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公开(公告)号：CN110149052B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201910387763.9
申请日：2019-05-10
Applicant: 常熟理工学院
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明公开了一种用于电池充电的谐振电路拓扑结构，包括半桥式变换器、CLCL谐振网络、第一桥式整流电路和第二桥式整流电路，CLCL谐振网络连接于半桥式变换器与第一桥式整流电路、第二桥式整流电路之间由第一电容、第二电容、第一电感和第二电感组成，第一桥式整流电路和第二桥式整流电路的输入端串联，输出端并联。该用于电池充电的谐振电路拓扑结构，无需专门的复杂控制器，可自动实现在不同负载的情况下恒流或恒压充电，提高了传输效率及系统可靠性。
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公开(公告)号：CN111261714A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010123740.X
申请日：2020-02-27
Applicant: 常熟理工学院
IPC: H01L29/778 , H01L29/40 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种具有高可靠性的氮化镓功率器件，由下而上依次设置有：衬底、成核层、缓冲层、第一插入层、第一GaN层、第二插入层、第二GaN层、AlGaN势垒层、钝化层、栅极场板、漏极场板、保护层、栅极插入层、p型GaN栅极、栅极金属、源极金属、漏极金属，位于漏极金属和栅极金属之间的钝化层呈间隔排列的条状，栅极场板和漏极场板分别覆盖部分钝化层且两者表面及两者之间由保护层覆盖。本发明使电场分布更加均匀，器件耐压能力增强，有效提高器件的栅极开启电压及栅极电压的稳定性，有效降低器件在大电流作用下的漏电。本发明制备方法与传统工艺完全兼容，制备难度低。
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公开(公告)号：CN111261714B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202010123740.X
申请日：2020-02-27
Applicant: 常熟理工学院
IPC: H01L29/778 , H01L29/40 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种具有高可靠性的氮化镓功率器件，由下而上依次设置有：衬底、成核层、缓冲层、第一插入层、第一GaN层、第二插入层、第二GaN层、AlGaN势垒层、钝化层、栅极场板、漏极场板、保护层、栅极插入层、p型GaN栅极、栅极金属、源极金属、漏极金属，位于漏极金属和栅极金属之间的钝化层呈间隔排列的条状，栅极场板和漏极场板分别覆盖部分钝化层且两者表面及两者之间由保护层覆盖。本发明使电场分布更加均匀，器件耐压能力增强，有效提高器件的栅极开启电压及栅极电压的稳定性，有效降低器件在大电流作用下的漏电。本发明制备方法与传统工艺完全兼容，制备难度低。
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公开(公告)号：CN111370483B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202010123752.2
申请日：2020-02-27
Applicant: 常熟理工学院
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/15 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种具有多场板结构的氮化镓功率器件，由下而上依次设置有：衬底、成核层、缓冲层、第一插入层、第一GaN层、第二插入层、第二GaN层、AlGaN势垒层、钝化层、栅极场板、漏极场板、保护层、栅极插入层、p型GaN栅极、栅极金属、源极金属、漏极金属，位于AlGaN势垒层表面的钝化层呈间隔排列的条状，栅极场板和漏极场板分别覆盖部分钝化层且两者表面及两者之间由保护层覆盖。本发明使电场分布更加均匀，器件耐压能力增强，有效提高器件的栅极开启电压及栅极电压的稳定性，有效降低器件在大电流作用下的漏电。本发明制备方法与传统工艺完全兼容，制备难度低。
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公开(公告)号：CN111370483A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010123752.2
申请日：2020-02-27
Applicant: 常熟理工学院
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/15 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种具有多场板结构的氮化镓功率器件，由下而上依次设置有：衬底、成核层、缓冲层、第一插入层、第一GaN层、第二插入层、第二GaN层、AlGaN势垒层、钝化层、栅极场板、漏极场板、保护层、栅极插入层、p型GaN栅极、栅极金属、源极金属、漏极金属，位于AlGaN势垒层表面的钝化层呈间隔排列的条状，栅极场板和漏极场板分别覆盖部分钝化层且两者表面及两者之间由保护层覆盖。本发明使电场分布更加均匀，器件耐压能力增强，有效提高器件的栅极开启电压及栅极电压的稳定性，有效降低器件在大电流作用下的漏电。本发明制备方法与传统工艺完全兼容，制备难度低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110149052A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910387763.9
申请日：2019-05-10
Applicant: 常熟理工学院
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明公开了一种用于电池充电的谐振电路拓扑结构，包括半桥式变换器、CLCL谐振网络、第一桥式整流电路和第二桥式整流电路，CLCL谐振网络连接于半桥式变换器与第一桥式整流电路、第二桥式整流电路之间由第一电容、第二电容、第一电感和第二电感组成，第一桥式整流电路和第二桥式整流电路的输入端串联，输出端并联。该用于电池充电的谐振电路拓扑结构，无需专门的复杂控制器，可自动实现在不同负载的情况下恒流或恒压充电。开关器件可以在固定的工作频率下实现不同的充电电平，提高了开关的传输效率，降低了开关的电压应力。
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公开(公告)号：CN211858659U
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202020219281.0
申请日：2020-02-27
Applicant: 常熟理工学院
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/15 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L21/335
Abstract: 本实用新型公开了一种具有多场板结构的氮化镓功率器件，由下而上依次设置有：衬底、成核层、缓冲层、第一插入层、第一GaN层、第二插入层、第二GaN层、AlGaN势垒层、钝化层、栅极场板、漏极场板、保护层、栅极插入层、p型GaN栅极、栅极金属、源极金属、漏极金属，位于AlGaN势垒层表面的钝化层呈间隔排列的条状，栅极场板和漏极场板分别覆盖部分钝化层且两者表面及两者之间由保护层覆盖。本实用新型使电场分布更加均匀，器件耐压能力增强，有效提高器件的栅极开启电压及栅极电压的稳定性，有效降低器件在大电流作用下的漏电。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209726009U
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201920790728.7
申请日：2019-05-29
Applicant: 常熟理工学院
IPC: F21S8/04 , F21V33/00 , F21V13/12 , F21V7/04 , F21Y115/10
Abstract: 本实用新型公开了一种光触媒洁净室LED消毒节能面板灯，包括灯框腔体、光触媒光扩散板、导光板、光源条和反光层，所述灯框腔体设有下端开口，所述光触媒光扩散板固定于所述灯框腔体的下端开口形成光线出口，所述光触媒光扩散板的下表面设有光触媒涂层，所述灯框腔体的内部在光触媒光扩散板的上方由下往上依次设置导光板和反光层，所述光源条至少设置两条并平行对置于所述导光板的左右两侧，所述反光层的反光面朝向所述导光板设置，所述光源条上设有白光灯珠和紫外光灯珠。本实用新型在提供洁净室照明同时实现消毒杀菌。
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公开(公告)号：CN211858658U
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202020218996.4
申请日：2020-02-27
Applicant: 常熟理工学院
IPC: H01L29/778 , H01L29/40 , H01L21/335
Abstract: 本实用新型公开了一种具有高可靠性的氮化镓功率器件，由下而上依次设置有：衬底、成核层、缓冲层、第一插入层、第一GaN层、第二插入层、第二GaN层、AlGaN势垒层、钝化层、栅极场板、漏极场板、保护层、栅极插入层、p型GaN栅极、栅极金属、源极金属、漏极金属，位于漏极金属和栅极金属之间的钝化层呈间隔排列的条状，栅极场板和漏极场板分别覆盖部分钝化层且两者表面及两者之间由保护层覆盖。本实用新型使电场分布更加均匀，器件耐压能力增强，有效提高器件的栅极开启电压及栅极电压的稳定性，有效降低器件在大电流作用下的漏电。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN211698492U
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202020339969.2
申请日：2020-03-18
Applicant: 常熟理工学院
Abstract: 本实用新型公开了一种深紫外LED杀菌眼镜框，包括镜框框体，所述镜框框体设有卡设镜片的环形镜片卡槽，所述环形镜片卡槽内设有深紫外LED芯片，所述镜框框体设有LED芯片驱动电路及USB供电接口，所述USB供电接口与所述芯片驱动电路电连接，所述芯片驱动电路与所述深紫外LED芯片电连接。本实用新型可通过外部供电使深紫外LED芯片工作，用紫外光对镜片进行消毒杀菌。
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