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公开(公告)号：CN113433461A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110700526.0
申请日：2021-06-23
Applicant: 昆明理工大学
Inventor： 于洁 , 马文会 , 李东鑫 , 李绍元 , 吕国强 , 万小涵 , 魏奎先 , 谢克强 , 陈正杰 , 秦博 , 刘战伟 , 颜恒维 , 雷云 , 伍继君 , 吴丹丹 , 任永生
IPC: G01R31/378 , G01R31/364 , G01R31/385
Abstract: 本发明公开了一种大容量硅‑空气电池及放电测试系统，属于电池技术领域。硅‑空气电池单体测试系统包括空气阴极安装板、空气阴极、电池槽体、螺钉、硅负极窗口和硅负极，阴极安装板、空气阴极、垫片和电池槽体从前至后串叠排列在一起由螺钉固定连接，空气阴极和电池槽体间的垫片，防止电解质的泄露，电池槽体内可填充大容量电解液，其依据硅空气电池对工作环境特有的需求进行设计，并形成一种合理模型，更换电池负极硅片及电解液十分方便快捷，对电池整体的性能、可靠性、易组装性都有了很大的提升，同时简化了工艺和降低了成本。
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公开(公告)号：CN118745511B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411121674.7
申请日：2024-08-15
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C22B4/06 , C22C30/02 , C22C30/04 , C22C27/02 , C22B9/00 , C22B9/04 , C22B9/10 , C01B33/037 , B09B3/40
Abstract: 本发明公开了一种通过补偿法利用光伏硅废料设计制备硅基高熵合金的方法，具体包括以下步骤：（1）将硅片切割浆液进行预处理；（2）高温精炼，随炉冷却；（3）破碎，并与溶剂金属进行熔料，待金属完全熔化后进行定向凝固，随炉冷却；（4）沿硅富集区与硅基合金的分界面切割分离，得到硅富集区；（5）按照硅基高熵合金的组分配比，配制目标金属材料；（6）将硅富集区与目标金属材料进行熔炼，静置保温，浇注到模具中，随炉冷却，即得。本发明利用“补偿法”设计制备硅基高熵合金的新思路能够缩短除杂流程，并通过合理的成分调配和组织控制，实现优质高熵合金材料的制备。
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公开(公告)号：CN118727130A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410761197.4
申请日：2024-06-13
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本申请提供的一种单晶硅生长温度控制方法及系统，涉及智能控制技术领域，通过获得单晶硅生长温度监测信息；根据所述单晶硅生长温度监测信息，计算单晶硅温度场分布；连接所述单晶硅生长温度控制装置，读取单晶硅生长温度控制记录集；根据所述单晶硅生长温度控制记录集对所述单晶硅温度场分布进行单晶硅生长温度控制解析，生成单晶硅生长温度控制方案；根据所述单晶硅生长温度控制方案和所述单晶硅生长温度控制装置进行单晶硅生长温度控制，解决了如何确保单晶硅的高速、高质量生长的技术问题，可有效提升单晶硅生产效率及单晶硅质量。
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公开(公告)号：CN116621181A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310669557.3
申请日：2023-06-07
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B33/037 , F27B14/04 , F27B14/08
Abstract: 本发明公开了一种表面高活性硅片切割废料高效熔炼的方法和熔炼炉，按表面高活性硅片切割废料与酸性溶剂液固比mL:g＝(10～20):1进行酸浸，得到硅片切割废料浆液，经多次洗涤得到预处理硅料，加入有机溶剂或高纯去离子水与粘结剂的混合液制成硅片切割废料悬混液，利用喷雾干燥仪在惰性气体气氛下造粒得到微米硅球，微米硅球置于高频感应熔炼炉内进行中真空熔炼，即可实现表面高活性硅片切割废料的快速高效熔炼。本发明实现了表面高活性硅片切割废料的高效熔炼并同步精炼，提升了表面高活性硅片切割废料回收率；该方法具有设备要求简单、操作安全简便、环境友好等优点，适合规模化工业生产。
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公开(公告)号：CN110396068B
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN201910661275.2
申请日：2019-07-22
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C07D249/06 , A01P3/00
Abstract: 本发明公开结构式如式Ⅰ或式Ⅱ所示的4‑邻烷氧芳基‑1,2,3‑三唑衍生物：，其中R1选自H、Me、OMe、OH、CH2OH、F、Cl、Br；R2选自H、Me、OMe、F、Cl、Br；R3选自H、Me、OMe、OEt、nPrO、F、Cl、Br；R4选自Me、Et、nPr、iPr、Cy；本发明以1,4‑二取代‑1,2,3‑三氮唑为原料，在过渡金属催化作用下使4号位芳基邻位碳‑氢键直接转变为烷氧基，选择性合成4‑邻烷氧芳基‑1,2,3‑三唑衍生物；本发明合成的化合物同时含有1,2,3‑三唑环及烷氧基官能团，对三七根腐病致病菌具有很好的抑制效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115432705A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211133305.0
申请日：2022-09-15
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明公开了溶剂添加与定向凝固相结合去除工业硅中杂质P的方法，向工业硅中加入溶剂Fe或Sn后在氩气气氛的高温炉中进行定向凝固，使P富集在Fe或Sn含量高的一端，去除该富集端，以去除P；本发明向工业硅中加入金属溶剂Fe或Sn，并采用定向凝固去除工业硅中的P；现有技术中工业硅单独使用定向凝固并无法达到杂质P的向上富集效果，本发明加入金属溶剂后，可根据所加金属Fe或Sn的分凝系数及金属与P的相互作用力从而达到杂质P的富集；结果表明，与单独对工业硅进行定向凝固相比，经过加入金属溶剂，进行定向凝固得到的样品去除顶部后的P含量的去除率可达95.6％。
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公开(公告)号：CN119614881A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202510079560.9
申请日：2025-01-18
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C22B7/04 , C22B26/20 , C22B26/22 , C22B5/04 , C22B4/06 , C22C21/02 , C22B9/00 , C01F5/28 , C01F7/50
Abstract: 本发明公开了一种金刚线切割硅废料和CaF2‑MgO废渣再生制备低氧Al‑Si‑Ca合金、AlF3、MgF2的方法，属于固废资源二次利用技术领域。本发明包括：(1)将金刚线切割硅废料、CaF2‑MgO废渣和金属Al粒混合均匀得到混合物料；(2)将所述步骤(1)得到的混合物料置于惰性气氛调节形成的微负压条件下，进行电磁感应加热使得混合物料熔化，并恒温还原熔炼，得到均匀的Al‑Si‑Ca合金熔体、熔融残渣以及挥发产物AlF3和MgF2；(3)对挥发产物AlF3和MgF2进行冷凝收集，待Al‑Si‑Ca合金熔体和熔融残渣降温后，经渣‑金分离后得到低氧Al‑Si‑Ca合金锭及还原残渣。本发明通过简便、高效，清洁的方式对多种废料进行综合利用，获取多样化的高附加值产品，有助于节约资源消耗，减少环境污染。
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公开(公告)号：CN119040635A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411163598.6
申请日：2024-08-23
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C22B7/00 , C22B11/02 , C22B21/00 , C01B33/037
Abstract: 本发明涉及一种超重力‑熔析分离废旧光伏电池片中Si、Al、Ag的方法，属于光伏固废再生利用技术领域。本发明将废旧光伏电池片置于超重力分离装置中，在惰性气氛下加热使表面的Ag和Al完全熔化，内部的Si片保持固相，超重力熔融分离得到固相单质Si和Al‑Ag‑Si熔体；Al‑Ag‑Si熔体匀速降温并使Al‑Ag‑Si熔体熔析得到Al‑Ag熔体和固相单质Si的混合物，超重力熔融分离得到Al‑Ag熔体和固相单质Si；将金属Mg添加至Al‑Ag熔体中并完全溶解，搅拌熔析得到Al熔体和固相Ag‑Mg化合物的混合物，超重力熔融分离得到Al熔体和固相Ag‑Mg化合物；固相Ag‑Mg化合物在温度900～1000℃下真空蒸馏分离，得到金属Ag与金属Mg，金属Mg返回循环使用。本发明可实现废旧光伏电池片中有价金属Si、Al、Ag的高效分离。
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公开(公告)号：CN118957387A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411058006.4
申请日：2024-08-02
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种超高硬度硅掺杂轻质高熵合金及其制备方法，属于高熵合金技术领域。所述超高硬度硅掺杂轻质高熵合金由纯度高于99.99％的Al、Cr、Cu、Fe、Si单质金属按照Al2CrCuFeSix配制后，其中x＝0.5～2.0，并通过真空感应熔炼制得。本发明以轻质高熵合金体系为模板，以Al和Si两种轻质元素来实现低密度，并选择Cr、Cu、Fe这些使用非常广泛的金属元素来合成AlCrCuFeSi系轻质高熵合金，原料成本低，元素间电负性差异小，物化性质相近，对于合金熔炼较为理想，并采用真空感应熔炼，熔炼过程易于控制，合金主元烧损较少，最终得到的成品有成分均匀和性能良好等优点。
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公开(公告)号：CN118957385A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411086605.7
申请日：2024-08-08
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种Al‑Cr‑Fe‑Ti‑Si轻质高熵合金及其制备方法。一种Al‑Cr‑Fe‑Ti‑Si轻质高熵合金，具有如下分子式：AlaCrFeTiSib，其中，0.5≤a≤2，0＜b≤2。本发明实施例提供的Al‑Cr‑Fe‑Ti‑Si合金的密度为3.93～4.56g/cm3，满足轻质高熵合金标准，同时具有高强高硬的综合力学性能、优异的化学性能，较传统金属材料及其他体系高熵合金具有突出的优势。
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