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公开(公告)号：CN115142134A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210781925.9
申请日：2022-07-05
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于氮化镓制备领域，为解决如何使用无毒无害的氮源用以制备尺寸较大、厚度较小的二维氮化镓材料的问题，本发明提供一种镓基液态金属辅助制备二维氮化镓的方法，本技术方案通过化学气相沉积实现，包含三步：(1)使用镓基液态金属在氧化硅片上制得二维氧化镓薄膜；(2)将二维氧化镓薄膜与氮源尿素(CH4N2O)置于管式炉中；(3)在氧化硅基底上发生化学反应并产生二维氮化镓薄膜。使用本发明提供的技术方案制备的二维氮化镓表面平整度良好、尺寸较大，便于商业化生产。
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公开(公告)号：CN114222493A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111605726.4
申请日：2021-12-25
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于电磁屏蔽材料领域，为解决传统Mxene材料阻抗匹配性能差和力学性能差的问题，本发明提供一种高韧性Mxene复合电磁屏蔽膜及制备方法和应用，制备方法为第一步制备Ti3C2Tx Mxene；第二步通过带正电荷的PEDOT分子链与Mxene表面极性官能团的静电作用，将PEDOT分子链均匀地堆积在Mxene平面两侧制备，制得Mxene与PEDOT复合膜。本方法制备的膜，实现了更高的屏蔽效果和断裂伸长率，其电磁屏蔽效应达80dB和断裂伸长率提高3倍，可应用于微波暗室、可穿戴式电磁防护方面。
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公开(公告)号：CN113465490A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110706732.2
申请日：2021-06-24
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01B7/16
Abstract: 本发明公开了一种正压导应变传感器及其制备方法，以CNF‑C透明水凝胶中绝缘的纳米纤维素(CNF)为填充材料，溶解在透明水凝胶中的Na+或K+、Cl+离子为导电相，均匀分散后得到具有粘流性的液态导电凝胶，该导电凝胶被注入到弹性基体通孔中进行包覆，即可得到可拉伸的应变传感器，解决了应变传感领域中，大应变下电阻信号过大或电流信号过小导致难以测量的难题，从信号测量角度实现了应变传感范围的扩增，且所需原料廉价易得，成本极大地降低。
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公开(公告)号：CN110838519A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201910977844.4
申请日：2019-10-15
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/732 , H01L21/34 , H01L31/0296 , H01L31/032 , H01L31/11 , H01L41/08 , H01L41/113 , H01L41/18
Abstract: 本发明公开了一种柔性ZnO/NiO/ZnO多功能三极管，该结构为从上到下依次为发射极、基极、集电极、柔性导电衬底；所述的柔性导电衬底为柔性衬底上设有导电层；所述的发射极材料为ZnO，所述的基极材料为NiO，所述的集电材料为ZnO，所述的发射极、基极、集电极的一侧对齐，所述的发射极和柔性衬底的导电层上设有电极。本发明通过压电效应与半导体能带工程的耦合作用实现该晶体管在光电探测，力电传感以及纳米发电等多种功能化应用。
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公开(公告)号：CN113671800B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202110751667.5
申请日：2021-07-02
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种提升BE光刻工艺对位性能的方法，包括以下步骤：(a)通过前层BV光刻技术在硅片上制作对准标记沟槽和套刻标记沟槽；(b)在对准标记沟槽和套刻标记槽沟内通过电沉积形成Cu镀层，控制沉积量使对准标记沟槽和套刻标记沟槽的顶部预留一小段沟槽；(c)沉积TaN形成第一TaN层并经CMP平坦化；(d)在硅片表面覆盖上掩膜版，使对准标记沟槽和套刻标记沟槽上方的区域暴露形成矩形刻蚀区域，对矩形刻蚀区域进行刻蚀，形成沉积沟槽；(e)除去掩膜版，在硅片表面沉积第二TaN层，使对准标记沟槽、套刻标记沟槽及沉积沟槽形成呈现随形拓扑结构的对位标记。本发明能实现BE‑BV之间的直接套刻对位，降低后续工艺复杂性和成本，提高对位精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116253924A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310411072.4
申请日：2023-04-18
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及聚苯乙烯工程塑料领域，提供一种高硬度抗菌聚苯乙烯工程塑料的制备方法，包括以下步骤：使所述聚苯乙烯泡沫塑料溶解于所述D‑柠檬烯溶液中，加入乙醇溶液，进行搅拌使液体中产生固体；加热并保温，并在保温过程中进行搅拌，得到淡黄色固体；将所述淡黄色固体冷却后，得到高硬度抗菌聚苯乙烯工程塑料。本发明利用橘皮精油回收、改善聚苯乙烯泡沫的性能，且D‑柠檬烯具有抑菌无毒，安全环保的优点，获得了强度高、重量轻、抗菌的工程塑料制品。
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公开(公告)号：CN115142134B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202210781925.9
申请日：2022-07-05
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于氮化镓制备领域，为解决如何使用无毒无害的氮源用以制备尺寸较大、厚度较小的二维氮化镓材料的问题，本发明提供一种镓基液态金属辅助制备二维氮化镓的方法，本技术方案通过化学气相沉积实现，包含三步：(1)使用镓基液态金属在氧化硅片上制得二维氧化镓薄膜；(2)将二维氧化镓薄膜与氮源尿素(CH4N2O)置于管式炉中；(3)在氧化硅基底上发生化学反应并产生二维氮化镓薄膜。使用本发明提供的技术方案制备的二维氮化镓表面平整度良好、尺寸较大，便于商业化生产。
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公开(公告)号：CN113793762B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202111049578.2
申请日：2021-09-08
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种分级核壳ZnO/NiCo‑LDH电极材料制备方法，包括以下步骤：(1)制备表面生长有一维ZnO纳米阵列的碳布；(2)制备表面生长有分级核壳ZnO纳米阵列的碳布；(3)制备分级核壳ZnO/NiCo‑LDH电极材料。本发明的分级核壳ZnO/NiCo‑LDH电极材料制备方法，工艺步骤简单，可操作性强，得到的分级核壳ZnO/NiCo‑LDH电极材料稳定性与电容性能好，为功能纳米材料的工业化生产与储能应用提供了可行性路线与理论基础与理论依据。
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公开(公告)号：CN110838519B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN201910977844.4
申请日：2019-10-15
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/732 , H01L21/34 , H01L31/0296 , H01L31/032 , H01L31/11 , H01L41/08 , H01L41/113 , H01L41/18
Abstract: 本发明公开了一种柔性ZnO/NiO/ZnO多功能三极管，该结构为从上到下依次为发射极、基极、集电极、柔性导电衬底；所述的柔性导电衬底为柔性衬底上设有导电层；所述的发射极材料为ZnO，所述的基极材料为NiO，所述的集电材料为ZnO，所述的发射极、基极、集电极的一侧对齐，所述的发射极和柔性衬底的导电层上设有电极。本发明通过压电效应与半导体能带工程的耦合作用实现该晶体管在光电探测，力电传感以及纳米发电等多种功能化应用。
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公开(公告)号：CN113793762A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111049578.2
申请日：2021-09-08
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种分级核壳ZnO/NiCo‑LDH电极材料制备方法，包括以下步骤：(1)制备表面生长有一维ZnO纳米阵列的碳布；(2)制备表面生长有分级核壳ZnO纳米阵列的碳布；(3)制备分级核壳ZnO/NiCo‑LDH电极材料。本发明的分级核壳ZnO/NiCo‑LDH电极材料制备方法，工艺步骤简单，可操作性强，得到的分级核壳ZnO/NiCo‑LDH电极材料稳定性与电容性能好，为功能纳米材料的工业化生产与储能应用提供了可行性路线与理论基础与理论依据。
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