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公开(公告)号：CN118954686A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410981045.5
申请日：2024-07-22
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C02F1/28 , C09K17/02 , C05G1/00 , C01B32/05 , C02F9/00 , B01J20/20 , B01J20/30 , C09K101/00 , C02F101/10 , C02F1/00 , C02F101/16
Abstract: 本发明公开了一种农业面源流失氮磷再利用的方法，所述方法将以玉米秸秆为原料，分别制备镁改性、铁改性和碱改性生物炭，以1：1：1的比例混合后，可以做到同时去除水中N、P物质，在生物炭与处理水量比例达到1：3时，可将填充柱中的生物炭取出烘干研磨后回收进入农田施肥，本发明去除效率高，原材料环保，可以很好的解决农田退水中营养物质进入地表水造成的环境问题，可以实现氮磷的同步回收再利用。
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公开(公告)号：CN118480864A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410761201.7
申请日：2024-06-13
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开了用于连续直拉法单晶硅生长用液态连续加料装置，属于单晶硅生长领域，所述装置包括：电磁感应加热系统，所述电磁感应加热系统用于将固体硅加热融化成液态硅；供料管道与阀门自动控制系统，所述供料管道与阀门自动控制系统用于输送所述液态硅；单晶硅长晶炉内供料系统，所述单晶硅长晶炉内供料系统用于将输送的所述液态硅分配至长晶炉双坩埚外层。解决了现有单晶硅生长方法中存在加热效率低、供料控制精度低、长晶炉内供料均匀性差、自动化智能化水平低、安全性能低以及维护成本高等方面技术问题，从而导致单晶硅生产的效率、质量和稳定性差的技术问题。
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公开(公告)号：CN117385457A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311420048.3
申请日：2023-10-30
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种延缓单晶炉内籽晶变色的方法，属于半导体材料技术领域。本发明在单晶炉的副炉室内，沿中轴线竖直设置引气罩以匹配籽晶尖端位置和氩气流走向，增大籽晶尖端氩气流量以降低籽晶尖端温度，延缓籽晶变色，节省更换籽晶造成的时间成本；其中引气罩内壁沿周向均匀设置有若干条肋片，引气罩包括从上至下依次连接的引气罩S1段、引气罩S2段和引气罩S3段，引气罩S1段的顶部为微喇型进气端，引气罩S2段为圆柱形引气筒Ⅱ，引气罩S3段为漏斗型引气筒，引气罩内沿中轴线竖直设置有钼质重锤。引气罩还可提高单晶硅拉制过程中缩颈段和放肩段的气流流速，降低缩颈段和放肩段的晶体温度，增大温度梯度，缩短工序时间、提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN114813107A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210396854.0
申请日：2022-04-15
Applicant: 昆明理工大学
IPC: G01M13/021 , G01M13/04 , G06F30/17 , G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种降采样多周期微分均值的故障特征增强方法，属于故障诊断技术与信号处理分析技术领域；本发明方法针对在编码器信号中故障特征微弱的难题，提出本发明方法，该方法基于均值降采样抑制噪声特性、降低计算成本和减小存储空间的优势，结合多周期微分均值的累积特性，提出一种降采样多周期微分均值(Down‑sampling multi‑perioddifferential equalization，DSMPDM)方法对原始IAS信号中故障分量进行增强处理，进而抑制编码器安装误差、瞬时角速度估计误差和测量噪声等分量的干扰。本发明方法提出的DSMPDM方法可有效增强故障分量，进而消除编码器安装误差分量和测量噪声分量对故障特征辨识的干扰。
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公开(公告)号：CN117385457B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311420048.3
申请日：2023-10-30
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种延缓单晶炉内籽晶变色的方法，属于半导体材料技术领域。本发明在单晶炉的副炉室内，沿中轴线竖直设置引气罩以匹配籽晶尖端位置和氩气流走向，增大籽晶尖端氩气流量以降低籽晶尖端温度，延缓籽晶变色，节省更换籽晶造成的时间成本；其中引气罩内壁沿周向均匀设置有若干条肋片，引气罩包括从上至下依次连接的引气罩S1段、引气罩S2段和引气罩S3段，引气罩S1段的顶部为微喇型进气端，引气罩S2段为圆柱形引气筒Ⅱ，引气罩S3段为漏斗型引气筒，引气罩内沿中轴线竖直设置有钼质重锤。引气罩还可提高单晶硅拉制过程中缩颈段和放肩段的气流流速，降低缩颈段和放肩段的晶体温度，增大温度梯度，缩短工序时间、提高晶体质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114813107B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202210396854.0
申请日：2022-04-15
Applicant: 昆明理工大学
IPC: G01M13/021 , G01M13/04 , G06F30/17 , G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种降采样多周期微分均值的故障特征增强方法，属于故障诊断技术与信号处理分析技术领域；本发明方法针对在编码器信号中故障特征微弱的难题，提出本发明方法，该方法基于均值降采样抑制噪声特性、降低计算成本和减小存储空间的优势，结合多周期微分均值的累积特性，提出一种降采样多周期微分均值(Down‑sampling multi‑perioddifferential equalization，DSMPDM)方法对原始IAS信号中故障分量进行增强处理，进而抑制编码器安装误差、瞬时角速度估计误差和测量噪声等分量的干扰。本发明方法提出的DSMPDM方法可有效增强故障分量，进而消除编码器安装误差分量和测量噪声分量对故障特征辨识的干扰。
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公开(公告)号：CN118727130A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410761197.4
申请日：2024-06-13
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本申请提供的一种单晶硅生长温度控制方法及系统，涉及智能控制技术领域，通过获得单晶硅生长温度监测信息；根据所述单晶硅生长温度监测信息，计算单晶硅温度场分布；连接所述单晶硅生长温度控制装置，读取单晶硅生长温度控制记录集；根据所述单晶硅生长温度控制记录集对所述单晶硅温度场分布进行单晶硅生长温度控制解析，生成单晶硅生长温度控制方案；根据所述单晶硅生长温度控制方案和所述单晶硅生长温度控制装置进行单晶硅生长温度控制，解决了如何确保单晶硅的高速、高质量生长的技术问题，可有效提升单晶硅生产效率及单晶硅质量。
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公开(公告)号：CN202936469U
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201220124557.2
申请日：2012-03-29
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本实用新型涉及一种小零件热浸镀设备的卸料装置，属于热浸镀技术领域，由卸料槽、离心机、曲柄摇杆机构、推杆组成；曲柄摇杆机构中摇杆的转动中心要与料斗的转动中心重合，摇杆的摆角90°~100°，推杆与曲柄摇杆机构中的摇杆连接，振动或离心机放在卸料槽的物料出口处的下方。本实用新型具有卸料方式新颖、操作、维护和保养方便、卸料和运载平稳、适用性广、结构简单可靠、造价低廉，使用寿命长等特点。
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公开(公告)号：CN202936468U
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201220124538.X
申请日：2012-03-29
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本实用新型提出一种自翻转式小零件热浸镀的自动送卸料装置，属于热浸镀技术领域。支架固定在锌池的上方，接料槽可沿导轨间歇式左右往复移动；料斗与料斗心轴和从动曲柄组件一端通过转动副连接，双曲柄机构的连杆与料斗固接；转轮关于锌池对布置，并位于锌池的外侧，转轮通过转轮轴固定在支架的上方，转轮和齿轮固接，同时与料斗心轴通过转动副连接成一个整体，双曲柄机构的主动曲柄与转轮固接；从动曲柄组件的另一端与转轮轴通过转动副连接，双曲柄机构的机架与转轮轴固接。本实用新型操作、维护和保养方便；具有全过程平稳、可靠；结构简单、造价低廉、使用寿命长等特点。
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公开(公告)号：CN202849523U
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201220515573.4
申请日：2012-10-10
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本实用新型涉及到一种新型的限位式小零件热浸镀自动卸料装置，属于机械领域。自动卸料装置由限位挡板、料斗、转轮和卸料槽组成；限位挡板固定在卸料槽上，并位于卸料槽的入口；料斗通过转动副与转轮连接；本实用新型可以将已镀好零件的卸料送入振动或离心机等过程，同时，结构简单，方便实用，安全可靠；本实用新型除了可以应用在小零件热浸镀的自动化生产中使用外，在其他很多需要自动卸料的场合也适用。
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