公开(公告)号：CN1722454A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200410104559.5

申请日：2004-12-22

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 大川成实

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/82 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明提供一种固态图像传感器及其制造方法。该固态图像传感器包括：具有彩色像素区域和黑色像素区域的第一导电类型的半导体衬底；在该彩色像素区域中形成的第一导电类型的第一阱；在该黑色像素区域中形成的第一导电类型的第二阱；围绕该第二阱形成的第二导电类型的第三阱；在该彩色像素区域中的第一阱中形成的彩色像素，并且该彩色像素包括第一光电二极管和第一读取晶体管；以及在该黑色像素区域中的第二阱中形成的黑色像素，并且该黑色像素包括第二光电二极管和第二读取晶体管。该第一阱包括第一导电类型的第一埋入式掺杂层。该第二阱包括第一导电类型的第二埋入式掺杂层。利用本发明，能够确保与制造外围电路晶体管的过程相兼容，而实现像素的高灵敏度。

公开(公告)号：CN1490878A

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN03154823.7

申请日：2003-08-20

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 大川成实

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14623 ,  H04N5/3741

Abstract: 在包括4－Tr－像素的固态图像传感器中，连接到第n行像素单元的传输晶体管的栅极26TG的TG线、和连接到第n+1行像素单元的选择晶体管的栅极28SEL的选择线由公共信号线形成，并且第n行像素的栅极28TG和第n+1行像素单元的栅极28SEL形成在相同导电层的一个连续图形中。由此可以给金属互连层的布局提供裕度。因而，可有效地屏蔽浮置扩散FD使其不受到光照射。此外，给面积提供裕度。因而，浮置扩散FD可具有增加的面积，由此可减少结泄漏。

公开(公告)号：CN1905201A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200510124713.X

申请日：2005-11-11

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 大川成实

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14623

Abstract: 一种半导体成像器件，包括：光检测区，其由第一导电类型的扩散区形成且形成在位于栅电极的第一侧的硅衬底的有源区中，从而使其顶部与硅衬底的表面分离，并且内缘部分侵入位于栅电极正下方的沟道区下方；屏蔽层，其由第二导电类型的扩散区形成且位于栅电极的第一侧的硅衬底的表面上，从而其内缘部分与位于第一侧的栅电极的侧壁表面对准；浮置扩散区，其形成在位于栅电极的第二侧的有源区中；以及沟道区，其形成在所述栅电极的正下方，其中沟道区包括：第一沟道区部分，其形成为与屏蔽层相邻；以及第二沟道区部分，其形成为与浮置扩散区相邻，其中第二沟道区部分含有杂质元素且浓度水平低于第一沟道区部分的杂质浓度水平。

公开(公告)号：CN1716621A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200410081945.7

申请日：2004-12-21

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 大川成实 ,  浅野正义 ,  野村俊雄

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明提供一种图像传感器，具有多个像素，每个包含光电转换元件和阈值电压随该光电转换元件所产生的电荷而波动的检测晶体管。该图像传感器包括第二导电类型的屏蔽区和第一导电类型的光电转换区；链接到该光电转换区的第一导电类型的阱区；环形栅极；在该环形栅极内部的第二导电类型的源极区；第二导电类型的漏极区。该图像传感器还进一步包括势袋区，其形成在该环形栅极下面的阱区中并积聚电荷，其中，该栅宽在毗邻该光电转换区的部分处比其他部分窄。

公开(公告)号：CN1669149A

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：CN03817242.9

申请日：2003-07-23

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 大川成实

IPC: H01L27/14 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1469 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种避免画质和读取速度的劣化，可以实现小型化、消耗电力降低化、高速化的图像传感器。其由像素单元(14)、和由MOS晶体管等构成的外围电路(12)以及输入输出电路(13)构成，该像素单元(14)由连接在电源上的光电二极管(31)以及复位晶体管(32)、和检测光电二极管(31)的信号电压的检测晶体管(33)、以及选择检测晶体管(33)并读取信号电压的选择晶体管(34)构成。复位晶体管(32)以及检测晶体管(33)的栅极绝缘膜(60A)比选择晶体管(34)的栅极绝缘膜(60B)形成得厚些。