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公开(公告)号：CN111819792B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN201880090900.6
申请日：2018-11-19
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 在将由钽酸锂等形成的压电性材料基板和设置有氧化硅层的支撑基板接合时，使接合强度得到提高。接合体具备：支撑基板4；氧化硅层5，其设置于支撑基板4上；以及压电性材料基板1，其由选自由铌酸锂、钽酸锂及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成，并设置于氧化硅层5上。氧化硅层5侧的压电性材料基板1的表面电阻率为1.7×1015Ω/□以上。
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公开(公告)号：CN114731145A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080005715.X
申请日：2020-11-11
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H9/02
Abstract: 本发明提供能够抑制无法通过对接合体的压电性材料基板或支撑基板的接合面的表面形状进行控制来加以抑制的寄生波的结构。接合体具备：支撑基板；压电性材料基板，其由选自由铌酸锂、钽酸锂以及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成；以及接合层，其将支撑基板和压电性材料基板接合，并与压电性材料基板的主面接触。在利用椭圆偏振光谱法对所述支撑基板的接合面和所述压电性材料基板的接合面中的至少一者进行测定时，此时将反射光的p偏振光与s偏振光的相位差设为Δ时，在波长400nm至760nm之间的区域，所述相位差Δ的最大值与最小值之差为70°以下。
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公开(公告)号：CN113939998A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202080030208.1
申请日：2020-02-18
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H3/08 , H01L41/187 , H01L41/312 , H01L41/337 , H03H9/25
Abstract: 在将包含钽酸锂等的压电性材料基板和包含水晶的支撑基板接合时，使接合强度提高，使得即便减薄压电性材料基板也不会剥离。复合基板7、7A具有：支撑基板4，其包含水晶；压电性材料基板1、1A，其包含选自由铌酸锂、钽酸锂及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质；以及界面层5，其处于支撑基板4与压电性材料基板1、1A的接合界面。界面层5为以钽和铌中的至少一者、硅及氧为构成成分的非晶质结构。界面层5中的氢原子浓度、氮原子浓度及氟原子浓度分别为1×1018atoms/cm3以上5×1021atoms/cm3以下。
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公开(公告)号：CN111512549A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201880052346.2
申请日：2018-11-09
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 在将由铌酸锂等材质形成的压电性材料基板与设置有氧化硅层的支撑基板接合时，能够抑制接合体的特性劣化。接合体(8A)具备：支撑基板(3)；氧化硅层(7)，其设置于支撑基板(3)上；压电性材料基板(1A)，其设置于氧化硅层(7)上、并由选自由铌酸锂、钽酸锂和铌酸锂-钽酸锂组成的组中的材质形成。氧化硅层(7)中的氮浓度的平均值高于氧化硅层(7)与支撑基板(3)的界面(E)处的氮浓度、以及氧化硅层(7)与压电性材料基板(1A)的界面(D)处的氮浓度。
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公开(公告)号：CN105409119B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201480041519.2
申请日：2014-06-09
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK陶瓷设备株式会社
Abstract: 复合基板10是通过使用离子束的直接接合将压电基板12和支撑基板14接合而形成的。压电基板12的一面为负极化面12a，另一面为正极化面12b。用强酸蚀刻的速率是负极化面12a大于正极化面12b。压电基板12以正极化面12b与支撑基板14直接接合，负极化面12a在表面露出。另外，压电基板12的负极化面12a被强酸蚀刻。支撑基板14由用强酸蚀刻时的速率比压电基板12的负极化面12a大的材质制作。
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公开(公告)号：CN105409119A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201480041519.2
申请日：2014-06-09
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK陶瓷设备株式会社
CPC classification number: H01L41/081 , H01L41/277 , H01L41/312 , H03H3/10 , H03H9/02574 , H03H9/02834
Abstract: 复合基板10是通过使用离子束的直接接合将压电基板12和支撑基板14接合而形成的。压电基板12的一面为负极化面12a，另一面为正极化面12b。用强酸蚀刻的速率是负极化面12a大于正极化面12b。压电基板12以正极化面12b与支撑基板14直接接合，正极化面12b在表面露出。另外，压电基板12的负极化面12a被强酸蚀刻。支撑基板14由用强酸蚀刻时的速率比压电基板12的负极化面12a大的材质制作。
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公开(公告)号：CN111512549B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN201880052346.2
申请日：2018-11-09
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 在将由铌酸锂等材质形成的压电性材料基板与设置有氧化硅层的支撑基板接合时，能够抑制接合体的特性劣化。接合体(8A)具备：支撑基板(3)；氧化硅层(7)，其设置于支撑基板(3)上；压电性材料基板(1A)，其设置于氧化硅层(7)上、并由选自由铌酸锂、钽酸锂和铌酸锂‑钽酸锂组成的组中的材质形成。氧化硅层(7)中的氮浓度的平均值高于氧化硅层(7)与支撑基板(3)的界面(E)处的氮浓度、以及氧化硅层(7)与压电性材料基板(1A)的界面(D)处的氮浓度。
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公开(公告)号：CN109964405B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201780070878.4
申请日：2017-10-04
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种接合体，其中，压电性单晶基板6的材质为LiAO3(A为选自由铌及钽构成的组中的一种以上的元素)，接合层3A的材质为选自由铌及钽构成的组中的一种以上的元素的氧化物，沿着压电性单晶基板6与接合层3A的边界，设置有组成为ExO(1‑x)(E为选自由铌及钽构成的组中的一种以上的元素，0.29≤x≤0.89。)的界面层12。
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公开(公告)号：CN114731150A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080005724.9
申请日：2020-11-11
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H9/25
Abstract: 本发明提供能够抑制无法通过对接合体的压电性材料基板或支撑基板的接合面的表面形状进行控制来加以抑制的寄生波的结构。接合体具备：支撑基板；压电性材料基板，其由选自由铌酸锂、钽酸锂以及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成；以及接合层，其将支撑基板和压电性材料基板接合，并与压电性材料基板的主面接触。利用X射线反射率法对支撑基板的接合面和压电性材料基板的接合面中的至少一者进行测定，此时将全反射时的信号强度设为1时，在来自接合面的反射光的相对强度I为1.0×10－4以上1.0×10－1以下的范围内，通过下式(1)进行近似。【数学式1】I＝a(2θ)‑b·····(1)(θ为针对接合面的入射角，a为1.0×10－5以上2.0×10－3以下，b为5.0以上9.0以下。)。
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