室，并且将含碳元素气体高浓度地供给至育成室，在III族氮化物结晶的生长后期，使III族元素氧化物气体与生长初期至生长中期相比低浓度地生成，并低浓度地供给至育成室，并且将含碳元素气体低浓度地供给至育成室。
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公开(公告)号：CN100567596C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200580005839.3
申请日：2005-12-26
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 国立大学法人大阪大学
CPC classification number: C30B29/36 , C30B9/00 , C30B9/10 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/1088
Abstract: 提供一种可以以低成本制造大型的碳化硅(SiC)单晶的制造方法。通过将硅(Si)和碳(C)溶解在碱金属助熔剂中并使它们反应，使碳化硅单晶生成或生长。作为上述碱金属，优选为锂(Li)。根据该方法，即使是在例如1500℃以下的低温条件下，也可以制造碳化硅单晶。将通过本发明的方法得到的碳化硅单晶的一个例子显示在图3(B)的照片上。
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公开(公告)号：CN1922346A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200580005839.3
申请日：2005-12-26
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 国立大学法人大阪大学
CPC classification number: C30B29/36 , C30B9/00 , C30B9/10 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/1088
Abstract: 提供一种可以以低成本制造大型的碳化硅(SiC)单晶的制造方法。通过将硅(Si)和碳(C)溶解在碱金属助熔剂中并使它们反应，使碳化硅单晶生成或生长。作为上述碱金属，优选为锂(Li)。根据该方法，即使是在例如1500℃以下的低温条件下，也可以制造碳化硅单晶。将通过本发明的方法得到的碳化硅单晶的一个例子显示在图3(B)的照片上。
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公开(公告)号：CN111593400A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010103889.1
申请日：2020-02-20
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 国立大学法人大阪大学
Abstract: 本发明以提供不易产生裂开或裂缝的III族氮化物晶体的制造方法及晶种基板为技术问题。为了解决上述技术问题，本发明的III族氮化物晶体的制造方法包括：籽晶准备工序，在基板之上配置多个III族氮化物的晶体作为多个籽晶；晶体生长工序，在包含氮的环境下，使籽晶的表面接触包含从镓、铝、及铟中选择的至少一种III族元素以及碱金属的熔融液，来使III族氮化物晶体生长。在所述籽晶准备工序中，将多个籽晶配置于在基板上设置的六边形区域内部。
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公开(公告)号：CN111519247A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010078270.X
申请日：2020-02-03
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种抑制多晶化且提高III族氮化物结晶的品质的III族氮化物结晶的制造方法。III族氮化物结晶的制造方法包括：准备种基板的工序；以及以过饱和比(P0/Pe)成为大于1且为5以下的方式，供给III族元素氧化物气体和含氮元素的气体，从而使III族氮化物结晶在种基板上生长的工序，P0为III族氧化物气体的供给分压，Pe为III族氧化物气体的平衡分压。
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