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公开(公告)号：CN113433461B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202110700526.0
申请日：2021-06-23
Applicant: 昆明理工大学
Inventor： 于洁 , 马文会 , 李东鑫 , 李绍元 , 吕国强 , 万小涵 , 魏奎先 , 谢克强 , 陈正杰 , 秦博 , 刘战伟 , 颜恒维 , 雷云 , 伍继君 , 吴丹丹 , 任永生
IPC: G01R31/378 , G01R31/364 , G01R31/385
Abstract: 本发明公开了一种大容量硅‑空气电池及放电测试系统，属于电池技术领域。硅‑空气电池单体测试系统包括空气阴极安装板、空气阴极、电池槽体、螺钉、硅负极窗口和硅负极，阴极安装板、空气阴极、垫片和电池槽体从前至后串叠排列在一起由螺钉固定连接，空气阴极和电池槽体间的垫片，防止电解质的泄露，电池槽体内可填充大容量电解液，其依据硅空气电池对工作环境特有的需求进行设计，并形成一种合理模型，更换电池负极硅片及电解液十分方便快捷，对电池整体的性能、可靠性、易组装性都有了很大的提升，同时简化了工艺和降低了成本。
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公开(公告)号：CN118497532A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410573791.0
申请日：2024-05-10
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及铝合金制备技术领域，具体涉及一种在电磁场下对近共晶铝硅合金进行晶粒细化的方法。本发明采取物理晶粒细化法，主要通过电磁搅拌、定向凝固、重熔三个方面的影响因素对铝硅合金进行晶粒细化的工艺，以获得致密度高和各种机械性能良好的高品质铝硅合金。同时，本发明建立起相对完善的晶粒细化制备高品质铝硅合金的关键参数，在使铝合金熔体成为满足工业化应用所需的高品质铝硅合金方面具有较为广阔的前景，丰富了对合金熔体进行晶粒细化的手段，具有一定的科学和现实意义。
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公开(公告)号：CN117852210A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410010951.0
申请日：2024-01-04
Applicant: 昆明理工大学
IPC: G06F30/17 , G06F30/20 , G06F119/08 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种基于辐射传热角系数的水冷屏参数确定方法，属于水冷屏设计技术领域。该方法包括确定当前单晶硅棒圆柱面对水冷屏内表面的角系数；根据单晶硅棒与水冷屏的结构参数对所述角系数进行校正，得到单晶硅棒对水冷屏的辐射传热角系数；根据所述辐射传热角系数确定水冷屏的参数。本发明可获得不同形状的水冷屏与单晶硅棒之间的辐射传热角系数，进而为水冷屏的选取和设计提供科学依据。
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公开(公告)号：CN117385457A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311420048.3
申请日：2023-10-30
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种延缓单晶炉内籽晶变色的方法，属于半导体材料技术领域。本发明在单晶炉的副炉室内，沿中轴线竖直设置引气罩以匹配籽晶尖端位置和氩气流走向，增大籽晶尖端氩气流量以降低籽晶尖端温度，延缓籽晶变色，节省更换籽晶造成的时间成本；其中引气罩内壁沿周向均匀设置有若干条肋片，引气罩包括从上至下依次连接的引气罩S1段、引气罩S2段和引气罩S3段，引气罩S1段的顶部为微喇型进气端，引气罩S2段为圆柱形引气筒Ⅱ，引气罩S3段为漏斗型引气筒，引气罩内沿中轴线竖直设置有钼质重锤。引气罩还可提高单晶硅拉制过程中缩颈段和放肩段的气流流速，降低缩颈段和放肩段的晶体温度，增大温度梯度，缩短工序时间、提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN104018014A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410197521.0
申请日：2014-05-12
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种铝合金电磁脱气方法，属于材料与冶金过程技术领域。预处理：在氩气气氛中，首先将铝合金原料在常压、温度为570~2000℃条件下反应得到熔融产物；电磁定向凝固脱气：将上述步骤得到的熔融产物进行向下定向凝固处理，同时在外部加上交变电流，在控制冷却速率为1~100μm/s、熔融产物垂直方向温度梯度为1000~3000K/m条件下冷却至液相线温度获得产品；将上述步骤获得到产品切去头部和尾部即获得高品质的铝合金。本发明通过常压情况下利用电磁搅拌和定向凝固的作用使氢气能够较好地脱除到铝合金的表面，经过切头尾料处理后获得含氢量低于0.10ml/100g，气孔率低于0.15%的高品质铝合金。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116397120B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202310421938.X
申请日：2023-04-19
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种同时制备Cu3Si合金和共晶Si‑Ti合金的方法，属于合金材料制备技术领域。本发明将Si物料、TiSi2物料和金属铜物料混合均匀得到混合物料，混合物料置于真空或保护气氛条件下感应加热熔融，并恒温熔炼2～3h得到均匀的Si‑Ti‑Cu合金熔体；真空或保护气氛条件下，Si‑Ti‑Cu合金熔体经电磁感应定向凝固相分离与提纯得到Si‑Ti‑Cu合金锭，其中Si‑Ti‑Cu合金锭依次包括超冶金级Si或高纯TiSi2、Si‑Ti共晶合金、Cu3Si合金和杂质富集相；Si‑Ti‑Cu合金锭中的超冶金级Si或高纯TiSi2、Si‑Ti共晶合金、Cu3Si合金和杂质富集相沿着相界面切割，得到超冶金级Si或高纯TiSi2、Si‑Ti共晶合金、Cu3Si合金和杂质富集相，杂质富集相去除。本发明可同时制备组织成分均匀的高纯Cu3Si合金和共晶Si‑Ti合金。
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公开(公告)号：CN118745511A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202411121674.7
申请日：2024-08-15
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C22B4/06 , C22C30/02 , C22C30/04 , C22C27/02 , C22B9/00 , C22B9/04 , C22B9/10 , C01B33/037 , B09B3/40
Abstract: 本发明公开了一种通过补偿法利用光伏硅废料设计制备硅基高熵合金的方法，具体包括以下步骤：（1）将硅片切割浆液进行预处理；（2）高温精炼，随炉冷却；（3）破碎，并与溶剂金属进行熔料，待金属完全熔化后进行定向凝固，随炉冷却；（4）沿硅富集区与硅基合金的分界面切割分离，得到硅富集区；（5）按照硅基高熵合金的组分配比，配制目标金属材料；（6）将硅富集区与目标金属材料进行熔炼，静置保温，浇注到模具中，随炉冷却，即得。本发明利用“补偿法”设计制备硅基高熵合金的新思路能够缩短除杂流程，并通过合理的成分调配和组织控制，实现优质高熵合金材料的制备。
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公开(公告)号：CN118241055A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410317298.2
申请日：2024-03-20
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开了一种从含多种金属元素的稀土原材料中提取高纯Sc2O3的方法，属于湿法冶炼及稀土元素的提纯技术领域。本发明通过硫酸浸出、铁粉还原、萃取、洗涤、反萃与沉淀和再沉淀与煅烧等流程，进行Sc2O3的提纯，利用伯胺N1923萃取剂的高选择性，有效去除杂质，通过Sc(OH)3沉淀和草酸钪再沉淀后煅烧得到杂质含量极少的高纯度Sc2O3。本发明采取氢氧化物‑草酸两步沉淀法，极大地提高了Sc2O3的纯度，沉淀煅烧后的Sc2O3的纯度可达99.54‑99.96％，本发明进行铁粉还原、萃取‑反萃取等流程，有效去除了大部分杂质金属，如铁、锰、钙、铝、镁等金属的去除率高达96％‑99％。
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公开(公告)号：CN116397120A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310421938.X
申请日：2023-04-19
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种同时制备Cu3Si合金和共晶Si‑Ti合金的方法，属于合金材料制备技术领域。本发明将Si物料、TiSi2物料和金属铜物料混合均匀得到混合物料，混合物料置于真空或保护气氛条件下感应加热熔融，并恒温熔炼2～3h得到均匀的Si‑Ti‑Cu合金熔体；真空或保护气氛条件下，Si‑Ti‑Cu合金熔体经电磁感应定向凝固相分离与提纯得到Si‑Ti‑Cu合金锭，其中Si‑Ti‑Cu合金锭依次包括超冶金级Si或高纯TiSi2、Si‑Ti共晶合金、Cu3Si合金和杂质富集相；Si‑Ti‑Cu合金锭中的超冶金级Si或高纯TiSi2、Si‑Ti共晶合金、Cu3Si合金和杂质富集相沿着相界面切割，得到超冶金级Si或高纯TiSi2、Si‑Ti共晶合金、Cu3Si合金和杂质富集相，杂质富集相去除。本发明可同时制备组织成分均匀的高纯Cu3Si合金和共晶Si‑Ti合金。
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公开(公告)号：CN115650239A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211111564.3
申请日：2022-09-13
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明公开了一种高效去除冶金级硅中杂质的方法，属于硅提纯技术领域。本发明所述方法首先将含硼多晶硅，铜和微量亲硼添加剂铪混合均匀，得到混合物料，在氩气气氛中加入到电阻炉中熔料；待物料完全熔化后进行定向凝固，析出初晶硅晶体富集相及共晶Si‑Cu合金；然后将硅晶体富集相与共晶Si‑Cu合金沿分界面切割分离，得到精炼硅；将精炼硅研磨成硅粉，硅粉依次经王水、HF+HCl混酸酸洗得到高纯硅。相较于现有技术而言，本发明的杂质去除方法不仅能高效的去除B，还能同步去除冶金级硅中的Fe、Al、Ca、Ti、V等杂质，亲硼添加剂铪的去除率可达99.95％，不会对Si造成二次污染。
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