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公开(公告)号:CN115863461A
公开(公告)日:2023-03-28
申请号:CN202211424163.3
申请日:2022-11-15
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/048 , H01L31/054 , H01L31/18 , H02S30/20
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池组件及封装方法,涉及太阳能光伏技术领域。该太阳能电池组件,包括柔性玻璃以及柔性薄膜电池阵列,所述柔性薄膜电池阵列由若干柔性薄膜电池组成,所述柔性薄膜电池与柔性薄膜电池之间嵌合有反光板,所述柔性薄膜电池阵列的下侧壁设置有第二粘连层,所述第二粘连层的下侧壁固定连接有背板;所述柔性薄膜电池的上侧壁固定连接有导电铜带,所述导电铜带的上侧壁与柔性玻璃之间设置有第一粘连层以及绝缘层。通过柔性玻璃以及柔性薄膜电池的使用,可以有效对太阳能电池组件的尺寸进行调整,能够有效提高太阳能电池组件的适用范围。
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公开(公告)号:CN115775842A
公开(公告)日:2023-03-10
申请号:CN202211417894.5
申请日:2022-11-14
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/18 , H01L31/048 , H01L31/05 , H02S40/34
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池组件的封装工艺及其封装设备,涉及太阳能电池领域。该太阳能电池组件的封装工艺,采用封装设备进行封装,所述封装设备包括依次连接的进料自动线、第一工作台自动线、第二工作台自动线、第三工作台自动线、第四工作台自动线以及出料自动线。该封装工艺在太阳能电池组件的四周安装密封套,密封套能够将太阳能电池组件围成封闭结构,真空系统通过密封套两侧的抽气管将太阳能电池组件中的气体抽出,使得太阳能电池组件的各个组件相互紧贴,经过固化装置后EVA胶体对太阳能电池组件的各个组件进行固定,通过该工艺对太阳电池组件进行封装,能够有效降低太阳能电池组件中的气泡含量,提高封装效果。
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公开(公告)号:CN111785461B
公开(公告)日:2022-02-11
申请号:CN202010584366.3
申请日:2020-06-24
Applicant: 常熟理工学院
Abstract: 本发明公开了一种高可靠性光纤复合绝缘子,包括芯棒、骨架、第一绝热层、伞裙和金具,芯棒包括光纤固化体、第二绝热层和芯棒本体层,光纤固化体为环氧树脂棒,环氧树脂棒内设有至少两根轴向设置且相互间隔的光纤,第二绝热层包覆固化于光纤固化体之外,芯棒本体层包覆固化于第二绝缘层外,骨架为固化于芯棒外周面的若干轴向间隔设置的环氧树脂环,第一绝热层包覆固化于骨架之外且填充连接相邻的环氧树脂环,伞裙包覆固化于第一绝热层之外且在环氧树脂环的位置形成各个伞面,第一绝热层由玻璃纤维制成,第二绝热层由玻璃纤维与硅酸盐混合制成。本发明还公开了由内到外依次固化的制备方法。本发明解决绝缘子内部光纤受到外部高温和牵引力作用而产生拉断导致失效影响寿命的问题。
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公开(公告)号:CN113257932A
公开(公告)日:2021-08-13
申请号:CN202110517706.5
申请日:2021-05-12
Applicant: 常熟理工学院
IPC: H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/18 , B82Y15/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于光电探测器技术领域,公开了一种高性能的光电探测器制备方法,在硅基衬底上旋涂CdSxSe1‑x纳米片,利用电子束光刻及电子束蒸发镀膜技术沉积上金电极,然后旋涂CsPbBr3纳米晶体,退火处理后得到全无机CsPbBr3钙钛矿纳米晶体/二维非层状硒硫化镉纳米片的复合物结构光电探测器。本发明通过利用全无机钙钛矿晶体具有较高的稳定性,同时利用二维非层状材料的优异物理性能与钙钛矿的强光吸收特性相结合,改善复合纳米结构界面处的电荷载流子传输能力,从而提高光电探测器的性能。
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公开(公告)号:CN110149052B
公开(公告)日:2020-07-10
申请号:CN201910387763.9
申请日:2019-05-10
Applicant: 常熟理工学院
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明公开了一种用于电池充电的谐振电路拓扑结构,包括半桥式变换器、CLCL谐振网络、第一桥式整流电路和第二桥式整流电路,CLCL谐振网络连接于半桥式变换器与第一桥式整流电路、第二桥式整流电路之间由第一电容、第二电容、第一电感和第二电感组成,第一桥式整流电路和第二桥式整流电路的输入端串联,输出端并联。该用于电池充电的谐振电路拓扑结构,无需专门的复杂控制器,可自动实现在不同负载的情况下恒流或恒压充电,提高了传输效率及系统可靠性。
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公开(公告)号:CN110634983A
公开(公告)日:2019-12-31
申请号:CN201910920590.2
申请日:2019-09-26
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院 , 苏州大学
IPC: H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种晶硅太阳电池,包括:P型硅基体,所述P型硅基体正面设有正面N型硅,所述P型硅基体与所述正面N型硅连接形成浮动结;采用浮动结作为正面的钝化结构,在保证正面钝化效果的前提下,一方面简化制备流程,另一方面规避了硼扩散的高温对P型硅基体少子寿命的影响,提高了电池的效率。
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公开(公告)号:CN106590665B
公开(公告)日:2019-03-01
申请号:CN201710117670.5
申请日:2017-03-01
Applicant: 常熟理工学院
Abstract: 本发明公开了一种光谱可控的CdSe量子点制备方法,包括步骤1:Se前体制备,将硒粉加入三正辛基膦加热至100℃通入氮气保护充分反应后冷却至室温,取无色透明液体;步骤2:取十四烷基磷酸、十八胺、三正辛基氧膦和氧化镉混合,在通氮气的状态下进行加热,达到100℃后抽真空并保持真空状态,再次通入氮气进行加热至330℃维持10分钟后降温至275℃,加入步骤1获得的Se前体并在加入Se前体后的4至80秒内分离取出CdSe量子点。该方法可获得发射波长小于450nm的CdSe量子点。
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公开(公告)号:CN108321238A
公开(公告)日:2018-07-24
申请号:CN201810214013.7
申请日:2018-03-15
Applicant: 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/054 , H01L31/0725 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯双面太阳能电池,包括n型单晶硅,所述n型单晶硅的一面设置二氧化硅层,所述二氧化硅层是具有通孔的环状结构,所述二氧化硅层的表面和由二氧化硅层通孔暴露的n型单晶硅表面上设置石墨烯薄膜层,在位于所述二氧化硅层通孔的四周区域的石墨烯薄膜层上设置前电极;所述n型单晶硅的另一面设置n+型多晶硅,所述n+型多晶硅表面设置光学减反层,所述光学减反层表面设置背栅线电极。本发明还公开了石墨烯双面太阳能电池的制备方法。本发明在单晶硅前后表面均形成内建电场进行光生载流子分离,实现双面石墨烯太阳能电池,具有结构简单,效率高的特点,适合批量生产。
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公开(公告)号:CN106374002A
公开(公告)日:2017-02-01
申请号:CN201611062791.6
申请日:2016-11-28
Applicant: 常熟理工学院 , 中利腾晖光伏科技有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0745 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/035272 , H01L31/0745 , H01L31/1804
Abstract: 本发明公开了一种环形深层绝缘结构的石墨烯硅基太阳能电池,包括单晶硅片,所述单晶硅片包括第一掺杂区和第二掺杂区,所述单晶硅片的第一掺杂区一面设置背电极,所述单晶硅片的第二掺杂区一面设置二氧化硅层,所述第一掺杂区掺杂浓度小于第二掺杂区掺杂浓度,所述二氧化硅层是具有通孔的环状结构,二氧化硅层陷入第二掺杂区的厚度为0.2~2μm,所述二氧化硅层的表面和由二氧化硅层通孔暴露的第二掺杂区表面设置石墨烯薄膜,所述石墨烯薄膜表面设置前电极。本发明公开了制备环形深层绝缘结构的石墨烯硅基太阳能电池的方法。该环形深层绝缘结构的石墨烯硅基太阳能电池的效率与传统结构相比有显著提高。
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公开(公告)号:CN119887758A
公开(公告)日:2025-04-25
申请号:CN202510361410.7
申请日:2025-03-26
Applicant: 常熟理工学院
IPC: G06T7/00 , G06T7/136 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/08 , G06V10/762
Abstract: 本发明公开了一种基于灰度共生矩阵的弱特征表面缺陷检测方法、终端及存储介质,属于图像处理技术领域,步骤包括S1.基于图像非均匀阈值分割生成灰度共生矩阵并提取纹理特征和S2构建融合纹理特征的YOLOv3深度学习检测模型。本发明针对弱特征图像表面缺陷检测问题将灰度共生矩阵与卷积神经网络技术相结合,使用自适应图像灰度化算法对源图像进行处理,然后使用非均匀阈值分割算法完成图像的多阈值分割,在此基础上生成图像灰度共生矩阵并计算相应的特征量,然后将灰度共生矩阵的特征量与YOLOv3神经网络算法相结合,并改进YOLOv3算法的损失函数,从而有效提高了对弱特征图像表面缺陷检测的准确性和可靠性,具有广阔的应用市场空间和经济价值。
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