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公开(公告)号：CN102859034B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201180020889.4
申请日：2011-04-29
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/50 , C23C16/44 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67712 , C23C16/4587 , C23C16/46 , C23C16/463 , C23C16/511 , C23C16/54 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32513 , H01J37/32522 , H01J37/32889 , H01J37/32899 , H01L21/67098 , H01L21/67126 , H01L21/67173 , H01L21/6719 , H01L21/67201
Abstract: 本发明大体上关于一种垂直CVD系统，所述CVD系统具有能够处理多个基板的处理腔室。尽管将所述多个基板安置于所述处理腔室内的处理源的相对侧上，但未使处理环境彼此隔离。所述处理源为水平居中的垂直等离子体发生器，所述垂直等离子体发生器允许在所述等离子体发生器的任一侧上同时但以彼此独立的方式处理多个基板。将所述系统配置为双系统，凭借所述双系统将各自具有它们自己的处理腔室的两个相同的处理线配置为彼此邻近。多个机器人用以从处理系统装载且卸载所述基板。每一个机器人可使用所述系统内的两个处理线。
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公开(公告)号：CN103620788A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201280028759.X
申请日：2012-06-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L21/02565 , H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L29/66742
Abstract: 本发明大体上关于一种制造薄膜晶体管的方法。薄膜晶体管具有包括铟镓锌氧化物(IGZO)或氧化锌的有源沟道。在形成源极电极与漏极电极之后，但在保护层或蚀刻停止层沉积于其上之前，将该有源沟道暴露于一氧化二氮(N2O)等离子体或氧气等离子体。在形成源极电极与漏极电极的过程中，有源沟道与保护层或蚀刻停止层之间的界面会有所改变或损坏。一氧化二氮等离子体或氧气等离子体改变并修复有源沟道与保护层或蚀刻停止层之间的界面。
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公开(公告)号：CN103608925A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201280028791.8
申请日：2012-06-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 任东吉
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/66742
Abstract: 本发明内容的实施例了提供制造薄膜晶体管器件的方法，对形成于薄膜晶体管器件中的有源层的周边侧壁有良好的轮廓控制。在一实施例中，一种制造薄膜晶体管器件的方法包括：提供基板，所述基板具有有源层形成于其上，源极-漏极金属电极层设置在所述有源层上，其中有源层为金属氧化物层；进行背沟道蚀刻工艺以于源极-漏极金属电极层中形成沟道；以及在背沟道蚀刻工艺之后进行有源层图案化工艺。
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公开(公告)号：CN118843943A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202380026529.8
申请日：2023-03-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/66 , H10K59/121 , H10K59/124 , H10K59/12
Abstract: 一种晶体管装置，包括：沟道区域；第一源极区域/漏极区域和第二源极区域/漏极区域，第一源极区域/漏极区域与沟道区域的第一端相邻，第二源极区域/漏极区域与沟道区域的第二端相邻；栅极结构，栅极结构设置在沟道区域、第一源极区域/漏极区域与第二源极区域/漏极区域上；以及层间介电(ILD)结构，ILD结构设置在栅极结构上。ILD结构包括：第一介电层，第一介电层包括第一组子层。第一组子层包括第一子层和第二子层，第一子层包括具有第一氢浓度的第一介电材料，第二子层包括具有第二氢浓度的第一介电材料，第二氢浓度低于第一氢浓度。ILD结构进一步包括第二介电层，第二介电层包括第二组子层。第二组子层包括第三子层，第三子层包括不同于第一介电材料的第二介电材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108700788B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN201780014750.6
申请日：2017-01-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1343
Abstract: 本公开内容的实施方式大体上提供形成具有高电容和低泄漏的电容器的方法以及用于薄膜晶体管(TFT)应用的良好的界面控制。在一个实施方式中，一种薄膜晶体管结构包括形成在薄膜晶体管器件中的电容器。电容器进一步包括设置在基板上的公共电极、形成在公共电极上的介电层和形成在介电层上的像素电极。界面保护层形成在公共电极与介电层之间，或介电层与像素电极之间。由高k材料制成的栅极绝缘层也可用于薄膜晶体管结构。
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公开(公告)号：CN114303239A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202080061205.4
申请日：2020-06-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L23/29 , H01L23/31 , H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/02
Abstract: 本公开内容的多个实施方式一般涉及富氮氮化硅和多个用以沉积富氮氮化硅的方法，和包含富氮氮化硅的多个晶体管和其他装置。在一个或多个实施方式中，一种钝化膜堆叠物包含氧化硅层，氧化硅层设置于工件上；和富氮氮化硅层，富氮氮化硅层设置于氧化硅层上。富氮氮化硅层具有约20原子百分比(at％)至约35at％的硅浓度、约40at％至约75at％的氮浓度和约10at％至约35at％的氢浓度。在一个或多个例子中，钝化膜堆叠物包含氧化硅层、富氮氮化硅层和第三层，第三层包含任何类型的氮化硅，例如是富氮氮化硅和/或富氢氮化硅。
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公开(公告)号：CN114127892A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202080049346.4
申请日：2020-06-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , C23C16/24 , C23C16/452 , C23C16/455 , C23C16/507 , H01J37/32
Abstract: 在一个实施方式中，提供了一种用于形成非晶含硅层或微晶含硅层的工艺，包括：将基板引入基板处理腔室的处理区域，所述基板在基板支撑件上；使处理气体流入所述基板处理腔室内的一个或多个气体容积中，所述处理气体包括含硅气体；在等离子体条件下从所述处理气体形成激励的处理气体，所述等离子体条件包括至少约1.0×1011个离子/cm3的等离子体密度；使所述激励的处理气体流入所述处理区域中；在所述基板上沉积非晶含硅层或微晶含硅层，同时将所述基板支撑件维持在约350℃或更低的温度下，所述非晶含硅层或微晶含硅层具有约2.5×1021个原子/cc或更低的氢量。还描述了TFT结构和用于形成TFT结构的工艺。
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公开(公告)号：CN112575301A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011084003.X
申请日：2016-04-21
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 提供一种用于利用至少一个阴极组件(10)涂布基板(100)的方法，至少一个阴极组件(10)具有三个或更多个可旋转靶(20)，三个或更多个可旋转靶(20)各包括位于其中的磁体组件(25)。所述方法包括：旋转磁体组件(25)至相对于平面(22)的多个不同的角位置，平面(22)从基板(100)垂直地延伸至三个或更多个可旋转靶(20)的相应可旋转靶的轴(21)；以及根据储存于数据库或存储器中的函数改变下述的至少一者：提供至三个或更多个可旋转靶(20)的功率、磁体组件(25)的停留时间、以及磁体组件(25)的持续地改变的角速度。
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公开(公告)号：CN105051906B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201480014434.5
申请日：2014-03-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/4908
Abstract: 本发明大致关于一种薄膜半导体器件，所述器件具有形成于半导体层与一个或更多个层之间的缓冲层。在一实施方式中，薄膜半导体器件包括：半导体层，具有第一功函数及第一电子亲和力水平；缓冲层，具有比第一功函数更大的第二功函数及比第一电子亲和力水平更低的第二电子亲和力水平；以及栅介电层，具有比第二功函数更小的第三功函数及比第二电子亲和力水平更高的第三电子亲和力水平。
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