公开(公告)号：CN110556356A

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201910462477.4

申请日：2019-05-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 金井洋贵 ,  佐藤知稔 ,  田中研一

IPC: H01L23/498

Abstract: 提供一种抑制功率器件正下方电流密度以及配线温度的上升，且增大功率模块的电流容量的功率模块。第一导电层的多个分离的一次配线以及二次配线之间，以横跨的方式配置有功率器件的初级电极以及次级电极，第二导电层包括多个分离所述一次配线以及所述二次配线，在第一绝缘层上，在所述一次配线以及所述二次配线之间，且在功率器件的正下方区域配置有绝缘部，第二导电层的所述一次配线以及所述二次配线之间，且在功率器件的正下方区域配置有层内绝缘部，功率器件的所述初级电极以及所述次级电极的每一个电极正下方的所述第一绝缘层上配置有通孔，所述通孔使第一导电层和第二导电层的所述一次配线连接和所述二次配线分别连接。

公开(公告)号：CN110034100A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201811347983.0

申请日：2018-11-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 佐藤知稔 ,  米田博之 ,  田中研一 ,  藤田耕一郎

IPC: H01L23/64 ,  H01L25/16

Abstract: 本发明提供一种开关噪声的降低效果较高的功率半导体组件及电子设备。在功率半导体组件(10)中，在绝缘层(121)的一侧的主面形成有由第一至第四电极部(111～114)构成的第一导电层，在另一侧的主面形成有作为第二导电层的导电性基板(101)，通过配置于第一导电层的表面的第一晶体管(131)及第二晶体管(132)的开关控制来切换电流路径从而实施电力转换。在第一电极部(111)及第二电极部(112)之间(区域A3)连接有电容器(141)，在区域A3第二导电层中流通有电流的情况下，能够利用电容器(141)中产生的充放电电流获得磁场抵消效果。

公开(公告)号：CN109962616A

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201811368989.6

申请日：2018-11-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 藤田耕一郎 ,  田中研一 ,  佐藤知稔

IPC: H02M3/158

Abstract: 本发明提供一种电源装置，其即使在将GaN系半导体材料作为开关使用的情况下，也能够防止发生开关错误地导通的误导通。电源电路包括由GaN系半导体材料构成的FET即第一开关(UH1)和由GaN系半导体材料构成的FET即第二开关(UL1)，第一开关(UH1)的源极与输入电位侧连接，第一开关(UH1)的漏极与第二开关(UL1)的源极连接的同时与输出电位侧连接，该电源电路将防止一个开关导通时另一开关随之打开的误导通防止电路与第一开关(UH1)的栅极和/或第二开关(UL1)的栅极连接。

公开(公告)号：CN108140617A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680061042.3

申请日：2016-09-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中西宏之 ,  佐藤知稔

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/15 ,  H05K1/02

CPC classification number: H05K1/0271 ,  H01L23/15 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/19105 ,  H05K1/0201 ,  H05K1/0209 ,  H05K1/0263 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/115 ,  H05K1/142 ,  H05K1/181 ,  H05K2201/09227 ,  H05K2201/093 ,  H05K2201/09609 ,  H05K2201/09681 ,  H05K2201/10015 ,  H05K2201/10166 ,  H05K2201/10522 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种玻璃配线基板，其具备：由玻璃制成的支承基板(11)；设置在支承基板(11)的第一面(11a)上的第一电路部(20)；配置在支承基板(11)的第二面(11b)的第二电路部(30)，其中，第二电路部(30)上形成有由多个狭缝(32)构成的镂空图案(31、33至35)。

公开(公告)号：CN105706215B

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201480061046.2

申请日：2014-10-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 松浦文章 ,  佐藤知稔

IPC: H01L21/301 ,  B24B27/06

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/8258 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/544 ,  H01L29/2003 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体元件(10)的制造方法包括：形成包含电介质膜(3)的半导体元件(10)的半导体元件形成工序；将区划半导体元件(10)的区划区域中的电介质膜(3)除去来形成划片区域(11)的划片区域形成工序；和在划片区域(11)进行划片的划片工序。

公开(公告)号：CN100538883C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200510104053.9

申请日：2005-09-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 佐藤知稔

IPC: G11C11/401 ,  G11C11/41 ,  G11C7/00 ,  G11C29/00

CPC classification number: G11C29/808 ,  G11C5/02 ,  G11C5/04 ,  G11C29/785

Abstract: 第1存储器芯片(10a～10d)具有作为用来存储数据的存储单元的存储器单元，但不具有作为用来补救存储单元的错误位的冗余存储单元的冗余存储器单元。进一步，只具有最低限度的逻辑器，以便利用第2存储器芯片的控制逻辑器进行工作。第2存储器芯片(20)既具有进行存储器单元和冗余存储器单元等存储器控制的控制逻辑器，也具有用来补救第1存储器芯片(10a～10d)的错误位的冗余存储器单元。存储器装置1将第1存储器芯片和第2存储器芯片层叠而构成。

公开(公告)号：CN109313955B

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201780026376.1

申请日：2017-04-28

Applicant: 夏普株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 佐藤知稔 ,  佐藤浩哉 ,  菅沼克昭 ,  末武爱士 ,  长尾至成 ,  酒金婷 ,  木原诚一郎

IPC: H01B1/20 ,  H01B1/00 ,  H01L21/60 ,  H05K3/32

Abstract: 获得如自立在基板上的突起电极这样的电极。导电膏(202)含有导电粉末和醇类液体成分，而不含粘接剂，所述导电粉末含有导电粒子，所述导电粒子的厚度为0.05μm以上0.1μm以下，相对于该厚度方向而垂直相交的面内的最大跨度即代表长度为5μm以上10μm以下，所述醇类液体成分相对于所述导电膏的重量比为8％以上20％以下。

公开(公告)号：CN109313955A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201780026376.1

申请日：2017-04-28

Applicant: 夏普株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 佐藤知稔 ,  佐藤浩哉 ,  菅沼克昭 ,  末武爱士 ,  长尾至成 ,  酒金婷 ,  木原诚一郎

IPC: H01B1/20 ,  H01B1/00 ,  H01L21/60 ,  H05K3/32

Abstract: 获得如自立在基板上的突起电极这样的电极。导电膏(202)含有导电粉末和醇类液体成分，而不含粘接剂，所述导电粉末含有导电粒子，所述导电粒子的厚度为0.05μm以上0.1μm以下，相对于该厚度方向而垂直相交的面内的最大跨度即代表长度为5μm以上10μm以下，所述醇类液成分相对于所述导电膏的重量比为8％以上20％以下。

公开(公告)号：CN101894825B

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201010181732.7

申请日：2010-05-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中西宏之 ,  冲田真大 ,  宫田浩司 ,  佐藤知稔 ,  石塚悦子 ,  横林政人

IPC: H01L23/498 ,  H01L31/048

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L31/0201 ,  H01L31/048 ,  H01L31/0508 ,  H01L31/0512 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/351 ,  Y02E10/50 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/8384

Abstract: 本发明涉及半导体封装。半导体芯片和内插板通过导电性的粘接材相连接，并且在半导体芯片和内插板之间，形成有上述粘接材存在的涂敷区域和封装树脂存在的区域。根据上述，由于可增强上述半导体芯片和上述内插板之间的粘接力，使得强于现有的半导体封装的粘接力，因此在粘接界面不会发生剥离。从而，较之于现有的半导体封装，可提高电气特性和耐久性且可防止上述半导体芯片发生翘曲。

公开(公告)号：CN101924150A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010198913.0

申请日：2010-06-04

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 横林政人 ,  佐藤知稔 ,  中西宏之

IPC: H01L31/042 ,  H02N6/00

CPC classification number: H04M19/08 ,  H01L31/0504 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明涉及太阳能电池组件以及搭载该太阳能电池组件的电子元件、电气元件、电子设备。全部的太阳能电池单元，配置为矩阵形，上述矩阵的各行中至少包含有2个以上单元组，同时，上述矩阵的各列中至少包含有2个以上单元组。