公开(公告)号：CN113257932A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110517706.5

申请日：2021-05-12

Applicant: 常熟理工学院

Inventor： 彭明发 ,  刘玉申 ,  洪学鹍 ,  马玉龙 ,  张磊 ,  况亚伟

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  B82Y15/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于光电探测器技术领域，公开了一种高性能的光电探测器制备方法，在硅基衬底上旋涂CdSxSe1‑x纳米片，利用电子束光刻及电子束蒸发镀膜技术沉积上金电极，然后旋涂CsPbBr3纳米晶体，退火处理后得到全无机CsPbBr3钙钛矿纳米晶体/二维非层状硒硫化镉纳米片的复合物结构光电探测器。本发明通过利用全无机钙钛矿晶体具有较高的稳定性，同时利用二维非层状材料的优异物理性能与钙钛矿的强光吸收特性相结合，改善复合纳米结构界面处的电荷载流子传输能力，从而提高光电探测器的性能。

公开(公告)号：CN115763615B

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202211604659.9

申请日：2022-12-13

Applicant: 常熟理工学院

Inventor： 彭明发

IPC: H10F30/222 ,  H10F77/12 ,  H10F77/14 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明属于光电探测器技术领域，公开了一种基于量子点的自驱动光电探测器制备方法，首先在ITO玻璃衬底上旋涂一层ZnO，随后利用逐层旋涂和配体交换的方法沉积CdSe/CdS核壳量子点光敏层，接下来用热蒸发沉积一层MoO3，最后蒸镀一层金属电极层，得到基于量子点的自驱动光电探测器。本发明通过调节核壳量子点的能带结构，构建基于量子点的自驱动光电探测器，实现对器件光电性能的优化和提升。

公开(公告)号：CN113410320A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202110568736.9

申请日：2021-05-25

Applicant: 常熟理工学院

Inventor： 彭明发 ,  刘玉申 ,  马玉龙 ,  张磊 ,  洪学鹍 ,  丛姗

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  B82Y15/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于光电探测器技术领域，公开了一种宽光谱响应光电探测器的制备方法，首先在硅基衬底制备二维层状MoS2纳米片，利用光刻/剥离技术沉积上一层金属电极，然后旋涂PbSe量子点，退火处理后得到PbSe量子点/二维层状MoS2纳米片异质结光电探测器。本发明通过利用室温下一步法直接合成的PbSe量子点与机械剥离法获得的二维层状MoS2材料之间的相互协同作用，拓宽二维MoS2纳米片的光谱响应范围并提升异质结界面处的载流子传输能力，从而提升光电探测器的性能。

公开(公告)号：CN113257932B

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202110517706.5

申请日：2021-05-12

Applicant: 常熟理工学院

Inventor： 彭明发 ,  刘玉申 ,  洪学鹍 ,  马玉龙 ,  张磊 ,  况亚伟

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  B82Y15/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于光电探测器技术领域，公开了一种高性能的光电探测器制备方法，在硅基衬底上旋涂CdSxSe1‑x纳米片，利用电子束光刻及电子束蒸发镀膜技术沉积上金电极，然后旋涂CsPbBr3纳米晶体，退火处理后得到全无机CsPbBr3钙钛矿纳米晶体/二维非层状硒硫化镉纳米片的复合物结构光电探测器。本发明通过利用全无机钙钛矿晶体具有较高的稳定性，同时利用二维非层状材料的优异物理性能与钙钛矿的强光吸收特性相结合，改善复合纳米结构界面处的电荷载流子传输能力，从而提高光电探测器的性能。

公开(公告)号：CN115763615A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211604659.9

申请日：2022-12-13

Applicant: 常熟理工学院

Inventor： 彭明发

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于光电探测器技术领域，公开了一种基于量子点的自驱动光电探测器制备方法，首先在ITO玻璃衬底上旋涂一层ZnO，随后利用逐层旋涂和配体交换的方法沉积CdSe/CdS核壳量子点光敏层，接下来用热蒸发沉积一层MoO3，最后蒸镀一层金属电极层，得到基于量子点的自驱动光电探测器。本发明通过调节核壳量子点的能带结构，构建基于量子点的自驱动光电探测器，实现对器件光电性能的优化和提升。

公开(公告)号：CN115867058A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211687213.7

申请日：2022-12-27

Applicant: 常熟理工学院

Inventor： 彭明发 ,  李睿 ,  李悦悦

IPC: H10K30/85 ,  H10K30/35 ,  H10K71/12

Abstract: 本发明属于光电探测器技术领域，公开了一种基于MXene电子传输层的近红外光电探测器制备方法，首先在ITO玻璃衬底上旋涂一层ZnO纳米颗粒薄膜和一定浓度的二维MXene(Ti3C2)作为电子传输层，随后旋涂一层光敏材料PbS量子点油墨，接下来旋涂一层EDT处理的PbS量子点(PbS‑EDT)作为空穴传输层，最后在空穴传输层上蒸镀金电极，得到近红外光电探测器。本发明通过利用少层的二维MXene(Ti3C2)薄片与ZnO纳米颗粒薄膜复合构成电子传输层，实现界面处能级调控，增强光敏活性层与电子束传输层界面处的载流子传输效率，提升近红外光电探测器器件的光电性能。