-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101058712B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710104637.5
申请日：2003-06-13
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , C23F1/16 , B24B37/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供了一种金属用研磨液，其含有氧化剂、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂以及水，所述金属防蚀剂是具有氨基三唑骨架的化合物和具有咪唑骨架的化合物中的至少一种。通过使用该研磨液，在半导体器件的配线形成工序中，能够在保持低的蚀刻速度的同时，充分提高研磨速度，抑制金属表面的腐蚀和碟陷现象的发生，能够形成可靠性高的金属膜埋入的图案。
-
公开(公告)号：CN103333661A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310241712.8
申请日：2009-12-10
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及一种研磨液，其为含有研磨粒、第1添加剂、第2添加剂和水的CMP用研磨液，所述第1添加剂为4－吡喃酮系化合物，该4－吡喃酮系化合物为下述通式（1）所表示的化合物，式中，X11、X12和X13各自独立地为氢原子或1价的取代基，其中，所述第2添加剂为饱和单羧酸。
-
公开(公告)号：CN101058712A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710104637.5
申请日：2003-06-13
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , C23F1/16 , B24B37/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供了一种金属用研磨液，其含有氧化剂、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂以及水，所述金属防蚀剂是具有氨基三唑骨架的化合物和具有咪唑骨架的化合物中的至少一种。通过使用该研磨液，在半导体器件的配线形成工序中，能够在保持低的蚀刻速度的同时，充分提高研磨速度，抑制金属表面的腐蚀和碟陷现象的发生，能够形成可靠性高的金属膜埋入的图案。
-
公开(公告)号：CN100343362C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN03826622.9
申请日：2003-06-13
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K13/00 , C09K3/14 , B24B37/00 , H01L21/304 , H01L21/306 , C23F1/16
CPC classification number: B24B37/00 , B24B37/04 , B24B37/044 , C09G1/02 , C23F1/42 , C23F3/00 , C23F3/06 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供了一种金属用研磨液，其含有氧化剂、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂以及水，所述金属防蚀剂是具有氨基三唑骨架的化合物和具有咪唑骨架的化合物中的至少一种。通过使用该研磨液，在半导体器件的配线形成工序中，能够在保持低的蚀刻速度的同时，充分提高研磨速度，抑制金属表面的腐蚀和碟陷现象的发生，能够形成可靠性高的金属膜埋入的图案。
-
公开(公告)号：CN1788070A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN03826622.9
申请日：2003-06-13
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K13/00 , C09K3/14 , B24B37/00 , H01L21/304 , H01L21/306 , C23F1/16
CPC classification number: B24B37/00 , B24B37/04 , B24B37/044 , C09G1/02 , C23F1/42 , C23F3/00 , C23F3/06 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供了一种金属用研磨液，其含有氧化剂、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂以及水，所述金属防蚀剂是具有氨基三唑骨架的化合物和具有咪唑骨架的化合物中的至少一种。通过使用该研磨液，在半导体器件的配线形成工序中，能够在保持低的蚀刻速度的同时，充分提高研磨速度，抑制金属表面的腐蚀和碟陷现象的发生，能够形成可靠性高的金属膜埋入的图案。
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.028 seconds)
