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公开(公告)号：CN103650120A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280034140.X
申请日：2012-07-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/316 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L29/82
CPC classification number: H01L29/1606 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C23C14/06 , C23C14/0694 , C23C14/081 , C23C14/3407 , C23C14/352 , H01L21/02175 , H01L21/02266 , H01L43/08 , Y10T428/30
Abstract: 本发明的膜结构体（碳-绝缘膜结构体）具备碳和配置在该碳上的、由添加有氟的氧化镁构成的绝缘膜。氧化镁中的氟的添加量为0.0049原子百分比以上0.1508原子百分比以下。该膜结构体有助于使用以石墨烯为代表的碳的电子器件、例如自旋器件的实现。该膜结构体例如通过使用含有氧化镁和氟化镁的靶的溅射形成。
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公开(公告)号：CN100477225C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200580001365.5
申请日：2005-09-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C2013/0054 , G11C2213/31 , G11C2213/71 , G11C2213/79 , H01L27/105 , H01L27/1052 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/147 , H01L45/1625 , H01L45/1675 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供一种具有与现有技术元件不同的结构，电阻变化特性优良的电阻变化元件。其存在电阻值不同的两种以上的状态，通过施加规定电压或者电流，可以从在上述两种以上的状态中选择的一种状态向另一种状态变化的电阻变化元件，其中，包括上部电极和下部电极以及由上述双方电极夹持的电阻变化层的多层构造体被配置在基板上，电阻变化层具有尖晶石结构，上述下部电极的上述电阻变化层的表面被氧化。这种电阻变化元件可在400℃以下的制造过程中制造。
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公开(公告)号：CN100466322C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN02803917.3
申请日：2002-01-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L43/08 , H01L27/105 , G11C11/14 , G11C11/15
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11C11/15 , G11C11/16 , H01F10/32 , H01F10/3213 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01L27/222 , H01L29/66984
Abstract: 本发明提供一种磁存储元件，包含磁电阻元件、用于发生使所述该元件的电阻值变化的磁束的导线、和该磁束通过的至少一个强磁性体，强磁性体形成磁隙，在该磁隙，磁束通过上述元件，并且以下关系式a)～c)成立。a)M1≤2Lg，b)Lw/Ly≤5和Ly/Lt≥5的至少之一，c)Ly≤1.0μm。其中，M1为沿平行于磁隙方向测定的元件的长度，Lg为磁隙的长度，Lt为强磁性体的厚度，Lw为强磁性体在导线延伸方向上的长度，Ly为磁束通过强磁性体内的距离。本发明还提供一种与该元件一样、有助于存储器高容量化的另外的元件等。
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公开(公告)号：CN1647288A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN03807996.8
申请日：2003-03-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L35/26 , H01L35/22 , H01L35/34 , H01L21/363
CPC classification number: H01L35/22 , H01L35/34 , Y10T428/12528
Abstract: 本发明的热电变换材料，在由用化学式AxCoO2所表示的层状钴氧化物类物质组成的热电变换材料中，A由选自碱金属元素及碱土元素的元素或元素组构成，并且在所述层状钴氧化物类物质的结构中的层的厚度方向上有组成的调变。
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公开(公告)号：CN1503912A
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN02808235.4
申请日：2002-04-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L43/10 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3916 , G11B2005/3996 , H01F10/3204 , H01F10/3231 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01F10/3295 , Y10T428/115
Abstract: 本发明提供了MR比和热稳定性优良的磁阻(MR)元件，它所含的至少一个磁层包括由M100－aXa表示的铁磁材料M－X。此时，M是选自Fe、Co和Ni中的至少一种，X表示为X1b2cX3d(X1是选自Cu、Ru、Rh、Pd、Ag、Os、Ir、Pt和Au中的至少一种，X2是选自Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Ga、Ge、Y、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Re、Zn和镧系元素中的至少一种，并且X3是选自Si、B、C、N、O、P和S中的至少一种)，并且a、b、c和d满足0.05≤a≤60，0≤b≤60，0≤c≤30，0≤d≤20，并且a＝b+c+d。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1348221A
公开(公告)日：2002-05-08
申请号：CN01136117.4
申请日：2001-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/222 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/098 , G11B5/3909 , G11B5/3932 , G11B2005/3996 , G11C11/16 , H01L27/22
Abstract: 一种磁阻元件,包括一垂直电流型磁阻元件;用于使一电流流入该垂直电流型磁阻元件的第一导体;和用于使该电流流出该垂直电流型磁阻元件的第二导体,其中该第一导体根据该电流生成第一磁场,该第二导体根据该电流生成第二磁场,该第一导体和第二导体被定位以使第一磁场和第二磁场起到施加在该垂直电流型磁阻元件上的一偏磁场的作用。
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公开(公告)号：CN103717528B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201280035978.0
申请日：2012-07-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C01B31/02 , H01L29/161 , H01L29/786 , H01L51/05
CPC classification number: H01B3/004 , C01B32/184 , C01B32/23 , H01B13/18 , H01L29/66742 , H01L29/78684 , Y10T428/24802 , Y10T428/24851
Abstract: 本发明的氧化碳薄膜的制造方法，包括：准备碳薄膜和与碳薄膜接触且含有Cu2O和CuO的混合体的铜氧化物的第一步骤；和通过在碳薄膜与铜氧化物之间施加以碳薄膜一侧为正的电压或电流，使碳薄膜的与铜氧化物接触的部分氧化而使其变化为由氧化碳构成的氧化部，从而形成具有氧化部的氧化碳薄膜的第二步骤。该制造方法是在以石墨烯为代表的碳薄膜形成纳米数量级的图案的方法，能够作为用于制造电子器件的工艺技术的通用的应用。
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公开(公告)号：CN100461479C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200480023312.9
申请日：2004-12-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种具有高热电转换性能的热电转换装置。在该装置中，电极的配置与根据以往的技术常识的配置不同，配置成使电流沿层状物质的层间方向流动。在基于本发明的热电转换装置中，热电转换膜是通过外延生长获得的膜，并且电气传导层与电气绝缘层交替配置，电气传导层具有过渡金属原子(M)位于中心、同时氧原子位于顶点的八面体晶体结构，电气绝缘层由金属元素或结晶性金属氧化物构成。而且，由电气传导层和电气绝缘层构成的层状物质的c轴与基体的面内方向平行，一对电极配置成使电流沿c轴流动。
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公开(公告)号：CN100365843C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN02803898.3
申请日：2002-01-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L43/08 , H01L27/105 , G01R33/09 , G11B5/39 , H01F10/193
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11C11/15 , G11C11/16 , H01F10/32 , H01F10/3213 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01L27/222 , H01L29/66984
Abstract: 本发明提供由电压驱动的自旋开关，该自旋开关包含：强磁性体、与其磁耦合的磁性半导体、与磁性半导体磁耦合的反强磁性体、和经绝缘体与磁性半导体连接的电极，通过电极电压的变化，磁性半导体在强磁性和顺磁性之间可逆地变化，在使磁性半导体向强磁性变化时，强磁性体通过与所述磁性半导体磁耦合而在规定方向被磁化。
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公开(公告)号：CN1281969C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN02808235.4
申请日：2002-04-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L43/10 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3916 , G11B2005/3996 , H01F10/3204 , H01F10/3231 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01F10/3295 , Y10T428/115
Abstract: 本发明提供了MR比和热稳定性优良的磁阻(MR)元件，它所含的至少一个磁层包括由M100-aXa表示的铁磁材料M-X。此时，M是选自Fe、Co和Ni中的至少一种，X表示为Xb1Xc2Xd3(X1是选自Cu、Ru、Rh、Pd、Ag、Os、Ir、Pt和Au中的至少一种，X2是选自Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Ga、Ge、Y、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Re、Zn和镧系元素中的至少一种，并且X3是选自Si、B、C、N、O、P和S中的至少一种)，并且a、b、c和d满足0.05≤a≤60，0≤b≤60，0≤c≤30，0≤d≤20，并且a＝b+c+d。
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