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公开(公告)号：CN112635542A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202010874569.6
申请日：2020-08-27
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 根据一个实施方式，半导体装置具有第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的多个第三半导体区域、第一绝缘部、第二电极、栅极电极、第三电极以及第二绝缘部。第一绝缘部在与从第一电极朝向第一半导体区域的第一方向垂直的第二方向上与第一半导体区域的一部分、第二半导体区域以及第三半导体区域并排。第二电极设置于第一绝缘部中。栅极电极设置于第一绝缘部中，在第二方向上与第二半导体区域对置。第三电极具有在第二方向上设置于第三半导体区域彼此之间的接触部。第二绝缘部在第一方向上设置于第一半导体区域与接触部之间，在第二方向上与栅极电极并排。
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公开(公告)号：CN103681637A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310077451.0
申请日：2013-03-12
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L25/04
CPC classification number: G05F3/20 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H02M7/003 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，一种半导体器件包括：基板；第一电路部；和第二电路部。所述第一电路部包括：第一和第二开关元件，及第一和第二二极管。第二电路部包括第三和第四开关元件，及第三和第四二极管。第一开关元件与第二开关元件在第一方向上并置，并与第四开关元件在第二方向上并置。第三开关元件与第四开关元件在第一方向上并置，与第二开关元件在第二方向上并置。电压施加到第一和第三开关元件的电极，与第一电压相反极性的电压施加到第二和第四开关元件的电极。
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公开(公告)号：CN111725303B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202010146291.0
申请日：2020-03-05
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor： 菊地拓雄
Abstract: 半导体装置具备半导体部、在上述半导体部的背面及表面设置的第1电极、第2电极、在上述表面侧设置的沟槽的内部的控制电极及场板。上述半导体部包含第1导电型的第1层及第3层、第2导电型的第2层。上述第2层设置于上述第1层与上述第2电极之间，上述第3层选择性地设置于上述第2层与上述第2电极之间。上述场板通过第1绝缘膜和第2绝缘膜而从上述半导体部电绝缘。上述控制电极经由上述第1绝缘膜而从上述半导体部电绝缘。上述第2绝缘膜位于上述第1绝缘膜与上述场板之间，具有比上述第1绝缘膜的介电常数低的介电常数。
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公开(公告)号：CN115842052A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202210728679.0
申请日：2022-06-24
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，该半导体装置具有高击穿电压。半导体装置具备半导体部、第一至第四电极和第一及第二绝缘膜。第一及第二电极分别设于半导体部的背面上及表面侧。第三电极及第四电极延伸到半导体部中。第四电极将设有多个第三电极的区域包围。第一绝缘膜设于半导体部与第三电极之间，第二绝缘膜设于半导体部与第四电极之间。第四电极包含分别在沿着背面的第一至第三方向上延伸的第一至第三部分。第一方向与第一方向正交，第三方向与第一方向及第二方向交叉。多个第三电极被配置为，在沿第一方向及第三方向分别相邻的两个第三电极之间，相邻的两个第一绝缘膜的间隔最小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115832045A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202210766206.X
申请日：2022-06-30
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/417
Abstract: 提供能够减小导通电阻的半导体装置。半导体装置具有：第1电极；第2电极；半导体部分，配置于所述第1电极与所述第2电极之间；第3电极，配置于所述半导体部分内；绝缘膜，配置于所述第3电极与所述半导体部分之间；绝缘部件，配置于所述半导体部分内的与所述绝缘膜分离的位置；第4电极，配置于所述绝缘部件内；以及压缩应力部件，配置于所述第4电极内，具有沿着从所述第1电极朝向所述第2电极的第1方向的压缩应力。
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公开(公告)号：CN115036371A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202111453405.7
申请日：2021-12-01
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够减少导通电阻的半导体装置。实施方式的半导体装置具有第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的第三半导体区域、第一绝缘部、栅极电极、第二绝缘部以及第二电极。第一半导体区域设于第一电极之上。第二半导体区域设于第一半导体区域之上。第三半导体区域设于第二半导体区域之上。第一绝缘部与第一半导体区域的一部分、第二半导体区域以及第三半导体区域并列。栅极电极设于第一绝缘部中且与第二半导体区域对置。第二绝缘部设于第三半导体区域之上，不与栅极电极重叠，具有拉伸应力。第二电极设于第二绝缘部之上，与第三半导体区域电连接。
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公开(公告)号：CN113394266A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110259415.0
申请日：2021-03-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 具有第一电极、包含绝缘部及导电部的构造体、栅极电极和第二电极。绝缘部在与从第一电极朝向第一半导体区域的第一方向垂直的第二方向和与第一方向垂直且与第二方向相交的第三方向上与第一半导体区域的一部分、第二半导体区域及第三半导体区域并列。导电部设置于绝缘部中，并具有在第二方向及第三方向上与第一半导体区域对置的部分。栅极电极在第二方向及第三方向上与第二半导体区域对置。第二电极设置于第二半导体区域、第三半导体区域及构造体上，与第二半导体区域、第三半导体区域及导电部电连接。构造体沿着第二方向及第三方向设置多个。在与第一方向垂直的方向上的绝缘部的厚度μm与半导体装置的产品耐压V之比μm/V为0.0055以下。
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公开(公告)号：CN111725303A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010146291.0
申请日：2020-03-05
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor： 菊地拓雄
IPC: H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L29/51
Abstract: 半导体装置具备半导体部、在上述半导体部的背面及表面设置的第1电极、第2电极、在上述表面侧设置的沟槽的内部的控制电极及场板。上述半导体部包含第1导电型的第1层及第3层、第2导电型的第2层。上述第2层设置于上述第1层与上述第2电极之间，上述第3层选择性地设置于上述第2层与上述第2电极之间。上述场板通过第1绝缘膜和第2绝缘膜而从上述半导体部电绝缘。上述控制电极经由上述第1绝缘膜而从上述半导体部电绝缘。上述第2绝缘膜位于上述第1绝缘膜与上述场板之间，具有比上述第1绝缘膜的介电常数低的介电常数。
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公开(公告)号：CN103681637B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201310077451.0
申请日：2013-03-12
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H02M7/00
CPC classification number: G05F3/20 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H02M7/003 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，一种半导体器件包括：基板；第一电路部；和第二电路部。所述第一电路部包括：第一和第二开关元件，及第一和第二二极管。第二电路部包括第三和第四开关元件，及第三和第四二极管。第一开关元件与第二开关元件在第一方向上并置，并与第四开关元件在第二方向上并置。第三开关元件与第四开关元件在第一方向上并置，与第二开关元件在第二方向上并置。电压施加到第一和第三开关元件的电极，与第一电压相反极性的电压施加到第二和第四开关元件的电极。
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