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公开(公告)号:CN111024697A
公开(公告)日:2020-04-17
申请号:CN201911308913.9
申请日:2019-12-18
Applicant: 新疆众和股份有限公司
Abstract: 本发明为一种6061铝合金金相试样的制备方法。一种6061铝合金金相试样的制备方法,包括:S10:对6061铝合金板锭进行取样后,先粗磨,后将样品按如下顺序进行细磨:600#砂纸→1000#砂纸→1500#砂纸→2000#砂纸;S20:将细磨后的样品进行抛光处理,电源正极连接细磨后的样品,负极连接阴极材料,电压设定为15-20V,抛光2-3min;S30:判断抛光是否成功;S40阳极覆膜:将成功抛光后的样品放入阳极覆膜液中进行阳极覆膜,电压为15-20V,电流逐渐稳定于特定值1-2A,覆膜3-5min,再取出用蒸馏水冲洗后,吹干,得6061铝合金金相试样。本发明所述的一种6061铝合金金相试样的制备方法,能够高效的腐蚀出6061铝合金金相组织,且组织显示清晰,晶粒完整,为铝合金进行组织观察及晶粒度统计提供极大便利。
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公开(公告)号:CN108754196A
公开(公告)日:2018-11-06
申请号:CN201811000424.2
申请日:2018-08-30
Applicant: 新疆众和股份有限公司
Abstract: 本发明涉及合金母线加工技术领域,具体涉及一种键合用铝基合金母线的制备方法。主要技术方案为:一种键合用铝基合金母线的制备方法,包括如下步骤:配制混合原料;所述混合原料包括:铝原料、硅元素以及铁元素、铜元素、镍元素中的至少一种;熔炼混合原料;熔化后的混合液在预定温度保温预定时间;混合液中除铝以外的金属元素及杂质总含量低于200ppm;对混合液除气并过滤;将混合液进行棒材铸造;棒材进行均热化处理;棒材被挤压成键合用铝基合金母线。采用本发明能够提升键合用铝基合金母线的抗拉强度,并使其具有较高的延伸率。
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公开(公告)号:CN117904467A
公开(公告)日:2024-04-19
申请号:CN202311761913.0
申请日:2023-12-19
Applicant: 新疆众和股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种大规格7系铝合金铸锭的制备方法,包括:按照7系铝合金的元素组成配置原料,并熔炼得到铝合金液;对所述铝合金液进行精炼处理,再将所述铝合金液在磁场作用下进行半连续铸造成型,并在铸造成型过程中进行铺底操作和铺顶操作,使铝合金铸锭的两端均形成纯铝层和过渡层,得到φ600mm以上的大规格铝合金铸锭。本发明还公开一种大规格7系铝合金铸锭。本发明的方法无开裂风险,制得的铝合金铸锭晶粒细小,综合性能高。
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公开(公告)号:CN116944438A
公开(公告)日:2023-10-27
申请号:CN202310957804.X
申请日:2023-08-01
Applicant: 新疆众和股份有限公司
IPC: B22D11/115 , C22C1/06 , B22D11/119 , C22C1/03 , C22C21/08 , C22C21/04
Abstract: 本发明提供了一种铝合金铸锭及其制备方法。所述制备方法包括如下步骤:按照铝合金铸锭的元素组成配置各原料;将所述各原料混合熔融,制备铝合金液;对所述铝合金液进行精炼处理和化学细化处理,得到高洁净铝合金液;将所述高洁净铝合金液进行半连续铸造成型,得到铝合金铸锭;所述铸造成型在磁场作用下进行,所述磁场作用能够使所述高洁净铝合金液在所述铸造成型的过程中形成周向运动。
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公开(公告)号:CN115808079A
公开(公告)日:2023-03-17
申请号:CN202111078862.2
申请日:2021-09-15
Applicant: 新疆众和股份有限公司
IPC: F27B14/04 , F27B14/06 , F27B14/08 , F27B14/10 , F27B14/14 , F27B14/20 , B22D35/04 , C22C1/02 , C22C1/03 , C22C1/06 , C22C21/00
Abstract: 本发明公开了一种真空炉用无落差暗流浇铸的方法及设备,属于高纯铝真空冶炼技术领域。该设备包括真空中频熔炼炉、石墨坩埚、出铝溜槽、旋转溜槽和固定溜槽;所述真空中频熔炼炉的筒状炉体内放置石墨坩埚,石墨坩埚的上端设有坩埚上沿,坩埚上沿上开设竖直方向贯通的缺口形成流液通道,流液通道依次连接出铝溜槽、真空挡板阀、旋转溜槽和固定溜槽;铝熔体浇注时,真空中频熔炼炉炉体倾转,石墨坩埚中的铝熔体经流液通道流出,再经浇注组件直至结晶器完成无落差落铸。本发明通过真空炉配套无落差出铝溜槽的结构设计及特定工艺能够控制熔炼及浇铸过程熔体的稳定状态,避免熔体落差及扰动等造成气渣卷入,最终实现低气低渣的高品质高纯铝产品制备。
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公开(公告)号:CN113466322B
公开(公告)日:2022-10-14
申请号:CN202110671077.1
申请日:2021-06-17
Applicant: 新疆众和股份有限公司
IPC: G01N27/68 , G01N33/2028 , G01N33/205 , G01N1/44 , C22B21/00
Abstract: 本发明为一种高纯铝熔炼用接触材质对铝液污染程度的检测方法,所述的检测方法为:将固态的高纯铝成分检测后,放入坩埚中加热熔融,再每隔30min取样1次,检测高纯铝液的成分,最后根据所需分析元素,逐一计算其污染程度;其中,所述的坩埚采用接触材质制备而成;若接触材料无法制备成坩埚状,则将接触材料与高纯铝一起置于纯度99.9wt%以上纯度的刚玉坩埚进行加热熔融。本发明所述的一种高纯铝熔炼用接触材质对铝液污染程度的检测方法,通过材质在高温铝液内浸泡后对铝液的污染程度来实现材质的检测及评价。
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公开(公告)号:CN113444931B
公开(公告)日:2022-04-05
申请号:CN202110703339.8
申请日:2021-06-24
Applicant: 新疆众和股份有限公司
Abstract: 本发明为一种中子探测器中构架用铝片及其制备工艺。一种中子探测器中构架用铝片的制备工艺,包括:(1)将高纯铝锭熔融后,一次精炼,得熔体1;(2)加入高纯镁锭,熔融后,得熔体2;(3)所述的熔体2进行二次精炼,得熔体3;(4)所述的熔体3进行在线精炼,得熔体4;(5)所述的熔体4进行双级板式过滤,得熔体5;(6)铸造,得扁锭;(7)铣面后,经过热轧、冷轧处理,得箔片;(8)将所述的箔片清洗后,得所述的中子探测器中构架用铝片。本发明采用高纯铝添加高纯镁锭配置高纯铝镁合金熔体,通过精炼、过滤除气除渣处理后铸造铝镁扁锭;再将铝镁扁锭经过冷轧、热轧、清洗后,获得纯度及强度满足中子探测器使用需求的箔片。
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公开(公告)号:CN110592406A
公开(公告)日:2019-12-20
申请号:CN201910956260.9
申请日:2019-10-10
Applicant: 新疆众和股份有限公司
Abstract: 本发明为一种溅射用高纯铝铜合金靶材坯料的制备方法。一种溅射用高纯铝铜合金靶材坯料的制备方法,包括:S10:将99.999-99.9995%纯度的高纯铝与99.999%以上纯度的高纯铜进行真空熔融,得中间合金液:S20:将99.9995wt%以上纯度的高纯铝锭与所述的中间合金液进行熔炼,熔炼温度在720-800℃,完全熔融后,控制合金液温度到达730±5℃,静置保温15min;S30:进行炉内精炼;S40:进行在线精炼;S50:进行双极过滤;S60:进行φ120-164mm棒材坯料铸造,得所述的溅射用高纯铝铜合金靶材坯料。本发明所述的一种溅射用高纯铝铜合金靶材坯料的制备方法,该方法该使用超高纯铝原料及高纯铝铜中间合金,通过半连续铸造,制备出杂质元素含量低、组织均匀的高纯铝铜合金棒材。
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公开(公告)号:CN110208264A
公开(公告)日:2019-09-06
申请号:CN201910520694.4
申请日:2019-06-17
Applicant: 新疆众和股份有限公司
Abstract: 本发明为一种高纯铝母线金相样品的制样方法。一种高纯铝母线金相样品的制样方法,包括:(1)采用冷镶嵌法制备样品;(2)粗磨;(3)精磨;(4)电解抛光;(5)对将电解抛光后样品进行阳极覆膜或电解侵蚀处理;(6)使用光学显微镜进行组织观察。本发明所述的一种高纯铝母线金相样品的制样方法,适用于纯度在99.998%以上的高纯铝基样品,通过电解抛光使表面达到镜面效果,同时配合阳极覆膜或电解侵蚀工艺加速高纯铝的晶界腐蚀以达到较好的腐蚀效果,制备金相样品的晶界清晰可见,覆膜样品的衬度对比清晰,解决了高纯铝母线晶界腐蚀困难的问题。
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公开(公告)号:CN109628897A
公开(公告)日:2019-04-16
申请号:CN201811484894.0
申请日:2018-12-06
Applicant: 新疆众和股份有限公司
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C1/026 , C22C1/03 , C22C21/02
Abstract: 本发明为一种高纯铝硅合金溅射靶材坯料及其制备方法。一种高纯铝硅合金溅射靶材坯料的制备方法,包括:(1)将超纯铝与高纯硅真空熔融,配置成硅含量为7‑13wt%的中间合金熔体;(2)将中间合金熔体铸造成中间合金;(3)将超纯铝与中间合金真空熔融,配置成硅含量为0.9‑1.1wt%的高纯铝硅合金熔体;(4)将高纯铝硅合金熔体在线精炼,得精炼后的高纯铝硅合金熔体;(5)将精炼后的高纯铝硅合金熔体在线过滤,得铝液;(6)将铝液进行棒材坯料铸造,得所述的高纯铝硅合金溅射靶材坯料。本发明所述的一种高纯铝硅合金溅射靶材坯料及其制备方法,采用真空熔炼炉自配高纯铝硅中间合金后配制AL‑1wt%Si合金,通过铸造参数控制制备高纯净度、成分均匀且表面质量优异的铝硅合金靶材坯料。
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