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公开(公告)号：CN104272433B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201380019986.0
申请日：2013-02-13
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01L21/265 , H01J37/317
CPC classification number: H01L21/265 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01L31/18 , H01L33/005
Abstract: 描述了离子注入的方法和系统，其中使用碳掺杂剂源材料实施碳掺杂。描述了各种气体混合物，包括碳掺杂剂源材料，以及用于所述碳掺杂剂的协流气体结合物。描述了在碳掺杂剂源材料中提供原位清洗，以及描述了具体的碳掺杂剂源气体、氢化物气体、氟化物气体、惰性气体、氧化物气体和其他气体的结合物。
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公开(公告)号：CN103153858B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180049806.4
申请日：2011-08-16
Applicant: 恩特格里斯公司
CPC classification number: C01B35/061 , C01P2006/88 , H01J2237/006 , H01J2237/08 , H01J2237/31701 , Y02P20/134
Abstract: 本文涉及同位素富集的含硼化合物，含有两个或以上的硼原子和至少一个氟原子，其中至少一个硼原子含有所需的硼同位素，所述同位素的浓度或比例高于其天然丰度的浓度或比例。所述化合物可以具有化学式B2F4。本文描述了合成这些化合物的方法和使用这些化合物的离子注入方法，以及描述了贮存和分配容器，其中有利地含有所述同位素富集的含硼化合物用于随后的分配应用。
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公开(公告)号：CN110085499B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201910208219.3
申请日：2015-08-19
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317 , H01L21/265
Abstract: 本申请涉及利用增强源技术进行磷或砷离子植入。本发明描述使用固体掺杂剂磷及砷源及较高阶磷或砷植入源材料的设备及方法。在各种实施方案中，在离子源室中提供固体含磷或含砷材料以用于产生二聚物或四聚物植入物质。在其它实施方案中，通过使用反应器来分解气态含磷或含砷材料以形成用于离子植入的气相二聚物及四聚物而增强离子植入。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107771353B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201680035844.7
申请日：2016-05-16
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01L21/324 , H01L21/67 , F17C11/00 , F17C13/00
Abstract: 本发明描述用于将气体递送到气体利用处理工具的气体供应系统及方法，所述气体利用处理工具例如是用于制造半导体产品、平板显示器、太阳能面板等的气体利用工具。所述气体供应系统可包括其中布置有基于吸附剂的气体供应罐及/或内部压力调节式气体供应罐的气柜，且描述可安置于所述气柜中或以独立方式操作的气体混合歧管。在一个方面中，描述气体供应系统，其中在施配操作的压控终止之后，为了进行施配操作以实现在此终止之后所述罐中剩余的气体的利用，处理易于在涉及气体供应压力的减小时冷却的罐。
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公开(公告)号：CN105702547B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201610048444.1
申请日：2010-10-25
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317
Abstract: 一种离子注入系统及方法，提供掺杂气体馈送线路中掺杂气体的冷却，以对抗由于电弧腔室生成的热量而造成掺杂气体的加热与分解,例如使用诸如B2F4的硼源材料，或其它BF3的替代物。在此描述了各种电弧腔室热管理的设置，以及等离子体特性的改变、特定流动设置、清洗处理过程、功率管理、平衡偏移、提取光学器件的最优化、流动通道中的沉积物的探测，以及源寿命的最优化，以实现离子注入系统的有效操作。
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公开(公告)号：CN110085499A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910208219.3
申请日：2015-08-19
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317 , H01L21/265
Abstract: 本申请涉及利用增强源技术进行磷或砷离子植入。本发明描述使用固体掺杂剂磷及砷源及较高阶磷或砷植入源材料的设备及方法。在各种实施方案中，在离子源室中提供固体含磷或含砷材料以用于产生二聚物或四聚物植入物质。在其它实施方案中，通过使用反应器来分解气态含磷或含砷材料以形成用于离子植入的气相二聚物及四聚物而增强离子植入。
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公开(公告)号：CN107004557B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201580067044.9
申请日：2015-10-29
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01J37/317 , H01L21/265
Abstract: 本发明描述一种离子植入系统，其包含：离子植入机，所述离子植入机包括壳体，所述壳体界定封围容积，在所述封围容积中定位有气体箱，所述气体箱经配置以固持一或多个气体供应容器，所述气体箱与所述封围容积中在所述气体箱外部的气体进行受限式气体流动连通；第一通风组合件，其经配置以使通风气体流动通过所述壳体，并且从所述壳体排出所述通气气体到所述离子植入机的周围环境；第二通风组合件，其经配置以将气体从所述气体箱排出到处理设备，所述处理设备适于从所述气体箱排气至少部分地移除污染物，或者所述处理设备适于稀释所述气体箱排气，以产生经处理的流出气体，所述第二通风组合件包括可变流量控制装置及运动流体驱动器，所述可变流量控制装置用于在相对较低的气体箱排气流率与相对较高的气体箱排气流率之间调整所述气体箱排气的流率，且所述运动流体驱动器适于使所述气体箱排气流动通过所述可变流量控制装置到所述理设备；以及监测及控制组合件，其经配置以监测所述离子植入机的操作是否发生气体危险事件，且当发生气体危险事件时，响应地阻止所述一或多个气体供应容器的气体分配操作，并且调整所述可变流量控制装置到所述相对较高的气体箱排气流率，使得所述运动流体驱动器以所述相对较高的气体箱排气流率使所述气体箱排气流动到所述处理设备。优选地，在气体危险事件中，从所述壳体排放的所述壳排气也终止，以促进所述壳体内、所述气体箱的内部以及外部的所有气体排出到所述处理单元。
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公开(公告)号：CN104813095B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201380060894.7
申请日：2013-09-20
Applicant: 恩特格里斯公司
CPC classification number: F17C13/12 , F17C13/04 , F17C2201/0104 , F17C2205/0326 , F17C2205/0329 , F17C2205/0335 , F17C2205/0338 , F17C2205/0344 , F17C2205/035 , F17C2205/0382 , F17C2205/0391 , F17C2221/012 , F17C2221/013 , F17C2221/015 , F17C2221/016 , F17C2227/045 , F17C2250/0626 , F17C2270/0518 , Y02E60/321 , Y10T137/7795
Abstract: 一种流体供给封装包，包括：一个压力调节流体贮存和分配容器，一个阀头，适于分配来自该容器的流体，以及一个抗压力尖峰组件，适于对抗在流体分配的初期来自所述阀头的流体的流动中的压力尖峰。
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