公开(公告)号：CN101558188B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200880001092.8

申请日：2008-03-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山田修 ,  峯本尚 ,  平中弘一 ,  畑山健 ,  佐佐木孝友 ,  森勇介 ,  川村史朗 ,  北冈康夫

IPC: H01L33/00 ,  C30B29/38 ,  C30B19/02 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L31/03044 ,  C30B9/10 ,  C30B11/12 ,  C30B19/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  G02B1/02

Abstract: 本发明提供晶体生长速度快、可以获得高质量的晶体的III族元素氮化物晶体的制造方法；以及III族元素氮化物晶体。本发明是如下的制造方法，即，将III族元素、碱金属以及III族元素氮化物的晶种加入晶体生长容器中，在含氮气体气氛下，将晶体生长容器加压加热，在含有III族元素、碱金属以及氮的熔液中使III族元素以及氮反应，以晶种作为核来生长III族元素氮化物晶体，其中，在将晶体生长容器加压加热之前，添加沸点高于碱金属的熔点的烃。

公开(公告)号：CN101558188A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200880001092.8

申请日：2008-03-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山田修 ,  峯本尚 ,  平中弘一 ,  畑山健 ,  佐佐木孝友 ,  森勇介 ,  川村史朗 ,  北冈康夫

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/02 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L31/03044 ,  C30B9/10 ,  C30B11/12 ,  C30B19/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  G02B1/02

Abstract: 本发明提供晶体生长速度快、可以获得高质量的晶体的III族元素氮化物晶体的制造方法；以及III族元素氮化物晶体。本发明是如下的制造方法，即，将III族元素、碱金属以及III族元素氮化物的晶种加入晶体生长容器中，在含氮气体气氛下，将晶体生长容器加压加热，在含有III族元素、碱金属以及氮的熔液中使III族元素以及氮反应，以晶种作为核来生长III族元素氮化物晶体，其中，在将晶体生长容器加压加热之前，添加沸点高于碱金属的熔点的烃。

公开(公告)号：CN101283480A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200680037870.X

申请日：2006-10-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 桐野秀树 ,  平中弘一 ,  畑山健

IPC: H01Q3/34 ,  H01P1/18 ,  H01P3/08

Abstract: 本发明提供一种相控阵天线，实现在具有使用介电常数根据施加电场而变化的可变介电常数电介质来构成的可变移相器的相控阵天线中，在构成为将可变移相器分成右侧、左侧倾斜用的组并独立地控制移相量的情况下，不需要成为不匹配的主要原因的直流阻断元件，在波束倾斜时波束形状的畸变少。具备具有将至少接地导体层(117)、绝缘体层(118)、主导体层(119)、可变介电常数电介质层(120)、副导体层(121)按照该顺序层叠而形成的层叠构造的供电移相部(130)，在供电移相部中，在与主导体层上的线路面式重叠的区域，在副导体层上设置具有线路的传播特性可变线路(105)。通过对主导体层和副导体层间施加电压，使传播特性可变线路部分的可变介电常数电介质的介电常数变化来控制传输特性。由此，不需要串联插入供电线路的直流阻断元件。