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公开(公告)号：CN113166942B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201980082054.8
申请日：2019-11-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/505 , C23C16/455 , C23C16/458 , H01J37/32
Abstract: 本公开内容的多个实施方式包括用于在大面积基板上沉积多个层的方法与设备。在一个实施方式中，提供一种用于等离子体沉积的处理腔室。处理腔室包括喷头与基板支撑组件。喷头耦接至射频功率源并且接地，并且喷头包括多个穿孔气体扩散构件。多个等离子体施加器设置于喷头内，其中多个等离子体施加器中的一个等离子体施加器对应于多个穿孔气体扩散构件中的一个穿孔气体扩散构件。进一步地，直流偏压电源耦接至基板支撑组件。
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公开(公告)号：CN113519046A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN201980093451.5
申请日：2019-03-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/677 , H01L51/56 , H01L21/687
Abstract: 本发明描述一种用于掩模的载体。载体包括载体主体，具有被配置以面向掩模的至少一部分的表面，所述载体主体具有用于材料沉积的开口；和磁性保持布置，具有在所述载体主体的开口周围、布置在载体主体处的一个或多个磁性保持器。
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公开(公告)号：CN109964331B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201780071381.4
申请日：2017-12-01
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 栗田真一 , 斯里坎特·V·雷切尔拉 , 苏哈斯·博斯基 , 芮祥新
IPC: H01L51/56 , C23C16/455 , H01L51/00 , H01L21/02 , H01L21/67
Abstract: 本公开内容涉及用于薄膜封装(TFE)的方法和设备。在一个实施方式中，公开了一种用于原子层沉积(ALD)腔室的工艺配件，所述工艺配件包括介电窗口、密封框架和与所述密封框架连接的掩模框架，其中所述掩模框架具有在掩模框架的相对侧上形成在掩模框架中的进气通道和出气通道。
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公开(公告)号：CN111316420A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201880072510.6
申请日：2018-09-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/02 , H01L21/67
Abstract: 本公开内容的实施方式一般地涉及包含高介电常数电介质层的层堆叠，所述层堆叠形成于第一电介质层与金属电极上方。高介电常数电介质层具有20或更高的介电常数值且可形成为电子装置中的电容器、栅极绝缘层或任意合适的绝缘层的一部分，电子装置例如显示器装置。层堆叠包含设置于第一电介质层与金属层上的第二电介质层，和设置于第二电介质层上的高介电常数电介质层。第二电介质层提供均质表面，高介电常数电介质层形成于均质表面上。均质表面使高介电常数电介质材料得以均匀地沉积于其上，这样产生均匀的厚度分布。
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公开(公告)号：CN109072435A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780026121.5
申请日：2017-04-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/505
Abstract: 本文所述的实施方式大体涉及一种基板支撑组件。所述基板支撑组件包括支撑板和陶瓷层。所述支撑板具有顶表面。所述顶表面包括：基板接收区域，所述基板接收区域被配置为支撑大面积基板；和外部区域，所述外部区域位于所述基板接收区域外部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103014677B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210496884.5
申请日：2012-09-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/505 , C23C16/52 , H01J37/244
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32091 , H01J37/32183 , H01J37/32935
Abstract: 本发明基本上涉及一种电容耦合的等离子体(CCP)处理腔、一种用于减小或防止杂散电容的方法和一种用于测量在所述处理腔内的等离子体状态的方法。由于CCP处理腔尺寸上的增大，杂散电容有会对工艺产生负面影响的趋势。此外，RF接地带可能断裂。通过增大腔背板和腔壁之间的间隔，可以将杂散电容最小化。此外，可以通过在背板而不是在匹配网络测量等离子体的状态来监控等离子体。在这样的测量中，可以分析等离子体的谐波数据以展示腔中的等离子体处理状态。
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公开(公告)号：CN103939628B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410128270.0
申请日：2009-08-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: F16K1/24
CPC classification number: H01L21/67201 , F16K15/147 , F16K51/02 , H01L21/67126
Abstract: 在此公开的实施方式与一种用于密封一腔室中的开口的狭缝阀门装置有关。当狭缝阀门开口收缩时，压向该腔室以密封一狭缝阀开口的一狭缝阀门与该腔室一起移动，使得受压于该狭缝阀门与该腔室之间的一O形环与该狭缝阀门和该腔室一起移动。因此，O形环对腔室发生摩擦的情形会较少。由于较少摩擦，产生的颗粒可较少，因而可延长O形环的使用寿命。由于O形环的使用寿命较长，基板处理量即可增加。
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公开(公告)号：CN102859034B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201180020889.4
申请日：2011-04-29
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/50 , C23C16/44 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67712 , C23C16/4587 , C23C16/46 , C23C16/463 , C23C16/511 , C23C16/54 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32513 , H01J37/32522 , H01J37/32889 , H01J37/32899 , H01L21/67098 , H01L21/67126 , H01L21/67173 , H01L21/6719 , H01L21/67201
Abstract: 本发明大体上关于一种垂直CVD系统，所述CVD系统具有能够处理多个基板的处理腔室。尽管将所述多个基板安置于所述处理腔室内的处理源的相对侧上，但未使处理环境彼此隔离。所述处理源为水平居中的垂直等离子体发生器，所述垂直等离子体发生器允许在所述等离子体发生器的任一侧上同时但以彼此独立的方式处理多个基板。将所述系统配置为双系统，凭借所述双系统将各自具有它们自己的处理腔室的两个相同的处理线配置为彼此邻近。多个机器人用以从处理系统装载且卸载所述基板。每一个机器人可使用所述系统内的两个处理线。
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公开(公告)号：CN102230155B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201110163125.2
申请日：2007-01-09
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01L21/67201 , Y10S414/139
Abstract: 本发明的实施方式包括一腔体，该腔体的顶部或底部至少其中之一与腔体侧壁分离。本发明适于用作真空交换腔、基板传递腔和真空处理腔等。
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公开(公告)号：CN102714171A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201180006380.4
申请日：2011-01-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/677 , B25J15/08 , B65G49/06
CPC classification number: B25J19/0054 , B65G49/061 , C03B35/20 , H01L21/67109 , H01L21/67742 , Y02P40/57
Abstract: 本发明的实施例提供一种传送机械手，所述传送机械手具有与所述传送机械手附接的冷却板，用于在处理腔室与负载锁定腔室之间传送时冷却基板。在一个实施例中，冷却板是单一、大面积的冷却板，所述冷却板在正被传送的基板下方附接至所述传送机械手。在另一实施例中，冷却板是在正被传送的基板下方附接至所述传送机械手的冷却板阵列。所述冷却板可包括导管路径，以使冷却流体循环遍及冷却板。所述冷却板可具有上表面，所述上表面涂覆有高发射率涂层。
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