公开(公告)号：CN1195883A

公开(公告)日：1998-10-14

申请号：CN98101070.9

申请日：1998-04-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 太田顺道 ,  正户宏幸 ,  熊渕康仁 ,  北畠真

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/6606 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/0495 ,  H01L21/268 ,  H01L21/8258 ,  H01L29/66068 ,  Y10S438/931

Abstract: 在由碳化硅构成的衬底的上面沉积由镍等构成的第一金属膜及第二金属膜。在该状态中,第一金属膜和衬底的界面及第二金属膜和衬底的界面共为肖特基接触。接着,从衬底的上面一侧,将激光的前端部缩小仅对衬底的第一金属膜照射激光。因此,即使不加热衬底整体,通过激光的能量使第一金属膜和衬底构成的金属－半导体界面合金化,由于在第一金属膜和衬底的界面得到欧姆接触,其结果,得到由第一金属膜构成的欧姆电极。

公开(公告)号：CN101233615B

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN200680027399.6

申请日：2006-07-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北畠真 ,  楠本修 ,  内田正雄 ,  山下贤哉

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/12 ,  H01L21/822 ,  H01L29/47 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78 ,  H01L27/06 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7806 ,  H01L23/62 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7811 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/0568 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/4868 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/4878 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48744

Abstract: 本发明提供一种半导体元件和一种电气设备。本发明的半导体元件(20)包括多个场效应晶体管(90)和肖特基电极(9a)，上述肖特基电极(9a)以沿着形成有上述多个场效应晶体管(90)的区域的外周的方式设置。

公开(公告)号：CN101233616B

公开(公告)日：2010-04-14

申请号：CN200680027400.5

申请日：2006-07-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北畠真 ,  楠本修 ,  内田正雄 ,  山下贤哉

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/12 ,  H01L21/822 ,  H01L29/47 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78 ,  H01L23/52 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7806 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7811 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/0568 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/4868 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/4878 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体元件和电气设备，该半导体元件(20)具有场效应晶体管(90)、肖特基电极(9a)和多个接合垫(12S、12G)，上述多个接合垫(12S、12G)中至少一个以位于上述肖特基电极(9a)的上方的方式配置。

公开(公告)号：CN100472736C

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200410083545.X

申请日：2004-10-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山下贤哉 ,  北畠真 ,  楠本修 ,  高桥邦方 ,  内田正雄 ,  宫永良子

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/518 ,  H01L21/049 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7828

Abstract: 一种碳化硅—氧化物层叠体的制造方法，通过热氧化处理，在SiC基板(10)上形成作为主要由SiO2构成的氧化物层即栅极绝缘膜(7’)之后，在腔室(20)内的惰性气体气氛中进行退火。此后，在设置有真空泵(31)的腔室(30)内设置SiC基板(10)，并在超过1100℃且不足1250℃的高温下，将碳化硅—氧化物层叠体A暴露于被减压的NO气体气氛中，则氮会扩散到栅极绝缘膜(7’)内，从而可获得在下部具有氮浓度高的区域且相对介电常数在3.0以上的、作为含V族元素氧化物层的栅极绝缘膜(7)。也可以降低含V族元素氧化物层—碳化硅层之间的界面区域的界面能级密度。本发明提供一种用于制作低损耗且高可靠性的MISFET等的碳化硅—氧化物层叠体，及其制造方法以及半导体装置。

公开(公告)号：CN101218676A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200680024996.3

申请日：2006-07-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北畠真

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7806 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供一种实现高速开关动作和能量损失减少的并存，并且基于由电气设备的电感负荷等产生的反电动势的电流集中耐性优异的半导体装置和电气设备。本发明的半导体装置(100)包括：由第一导电型的宽禁带半导体构成的半导体层(3)；晶体管单元(101T)，其形成有使电荷载流子在半导体层(3)的厚度方向移动的立式电场效应晶体管(102)；和二极管单元(101S)，其形成有肖特基电极(9)与半导体层(3)肖特基接合的肖特基二极管(103)，其中，在半导体层(3)上，在平面视图中，基于假想的分界线(30)划分为多个四边形的子区域(101T、101S)，并且具有作为晶体管单元的子区域(101T)、和作为二极管单元的子区域(101S)。

公开(公告)号：CN1505170A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN200310117969.9

申请日：2003-11-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高桥邦方 ,  楠本修 ,  北畠真 ,  内田正雄 ,  山下贤哉

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/02 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7828 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7838

Abstract: 本发明提供一种SiC－MISFET及其制造方法。累积型SiC－MISFET，具备：SiC基板(1)、n型漂移层(2c)、p型阱区域(3)、n型源区域(4)、包含n型杂质成为累积型沟道层的SiC沟道层(5)、p型高浓度传导层(9)、栅绝缘膜(6)、栅电极(13)等。另外，设置向n型漂移层(2c)的上面部部分地注入p型杂质离子而形成的，并包含比阱区域(3)具有更高浓度的同导电型杂质的部分高浓度注入层(7A)。由此，提供常截止的累积型SiC－MISFET，可以流过高电流密度的漏极电流。

公开(公告)号：CN1349663A

公开(公告)日：2002-05-15

申请号：CN00807221.3

申请日：2000-11-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 横川俊哉 ,  高桥邦方 ,  楠本修 ,  北畠真 ,  上野山雄

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/338 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/155 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/365 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 在SiC、GaN、GaAs等的衬底3上,交互、叠层生长厚度50nm左右的未掺杂层22和厚度薄到能发挥量子效应程度(例如10nm左右)的n型掺杂层23、形成有源区30。因n型掺杂层23的量子效应产生的次能级使载流子能分布到未掺杂层22上,由于在杂质少的未掺杂层22中杂质散射减少,能够得到高的载流子迁移率,与此同时,当有源区全体耗尽化时,利用载流子从有源区30消失的现象,因未掺杂层22能够得到大的耐压值。

公开(公告)号：CN1059756C

公开(公告)日：2000-12-20

申请号：CN94105493.4

申请日：1994-05-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川崎哲生 ,  是近哲広 ,  北畠真 ,  平尾孝

IPC: H01L43/12

CPC classification number: H01L43/08 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/02631 ,  H01L43/065 ,  Y10S438/974

Abstract: 本发明的半导体薄膜制造方法包括：在氢终止基板上形成由铝、镓、铟中选一种或两种所组成的厚度在0.1～3nm范围的起始层的工序；在该起始层上在250～430℃温度范围内开始成膜、成膜温度不高于430℃形成由铟与锑、或者是铝和镓中一种同铟与锑组成的缓冲淀积层的工序；以370～460℃温度范围内高于缓冲淀积层形成起始温度的温度在该缓冲淀积层上形成由铟与锑、或者是铋和镓中一种同铟与锑组成的半导体薄膜的工序。

公开(公告)号：CN1244948A

公开(公告)日：2000-02-16

申请号：CN98802095.5

申请日：1998-11-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉田哲久 ,  北川雅俊 ,  内田正雄 ,  北畠真 ,  三露常男

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L29/6606 ,  H01L21/046 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/861 ,  Y10T29/41

Abstract: 对于添加了杂质元素的SiC衬底1和SiC薄膜2,照射波长比引起上述半导体的能带边缘吸收的波长还长的激光5,或者照射由半导体的结构元素与杂质元素之间的结合的振动吸收的波长,例如9—11μm的波长的激光5。特别是当在SiC中添加了Al时,照射波长9.5—10μm的激光5。

公开(公告)号：CN103222175B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201180021208.6

申请日：2011-06-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 风间俊 ,  田米正树 ,  北畠真

IPC: H02M7/5387 ,  H02M7/497 ,  H02M1/12

CPC classification number: H03K17/164 ,  H02M1/15 ,  H02M7/497 ,  H02M7/5387

Abstract: 本发明提供能有效地抑制开关噪声的电力变换装置。本发明具备电容器（111）、与其并联连接的开关元件（Q11a、Q11b）和个别地控制开关元件（Q11a、Q11b）中的开关动作的控制器（105），形成有包含开关元件（Q11a）和电容器（111）的闭合电路以及包含开关元件（Q11b）和电容器（111）的闭合电路，控制器（105）以使振铃电压在各闭合电路间相互抵消的方式使开关动作的定时相互错开，所述振铃电压因在开关元件（Q11a、Q11b）中进行的导通或者截止的开关动作而在上述各闭合电路中产生，并分别具有由包含在各闭合电路中的电感和包含在该闭合电路中的开关元件的输出电容规定的频率。